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带有 Ag/AlOx 钝化背反射器的超薄 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池
摘要：在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善，这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加，测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物，这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面，可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此，在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤，将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
美国能源部多实验室对 DARPA RFI 的回应
目前，产业界、学术界或联盟尚未建立协调机制来引入需要在整个计算技术堆栈中进行优化的颠覆性技术。这必然是政府应发挥的正确作用，即建立跨领域的科学基础，解决一阶计算堆栈（图 1 中的第二列）的协调和扩大规模挑战。通过同时投入足够的资源来攻克这些难题，可以大幅缩短从发现到产业投资将新技术推向市场所需的时间。从历史上看，即使是“直接”技术，例如 CMOS 半导体制造中的光刻转换和晶体管改进，这一时间差也达 12 至 20 年。除非采取更协调、更综合的方法，否则影响计算堆栈多个层的进步很可能需要更长的时间。
可视化多样性 - lIthium-lithium growth and stripping-behaviors- ...
图1。（a）定制断层扫描和细胞堆栈的示意图。（b）使用层层涂层的CU电流收集器，在三种不同的无锂计数器电极（情况A，B和C）的三种不同的无阳极细胞中锂的电压曲线/剥离。对于第一个锂沉积，使用0.5 mA cm -2的初始电流密度和3 mAh cm -2的面积容量循环，然后进行不同的处理（请参阅文本）。（C-E）完整单元堆栈的重建图像切片，每个堆栈图像下方都有放大接口。这些图像切片是从最初的3 mAh cm -2沉积在当前收集器上的。（c）案例A（Au coated电流收集器）； （d）案例B（Ag涂层电流收集器）； （e）案例C（Au涂层电流收集器）。
教学计划和教学大纲
1. 理解数据结构的基本概念。 2. 理解用于分析算法性能的符号。 3. 为特定应用选择并应用适当的数据结构。 4. 理解递归的概念及其在解决问题中的应用。 5. 展示对搜索和排序算法的透彻理解。 UNIT-I 简介：数据类型、数据结构、数据结构类型、操作、ADT、算法、算法比较、复杂性、时间-空间权衡。递归：简介、递归函数的格式、递归与迭代、示例。 UNIT-II 链表：简介、链表和类型、链表的表示、链表上的操作、链表与数组和动态数组的比较。 UNIT-III 堆栈和队列：堆栈简介、堆栈的应用、堆栈实现的实现和比较。队列简介、队列的应用和实现、优先级队列和应用。 UNIT-IV 树：定义和概念、二叉树的运算、二叉树的表示、一般树到二叉树的转换、树的表示、树的遍历、二叉搜索树。 UNIT-V 图：介绍、图的应用、图表示、图遍历、最小生成树。搜索和排序：线性搜索、二叉搜索、排序算法 - 冒泡排序、选择排序、快速排序、堆排序。教科书：
磁性随机存取存储器 (MRAM) 超越信息存储
摘要 磁性随机存取存储器 (MRAM) 现在可作为嵌入式存储器从主要的 CMOS 代工厂获得。在这项研究中，我们证明了与传统 STT-MRAM 中使用的磁性隧道结相比，略微改进的磁性隧道结可用于多种用途，即磁场传感和射频振荡器。为此，垂直各向异性磁性堆栈中的 FeCoB 存储层厚度调整为 1.3-1.4 纳米，更接近从垂直到平面内各向异性的过渡区域。可以使用两种使用相同堆栈的磁场传感配置，在小场范围内实现高灵敏度或在大场范围内实现较低的灵敏度。此外，还展示了射频振荡器 GHz 检测和生成。可以设想这种多功能堆栈的进一步应用，包括非易失性和可重新编程逻辑、特殊功能（如随机数生成器和忆阻器）。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
电解仪/生物反应器整合（EBI） - 氢计划
通常，生物反应器系统采用科里奥利质量流动传感器和一个比例流阀来监视和控制H 2流。创新B提供了一个机会，可以使用电解室堆栈电流与所得的H 2质量流之间的关系来删除H 2气流的监视和流量控制。可以简单地将电解层堆栈电流和氢质量流之间的关系嵌入到控制系统中。
超大的能量域墙设备用于自旋... -dr -ntu
引入缺陷，会导致随机DW运动和较高的临界电流密度71。（b）在拟议的概念中，FM层和p- W层通过低压（LP）和低功率沉积的W膜分开。插入该LP-W有望减少W堆栈的粗糙度和FM层中的缺陷。（c）样品代码表和沉积样品中每一层的厚度。（d）膜样品的强制性（h C）沿沿非平面方向施加的场进行测量。所有样品均显示PMA和H C是LP-W膜的最低，而HP-W的存在增加了H C。（e）不同薄膜的堆栈电阻率的图。〜120 cm的堆栈电阻率通常被认为是期72的基线。大多数样品显示出接近该基线的电阻率（请参阅补充部分S1.2和S2.3）。