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用于连续变量实验的 LiNbO 3 基集成光路中的光折变效应
我们研究了光折变效应对用于连续变量片上实验的铌酸锂集成量子光子电路的影响。研究了电路的主要构建块，即腔体、定向耦合器和周期性极化非线性波导。这项工作表明，即使光折变效应弱于空间模式跳跃，它们也可能影响片上量子光子学实验的成功。我们详细描述了导致识别此可能问题的表征方法。我们还研究了设备加热在多大程度上代表了抵消此影响的可行解决方案。我们重点研究了 775 nm 光引起的光折变效应，背景是 1550 nm 电信波长的非经典光的产生。