LTCC(低温共烧陶瓷)是一种多层基板技术,具有出色的射频和微波性能特征。其低烧结温度(约 900°C)允许与银和金等高导电性金属共烧。LTCC 基板具有出色的机械和电气性能,再加上嵌入无源元件的能力,可为高频应用提供卓越的射频性能和设备小型化。
Dyconex总部位于瑞士,从事PCB业务已有50多年的历史,并在Flex,僵化和刚性技术中提供了领先的互连解决方案。dyconex核心竞争力在于生产高度复杂的HDI,用于医疗,防御,航空航天,工业和半导体应用的高频和高可靠性电路板。dyconex是一家公司。
摘要 — 有源植入式医疗设备的密封和非密封封装通常由氧化铝等陶瓷制成。丝网印刷 PtAu 糊剂是功能结构最先进的金属化方法。由于 Au 在热暴露下会发生固态和液态扩散,焊接时间有限;否则金属结构容易分层。此外,研究表明,带焊料的 PtAu 会在 37.4 年后失效。我们建立了一种氧化铝薄膜金属化工艺来克服这些缺点。金属化由溅射铂和钨钛制成的底层粘附层组成,以增加与氧化铝基板的粘附强度。由于金具有较高的扩散趋势,我们避免在这项工作中使用金。相反,所使用的材料具有相对较低的扩散特性,这可能会提高组装和封装过程中的长期机械性能和可用性。
包括GAN,INN,ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源,可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜,我们研究了在钼(MO)底物上生长的α纳米线(NWS)中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力,可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运,这是由于明显的Schottky屏障高度(SBHS)的变化,而Schottky屏障高度(SBHS)是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力,我们测量了SBH的增加为98.12 MeV,该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn,对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应,通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解,这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上,对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子,传感器和能源产生应用。
碳化硅 (SiC) 具有独特的电子和热特性,非常适合用于先进的高功率和高频半导体器件,其工作性能远远超出了硅或砷化镓器件的能力。基于 SiC 的技术的主要优势包括降低开关损耗、提高功率密度、改善散热和增加带宽能力。在系统层面,这可以实现高度紧凑的解决方案,大大提高能源效率并降低成本。目前和预计采用 SiC 技术的商业应用名单正在迅速增加,包括开关电源、绿色(太阳能和风车)能源发电逆变器、工业电机驱动器、HEV 和 EV 汽车、智能电网电源切换和无线通信基站。
摘要 — 设计并演示了在 100 微米薄玻璃基板上通过通孔互连的高精度高性能带通和低通滤波器的双面或 3-D 集成,用于超小型双工器组件。开发了一种实现大面积高精度制造的新型工艺,以大大提高电气性能的公差。高精度、高品质因数和高元件密度以及玻璃上的薄膜层用于在玻璃上实现创新的拓扑结构,以实现高带外抑制和低插入损耗。低损耗 100 毫米厚的玻璃芯和多层 15 毫米薄聚合物膜用于在基板上构建滤波器。演示的双工器尺寸为 2.3 3 2.8 3 .2 毫米。借助玻璃的尺寸稳定性和半加成图案化工艺控制,所制造的滤波器的性能与模拟结果具有极好的相关性。还分析了工艺敏感性分析对双工器性能的影响。最后,展示了一种独特而创新的工艺解决方案,以控制工艺偏差并实现良好的双工器公差。使用新工艺,性能偏差控制在约 3.5 倍。
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 242 秒 242 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 kpsi 24 16 N/mm 2 165 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 kpsi 15 8 N/mm 2 103 拉伸强度 (MD) ASTM D 3039 psi 16,800 N/mm 2 116 拉伸强度 (CD) ASTM D 3039 psi 11,000 N/mm 2 75.8 杨氏模量 (MD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 8,343 杨氏模量 (CD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 7,171 泊松比 (MD) ASTM D 3039 0.14 0.14 泊松比 (CD) ASTM D 3039 0.10 0.10 