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通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
高温器件用超薄玻璃基板的直接键合与脱键合方法
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法，该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板（<100µm）上实现薄膜电池（<20µm）来评估这一概念。为了键合，将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃（>500µm）上，没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造，温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果，脱粘后超薄玻璃（<100µm）没有任何裂纹的迹象。此外，脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
在自由的基板上生长的gan epilayer的Ni Schottky屏障的当前运输
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Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。Process。，78，75-84，（2018）。Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。物理。Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. 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Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。Phung，T.H。非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. 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有机基板材料趋势
9) K. Mitsukura、M. Toba、K. Urashima、Y. Ejiri、K. Iwashita、T. Minegishi、K. Kurafuchi，“用于有机中介层的超精细和高可靠性沟槽布线工艺提案。”国际微电子组装与封装协会 (IMAPS) 2016。10) K. Mitsukura、S. Abe、M. Toba、T. Minegishi、K. Kurafuchi，“使用新设计的绝缘阻挡膜实现 1/1 μm 线/间距的高可靠性 Cu 布线层。”国际微电子组装与封装协会 (IMAPS) 2017。11) M. Minami、D. Yamanaka、M. Toba、S.H.Tsai, S. Katoh, K. Mitsukura，“制造具有精细 Cu 布线和出色电气可靠性的两种面板级中介层” 2023 年电子元件和技术会议 (ECTC)。12) S.H.Jin, W.C. Do, J.S.Jeong, H.G.Cha, Y.K.Jeong, J.Y.Khim，“具有细间距嵌入式走线 RDL 的 S-SWIFT” 2022 年电子元件和技术会议 (ECTC)。13) AH 系列 | 产品 | Resonac
报告第一堆积基板研讨会（BUS）
在1 ST建筑底物研讨会（BUS）Annette Teng的报告中，首届堆积基板研讨会（BUSS）取得了很大的成功，这是通过有兴趣出现在Advance Sybrate制造上的大量参与者的投票率来衡量的。许多与会者从乡下和外出州飞往加利福尼亚州米尔皮塔斯的半总部与硅谷的当地人相连。5月2日和5月3日，2024年5月2日和5月3日，超过144名与会者呆在房间里，并一直待到星期五下午5:00之后。该研讨会针对美国高级基材的数量制造和供应链的研讨会，现在正在引起广泛关注。公共汽车计划作为用户，供应商，制造商和政府进行网络和联系的会议。研讨会于2023年11月在A. Teng与H. Hichri在Dallas举行的ECTC论文审查会议上孵化，由J. Vardaman和R. Beica加入。委员会扩展到包括Venky Sundaram，Kuldip Johal，Paul Wesling，Steven Verhaverbeke，Farhang Yazdani和IPC的Matt Kelly。委员会的计划和会议开始在就职之前5个月开始。最终计划包括政府，初创企业和风险资本家的受邀主题演讲；然后在“用户观点”和“授权初创企业”上进行4次邀请的技术论文和2个非常有趣的面板会议。邀请的Keynotes
Samtec - 使用玻璃基板和玻璃通孔进行高密度光收发器封装
摘要 — 玻璃通孔 (TGV) 是一种新兴技术，它使电子中介层比有机基板更具优势。这些优势包括出色的尺寸稳定性、与硅片更接近的热膨胀系数 (CTE)、高热稳定性和高电气隔离。这些都有利于现代系统所需的更高数据速率。此外，TGV 还有利于支持更高数据速率和更高密度的光收发器封装设计。我们描述了 TGV 技术在光学引擎设计中的优势，该引擎能够以业界领先的密度支持 112 Gbps 通道。