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¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
General Terms 通用条款 - 南京安法斯通讯技术有限公司
2. Price Unless otherwise agreed upon in this PO or other written agreements by both Parties, price under this PO (“Price”) shall include all tax, shipping cost and other production and sale cost. Unit Price under this PO shall be the most current one as agreed upon by both Parties before payment. Seller hereby warrants that the Price does not exceed those offered to other customers purchasing the same or similar products under the same or similar transaction conditions in the same quarter. If, at Buyer's discretion, the price for the same or similar products is lower, Buyer may thus proportionally deduct the payment for the Products and/or offset against any of Buyer's accounts payable to Seller (including but not limited to the payment for the Products.). 2. 价格 针对本订单，双方当事人除非另有书面协议外，本订单项下的价格（以下简称为“价格”）应包含所有税费、运费和 其它生产及销售费用。本订单项下的单价应该是支付前双方当事人同意的最新价格。卖方在此保证，该价格不超过 同一季度在相同或类似交易条件下购买相同或类似产品的其他客户所获得的价格。假如相同或类似产品的价格较低， 则买方可以自行决定，买方可能据此按比例地扣减货款，和/或抵销买方对卖方的任何应付账款（包括但不仅限于该 产品的货款）。 3. Payment Unless otherwise stipulated herein, payment shall be made within 90 days from 1) Buyer's receipt of the appropriate invoice
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]
关于民族对哈基斯的承认的法律
西索讷（Sissonne）：军营边缘的营房，形成“村庄”（埃纳省）；马诺斯克（Manosque）：四季之城（上普罗旺斯阿尔卑斯省）；戛纳-La Bocca： 米莫萨斯城（滨海阿尔卑斯省）；超级昂蒂布： 桉树市 (滨海阿尔卑斯省)；马赛：奥利夫市，第 13 区 (罗讷河口省)；马赛：蒂勒尔市，第 15 区（罗讷河口省）；热夫雷尚贝坦 (Gevrey-Chambertin)：SONACOTRA-SNCF 住房 (Côte-d'Or)； Sireuil：克罗兹地区（多尔多涅省）；索恩 (Saône)：中转城市（杜省）；贝桑松 (Besançon)： 四风之城、蒙塔莫特 (Montarmots) 路径 (杜省)；德勒：SONACOTRA 建筑工地的营房（厄尔-卢瓦尔省）；德勒：Murger-Bardin 街市（厄尔-卢瓦尔省）；蒙彼利埃：前军营的训练场（埃罗省）；蒙彼利埃： 马萨维奥尔市 (埃罗省)；蒙彼利埃： 波塔利市 (埃罗省)；蒙彼利埃： Pont-Juvénal（埃罗省）； Chapareillan：住宿中心（伊泽尔省）；格勒诺布尔 (Grenoble): 位于烈士街 (rue des Martyrs) 的 SONACOTRA-SNCF 营房和住房 (Isère)； Roybon 3：一个与 Roybon 1 和 2（伊泽尔省）相似的森林村庄；圣热内-圣保利安附近市 (上卢瓦尔省)；塞莫伊（Semoy）： 埃尔夫利恩 (卢瓦雷省) 的城市；马恩河畔沙隆 (Châlons-sur-Marne): 比德 (Bidée) 市 (马恩省)；兰斯 (Reims)：维特里路 (马恩省) 上的城市； Vadenay：军营（马恩省）； Saint-Avé：预制建筑（莫尔比昂省）Cattenom：军营（摩泽尔省）；敦刻尔克：SONACOTRA-SNCF 住房（北）；豪蒙特（Haumont）： USINOR 军营（北部）；卢夫鲁瓦 (Louvroil)： 施魏策尔医生街 (北) 市；鲁贝：甘贝塔大道（北）的住宿中心；弗莱尔德莱奥恩省，SONACOTRA 市 (奥恩省)；梅里库尔 (Méricourt)： HBNPC 军营 (加来海峡省)；布尔加拉斯蒂克 (Bourg-Lastic)：吉马尔 (Gimard) 分区 (Puy-de-Dôme)； Grand-Couronne：巴斯德街和埃萨尔街（滨海塞纳省）等城市； Authieux-sur-le-Port-Saint-Ouen：马尔尼埃尔城堡（滨海塞纳省）；鲁昂：位于 Pavée 街（滨海塞纳省）的中转中心；鲁昂：位于圣吉尔街 (滨海塞纳省) 的中转中心； Saint-Aubin-lès-Elbeuf：拉皮埃尔圣乔治市（滨海塞纳省）Saint-Wandrille-Rançon：军营（滨海塞纳省）；皮卡第地区普瓦 (Poix-en-Picardy)：Vert Bois 地区 (索姆省)；亚眠：斯特拉斯堡大道（索姆省）上的紧急城市；亚眠 (Amiens)：砖厂之城 (索姆省) 隆格奥 (Longueau)：阿夫尔 (Avre) 之城 (索姆省)；阿维尼翁 (Avignon)：蒙克拉 (Monclar) 区（沃克吕兹省）的太阳之城；舒瓦西勒鲁瓦 (马恩省)。