XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System外延生长
Paola Prete 博士，物理学博士，是 CNR 微电子与 M 研究所外延生长实验室的高级科学家和负责人
Paola Prete 博士拥有物理学博士学位，是意大利莱切 CNR 微电子和微系统研究所 (IMM-CNR) 外延生长实验室的高级科学家和负责人，也是莱切萨兰托大学工程学院的合同教授。1996-97 年在英国雷克瑟姆的格林多大学担任客座科学家和合同教授。她在材料科学领域拥有 30 多年的经验，她的研究重点是通过自下而上的方法合成的 III-V 纳米结构的 MOVPE 和 MBE 生长和光谱，例如用于纳米/光电子、光子学、光伏和量子科学的核-（多）壳纳米线，以及基于石墨烯和 TMDC 的范德华异质结构。撰写了 130 多篇同行评审文章和会议论文集，为国际会议撰写了 240 多篇论文，并发表了 20 篇受邀演讲。荣获意大利晶体学会 (AIC) 颁发的 2000 年度青年科学家奖。2012-14 年度 AIC 晶体生长部门协调员和国际晶体生长组织 (IOCG) 意大利理事。ISI 索引期刊《纳米材料和纳米技术》主编，SAGE/Wiley。《晶体生长和材料特性进展》副主编，Elsevier。她曾担任该领域的国际和全国大会/学校主席。许多国际会议的顾问委员会成员，包括美国 SPIE 光学 + 光子学会议。
迈向高性能 Ga2O3 电子器件
本期特刊主要关注 Ga 2 O 3 外延生长和电子器件相关主题的最新进展。实验和理论工作均可接受。我们邀请向本期特刊提交原创研究文章/通讯和综合评论论文。本期特刊将涵盖的主题包括但不限于： 高压 Ga 2 O 3 电子器件； Ga 2 O 3 射频器件； Ga 2 O 3 异质结器件； Ga 2 O 3 薄膜的高质量外延生长； Ga 2 O 3 在异质衬底上的异质集成； Ga 2 O 3 器件的理论建模与仿真； 大尺寸 Ga 2 O 3 单晶和晶片。
光电子发射和界面从头理论研究...
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长：应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志，微电子处理与现象，2003 年，21，1765。
MBE和MOCVD技术之间的比较
MBE反应器通常包括样品转移室（向空气开放，以允许加载晶圆底物并卸载）和一个生长室（通常密封，仅向空气开放以进行维持），其中底物被转移以进行外延生长。MBE反应堆在超高真空（UHV）条件下运行，以防止空气分子受到污染。如果腔室敞开了空气，则可以加热腔室以加速这些污染物的疏散。通常，MBE逆转中外延的源材料是固体半导体或金属。这些被加热超出其熔点（即源材料蒸发）在积液细胞中。在这里，原子或分子通过一个小孔驱动到MBE真空腔中，该光圈给出高度方向的分子束。这会影响加热的底物；通常由单晶材料制成，例如硅，砷耐加仑（GAAS）或其他半导体。，如果分子不取消分子，它们将在底物表面扩散，从而促进外延生长。然后逐层构建外观，每个层的组成和厚度控制以实现所需的光学和电气性能。基板在生长室内集中安装在被
2021 年 InP 晶圆、外延片和器件市场
3) 市场趋势 89 市场细分 InP 行业：发展时间表 InP 应用市场概览 技术概览、每种应用的经济要求 4) 市场份额和供应链 188 光子学和射频应用的 InP 供应链和商业模式 主要参与者和格局 不同地理区域主要晶圆和外延片参与者的映射 InP 裸片市场份额 打开 InP 外延片市场份额 InP 晶圆市场份额 公司简介：II-V、Lumentum、LandMark、Sumitomo、AXT、InPact、Denselight、Smart Photonics 5) InP 技术趋势 215 器件 • 基于 InP 的器件概览：光子学、集成 SiPh 和 PIC 和 RF 器件 外延 • 外延生长方法 • 关注 DFB 外延生长 • 讨论外延要求 晶圆 • InP 晶体生长方法 • 晶圆精加工 • 基板尺寸和类型 6) 展望 286 总结 7) 附录 291 8) Yole 集团公司介绍
小像素低增益雪崩探测器 (LGAD)
埋层 GL 又是一个位于外延层内一定深度的 +p+ 结。GL 是在外延生长过程中获得的。通过分级外延形成的 GL 还应避免与注入产生的外延缺陷相关的问题。已经确定了一家代工厂，并讨论了技术方面的问题。已经提供了购买 6' 晶圆的报价。
直流磁控溅射制备单晶 CoCrFeNi 薄膜：高熵合金表面研究的途径
高熵合金 (HEA) 具有几乎无限数量的可能成分，引起了材料科学的广泛关注。除了耐磨和耐腐蚀涂层之外，它们作为可调电催化剂的应用最近也成为关注的焦点。另一方面，HEA 表面的基本特性，如原子和电子结构、表面偏析和扩散以及 HEA 表面的吸附，却鲜有探索。研究的缺乏是由于单晶样品的可用性有限。在本研究中，报道了面心立方 (fcc) CoCrFeNi 薄膜在 MgO(100) 上的外延生长。通过 X 射线衍射 (XRD)、能量色散 X 射线光谱 (EDX) 和透射电子显微镜 (TEM) 对其表征表明，具有均匀且接近等摩尔元素组成的层沿 [100] 方向取向并与它们形成突变界面的基材对齐。采用 X 射线光电子能谱 (XPS)、低能电子衍射 (LEED) 和角分辨光电子能谱研究 CoCrFeNi(100) 的化学成分和原子及电子结构。结果表明，外延生长的 HEA 膜有可能填补样品间隙，从而可以对整个成分空间内明确定义的 HEA 表面的性质和过程进行基础研究。
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
重复使用 存放在 White Rose Research Online 中的项目受版权保护，保留所有权利，除非另有说明。您可以下载和/或打印这些项目用于个人学习，或国家版权法允许的其他行为。出版商或其他权利持有人可能允许进一步复制和重复使用全文版本。这由 White Rose Research Online 记录中该项目的许可信息指示。
补充材料：非线性波导阵列中的可调生成空间纠缠
由GAAS底物上的分子束外延生长的外延结构由6个周期Al 0组成。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 445 GA 0。55作为核心和4个周期Al 0。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 475作为Bragg反射器（上镜）。两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式（s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。4