断裂应变 (MD) ASTM D 3039 % 1.6 % 1.6 断裂应变 (CD) ASTM D 3039 % 1.4 % 1.4 压缩模量 (Z 轴) ASTM D 695 (23ºC) kpsi 385 N/mm 2 2,650 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8 (热应力) 磅/英寸 12 N/mm 2.1 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8.3 (150ºC ) (高温) 磅/英寸 14 N/mm 2.5 剥离强度 (1 盎司VLP)IPC-650 2.4.8秒5.2.3 (Proc. Chemicals) 磅/英寸 11 N/mm 2.0 密度 (比重) gm/cm 3 2.28 gm/cm 3 2.28 比热 ASTM E 1269 (DSC) (100ºC) J/g/K 0.99 J/g/K 0.99 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.29 W/M*K 0.29 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 2% 重量损失 ºC 528 ºC 528 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 5% 重量损失 ºC 547 ºC 547 CTE (x) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 10 8 ppm/ºC 8 热膨胀系数 (y) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 13 10 ppm/ºC 10 热膨胀系数 (z) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 108 104 ppm/ºC 108
基板厚度 6.1 简介................ ............. 6-1 6.2 带宽定义。6.3 根据测量结果确定带宽 6.4 计算薄天线元件的阻抗带宽。6.5 计算厚天线元件的带宽.... 6.6 结果与讨论 6.7 结论
摘要 人们对将玻璃用作 2.5D/3D 应用的基板的兴趣日益浓厚。玻璃具有许多材料特性,非常适合用作中介层基板。基于玻璃的解决方案通过利用规模经济以及按设计厚度形成基板,为降低成本提供了巨大机会。人们正在开展大量工作来验证玻璃作为中介层基板的价值。一个重要领域是玻璃相对于硅的电气性能。由于玻璃是绝缘体,用玻璃制成的中介层应具有比用硅制成的中介层更好的电气性能。电气特性和电气模型证实了这一优势及其对功能性能的积极影响。由于能够定制玻璃的热性能(例如热膨胀系数 (CTE)),预计在可靠性方面将有进一步的优势。将展示建模结果,以展示如何正确选择 CTE 可以显著降低堆栈翘曲。此外,在玻璃中介层制造的演示方面也取得了重大进展。如今,人们正在制造带有通孔和盲孔的全图案化晶圆和面板。同样重要的是,能够展示利用现有下游工艺对这些基板进行金属化的能力。本文将介绍应用现有下游工艺使用直通和盲孔技术制造功能性玻璃中介层的能力。 关键词 玻璃、中介层、热建模、热膨胀 I. 简介 在过去的几年中,半导体行业在使用玻璃作为中介层基板方面取得了巨大的发展。玻璃具有许多使其成为中介层基板的理想基板的特性,例如:超高电阻率、低介电常数、超低电损耗和可调节的热膨胀系数 (CTE),可管理 3D-IC 堆栈。无论技术性能如何,任何基于玻璃的解决方案还必须在基板材料、通孔形成和后续处理方面提供成本优势。中介层技术对于 2.5D/3D 集成起着重要作用。目前有大量活动来开发基于硅通孔 (TSV) 技术的中介层制造基础设施。虽然 TSV 的可制造性不断提高,但在成本和电气性能方面仍存在一些困难的挑战,这促使人们考虑替代方案
在微电子领域,设备集成度更高、散热性能更好一直是个趋势。在制造基于陶瓷的微电子器件时,可以应用以下技术。厚膜混合技术使用烧结陶瓷基板(主要是 Al 2 O 3 ),用功能糊料进行丝网印刷,然后在 850°C 下烧制。氧化铝基板具有非常好的导热性(25 W/mK),但是只有两侧可以进行金属化。使用 LTCC 技术的多层系统可以实现更好的小型化。LTCC 器件通过丝网印刷、堆叠和层压陶瓷绿带,然后进行共烧来制造。LTCC 的缺点是由于其玻璃含量高而导致的低导热性(3 W/mK)。通过结合混合技术和 LTCC 技术,可以结合两种方法的优点,例如良好的导热性和高的多层集成度。由于通过热压将生带层压在烧结陶瓷基板上的故障率太高,因此冷低压层压 (CLPL) 已被用作替代层压工艺。CLPL 是一种层压方法,其中组件的连接是在室温下通过使用双面胶带施加非常低的压力 (<5 MPa) 进行的。在热处理过程中,粘合膜将胶带保持在一起,直到粘合剂完全分解;在进一步升温期间,胶带通过烧结连接在一起。本文介绍了将烧结材料与生带连接所使用的材料和加工步骤,并讨论了烧制过程中发生的影响。这些影响(如边缘卷曲和裂纹形成)主要是由于在受限烧结过程中发生的应力造成的。可以通过改变工艺参数来影响它们的控制。关键词:连接、层压、冷低压层压、LTCC、氧化铝基板