LTCC(低温共烧陶瓷)是一种多层基板技术,具有出色的射频和微波性能特征。其低烧结温度(约 900°C)允许与银和金等高导电性金属共烧。LTCC 基板具有出色的机械和电气性能,再加上嵌入无源元件的能力,可为高频应用提供卓越的射频性能和设备小型化。
碳化硅 (SiC) 具有独特的电子和热特性,非常适合用于先进的高功率和高频半导体器件,其工作性能远远超出了硅或砷化镓器件的能力。基于 SiC 的技术的主要优势包括降低开关损耗、提高功率密度、改善散热和增加带宽能力。在系统层面,这可以实现高度紧凑的解决方案,大大提高能源效率并降低成本。目前和预计采用 SiC 技术的商业应用名单正在迅速增加,包括开关电源、绿色(太阳能和风车)能源发电逆变器、工业电机驱动器、HEV 和 EV 汽车、智能电网电源切换和无线通信基站。
此处显示的数据基于截至 2024 年 1 月的技术信息和可用日期,不旨在保证质量。内容可能会根据新发现进行必要的修订。此处的所有演示文稿:机密
3.4 D Ò 2À^ Ó? ‹x I ÖP Ò 2 Ô 去 ¨ ‹Œ Õ{ (3) P ,- DDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDD DDDDDDD
9) K. Mitsukura、M. Toba、K. Urashima、Y. Ejiri、K. Iwashita、T. Minegishi、K. Kurafuchi,“用于有机中介层的超精细和高可靠性沟槽布线工艺提案。”国际微电子组装与封装协会 (IMAPS) 2016。10) K. Mitsukura、S. Abe、M. Toba、T. Minegishi、K. Kurafuchi,“使用新设计的绝缘阻挡膜实现 1/1 μm 线/间距的高可靠性 Cu 布线层。”国际微电子组装与封装协会 (IMAPS) 2017。11) M. Minami、D. Yamanaka、M. Toba、S.H.Tsai, S. Katoh, K. Mitsukura,“制造具有精细 Cu 布线和出色电气可靠性的两种面板级中介层” 2023 年电子元件和技术会议 (ECTC)。12) S.H.Jin, W.C. Do, J.S.Jeong, H.G.Cha, Y.K.Jeong, J.Y.Khim,“具有细间距嵌入式走线 RDL 的 S-SWIFT” 2022 年电子元件和技术会议 (ECTC)。13) AH 系列 | 产品 | Resonac
基板厚度 6.1 简介................ ............. 6-1 6.2 带宽定义。6.3 根据测量结果确定带宽 6.4 计算薄天线元件的阻抗带宽。6.5 计算厚天线元件的带宽.... 6.6 结果与讨论 6.7 结论
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 242 秒 242 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 kpsi 24 16 N/mm 2 165 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 kpsi 15 8 N/mm 2 103 拉伸强度 (MD) ASTM D 3039 psi 16,800 N/mm 2 116 拉伸强度 (CD) ASTM D 3039 psi 11,000 N/mm 2 75.8 杨氏模量 (MD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 8,343 杨氏模量 (CD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 7,171 泊松比 (MD) ASTM D 3039 0.14 0.14 泊松比 (CD) ASTM D 3039 0.10 0.10 断裂应变 (MD) ASTM D 3039 % 1.6 % 1.6 断裂应变 (CD) ASTM D 3039 % 1.4 % 1.4 压缩模量 (Z 轴) ASTM D 695 (23ºC) kpsi 385 N/mm 2 2,650 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8 (热应力) 磅/英寸 12 N/mm 2.1 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8.3 (150ºC ) (高温) 磅/英寸 14 N/mm 2.5 剥离强度 (1 盎司VLP)IPC-650 2.4.8秒5.2.3 (Proc. Chemicals) 磅/英寸 11 N/mm 2.0 密度 (比重) gm/cm 3 2.28 gm/cm 3 2.28 比热 ASTM E 1269 (DSC) (100ºC) J/g/K 0.99 J/g/K 0.99 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.29 W/M*K 0.29 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 2% 重量损失 ºC 528 ºC 528 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 5% 重量损失 ºC 547 ºC 547 CTE (x) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 10 8 ppm/ºC 8 热膨胀系数 (y) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 13 10 ppm/ºC 10 热膨胀系数 (z) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 108 104 ppm/ºC 108