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World File Search System基胺
基于聚醚胺(PEA)动态交联网络的多重响应性表面褶皱图案
图3暴露于紫外线的皱纹模式的产生/擦除的进化过程。（a – e）分别暴露于0、5、10、15和20分钟的平滑样品时，皱纹模式的生成过程的3D AFM图像。将这些样品加热至120°C。（365 nm UV的光强度约为3.5 mW/cm 2）。（f）暴露于254 nm UV光的皱纹图案的3D AFM图像持续5-7.5分钟（254 nm UV光强度约为3.5 mW/cm 2）。（g）波长（λ，黑线，左垂直轴）和皱纹的振幅（a，红线，右垂直轴）是UV光照射时间的函数。（H）An的二聚化过程的动力学。uv-vis光谱在豌豆/ABA膜中ABA之间的二聚化反应。混合溶液在石英板上旋转，并将样品暴露于365 nm的紫外线，分别为0、2、4、6、8、10、12、14、16分钟。样品被原位测量。
胺移植和咪唑基PEI守门人
摘要：靶向药物输送系统的开发一直是纳米医学中的关键区域，应对低药物加载能力，不受控制的释放和全身毒性等挑战。本研究旨在开发和评估双官能化介孔二氧化硅纳米颗粒（MSN），以靶向塞来氧基靶向递送，增强药物载荷，实现受控释放，并通过胺嫁接和咪唑基聚乙醇激素（PEI）降低全身毒性。MSN，并用（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APTES）官能化，以创建胺移植的MSN（MSN-NH 2）。celecoxib被加载到MSN-NH 2中，然后将咪唑官能化的PEI（IP）守门人结合通过碳二二胺偶联。使用傅立叶转换红外光谱（FTIR）和质子核磁共振（1 H-NMR）进行表征。在pH 5.5和7.4处的药物加载能力，夹带效率和体外药物释放。细胞毒性。合成的IP通过FTIR和1 H-NMR确认。氨基接枝的MSN表现出塞来昔布的负载能力为12.91±2.02％，比非官能化的MSN高2.1倍。在体外释放研究中显示，pH响应性行为在pH 5.5时从MSN-NH 2-Celecoxib-IP中释放出明显更高的塞来昔布，而pH 7.4则在2小时内释放率提高了33％。细胞毒性测试表明，与PEI处理的细胞相比，IP处理的细胞的细胞活力明显更高，从而确认毒性降低。MSN与胺接枝和咪唑基PEI守门人的双重功能增强了Celecoxib的负载，并提供受控的pH反应性药物释放，同时降低全身毒性。这些发现突出了该晚期药物输送系统对靶向抗炎和抗癌疗法的潜力。
10H-苯噻嗪-2-基甲胺作为
关键词：苯噻嗪，抗氧化剂，1,4-二恶烷，自由基氧化，2-丙醇引入苯噻嗪衍生物代表了在化学和医学各个领域广泛使用的重要且有希望的化合物。这些化合物用作有机溶剂中单体氧化和聚合的抑制剂，用于稳定各类的聚合物，甚至在光敏剂[1-3]中。势噻嗪衍生物取决于化合物的化学结构，具有广泛的生物学和药理活性，这决定了它们在医学中的广泛应用[4-8]。基于苯噻嗪衍生物的药物是相似的化学结构的化合物，仅在不同的活性 *相应作者的取代基的性质上有所不同。电子邮件：gulnaz-sharipova@list.ru
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]