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¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
General Terms 通用条款 - 南京安法斯通讯技术有限公司
2. Price Unless otherwise agreed upon in this PO or other written agreements by both Parties, price under this PO (“Price”) shall include all tax, shipping cost and other production and sale cost. Unit Price under this PO shall be the most current one as agreed upon by both Parties before payment. Seller hereby warrants that the Price does not exceed those offered to other customers purchasing the same or similar products under the same or similar transaction conditions in the same quarter. If, at Buyer's discretion, the price for the same or similar products is lower, Buyer may thus proportionally deduct the payment for the Products and/or offset against any of Buyer's accounts payable to Seller (including but not limited to the payment for the Products.). 2. 价格 针对本订单，双方当事人除非另有书面协议外，本订单项下的价格（以下简称为“价格”）应包含所有税费、运费和 其它生产及销售费用。本订单项下的单价应该是支付前双方当事人同意的最新价格。卖方在此保证，该价格不超过 同一季度在相同或类似交易条件下购买相同或类似产品的其他客户所获得的价格。假如相同或类似产品的价格较低， 则买方可以自行决定，买方可能据此按比例地扣减货款，和/或抵销买方对卖方的任何应付账款（包括但不仅限于该 产品的货款）。 3. Payment Unless otherwise stipulated herein, payment shall be made within 90 days from 1) Buyer's receipt of the appropriate invoice
亚历山大·斯维钦 (Alexander Svechin) 的 ISW 阵地战......
关于作者 弗雷德里克·W·卡根是美国企业研究所高级研究员兼重大威胁项目 (CTP) 主任。2009 年，他作为斯坦利·麦克里斯特尔将军战略评估小组成员驻扎在阿富汗喀布尔，并于 2010、2011 和 2012 年返回阿富汗，为戴维·彼得雷乌斯将军和约翰·艾伦将军开展研究。2011 年 7 月，参谋长联席会议主席迈克·马伦上将授予他杰出公共服务奖，这是主席为表彰他在阿富汗志愿服务而颁发给非国防部文职人员的最高荣誉。他是《定义阿富汗的成功》报告的合著者，也是《选择胜利》系列报告的作者，该系列报告建议并监测了美国在伊拉克的军事增兵。卡根博士曾任西点军校军事史副教授，还曾担任《标准周刊》特约编辑，并为《外交事务》、《华尔街日报》、《华盛顿邮报》、《洛杉矶时报》和其他期刊撰稿。
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]