XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System外延生长
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
IEEE WCCI 2024美国第七加加加加加加批
美国第7届氧化甲壳虫研讨会（GOX 2024）将于2024年8月5日至7日在俄亥俄州哥伦布的俄亥俄州立大学校园举行。在这个快速前进的领域中，该研讨会为报告材料，设备和电路开发的最新进展提供了一个首要平台，并确定了主要的科学差距。目的是在政府，行业和学术界建立可行的协调，以实现该领域的快速过渡技术。将没有书面程序来促进一个友好而刺激的环境，以在国内和国际GA2O3研究小组的参与者之间进行科学讨论。与会者可以期望主题，包括但不限于：批量和外延生长，理论/建模/仿真，设备和电路的进步，材料表征和新颖性能，热管理，电热管理，电热共同设计和异质结构。
扫描显微镜 - DigitalCommons@USU
介绍了在惰性气氛下通过扫描隧道显微镜 (STM) 沉积和成像分子的方法和装置。评估了三种应用分子的方法：气相平衡吸附、升华和电喷涂。利用这些方法，各种有机和生物聚合物分子可以沉积在石墨和在云母上外延生长的金 (111) 上并成像。与使用高真空设备或手套箱等替代方案相比，这些程序具有一些重要优势：它们便宜、方便、更快捷。当将巯基乙醇、乙醇胺、乙醇、乙酸和水以蒸汽形式引入扫描室时，它们会在金基底上产生二维晶体吸附层。据推测，这些吸附层涉及分子与表面形成的金氧化物之间的氢键合。将蛋白质溶液电喷雾到金表面可获得单个蛋白质分子的图像，其横向尺寸接近 X 射线分析测量的尺寸，厚度为 0.6-1.3 纳米。对于金属硫蛋白，可以重现观察到已知的分子内部结构域。在所检查的其他示例中，无法解析详细的内部结构。
用于量子光机电的具有高品质因子的纳米机械晶体 AlN 谐振器
高品质因数 ( Q m ) 机械谐振器对于需要低噪声和长相干时间的应用至关重要，例如镜面悬挂、量子腔光机械装置或纳米机械传感器。材料中的拉伸应变使得能够使用耗散稀释和应变工程技术来提高机械品质因数。这些技术已用于由非晶材料制成的高 Q m 机械谐振器，最近也用于由 InGaP、SiC 和 Si 等晶体材料制成的高 Q m 机械谐振器。表现出显著压电性的应变晶体薄膜扩展了高 Q m 纳米机械谐振器直接利用电子自由度的能力。在这项工作中，我们实现了由拉伸应变 290 nm 厚的 AlN 制成的 Q m 高达 2.9 × 10 7 的纳米机械谐振器。AlN 是一种外延生长的晶体材料，具有强压电性。利用耗散稀释和应变工程实现 Q m × fm 乘积接近 10 13 的纳米机械谐振器
用于零能边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台
由于光刻图案化沉积石墨烯中普遍存在边缘无序，以及缺乏新的电子学范式，石墨烯最初有望取代硅，但这一希望落空了。本文我们证明了在碳化硅衬底（外延石墨烯）上外延生长的传统图案化石墨烯中的退火边缘由衬底稳定，并支持受保护的边缘状态。边缘状态的平均自由程大于 50 微米，比本体状态大 5000 倍，并且涉及理论上意想不到的马约拉纳类零能量非简并准粒子，该准粒子不会产生霍尔电压。在无缝集成结构中，边缘状态形成零能量一维弹道网络，在带带结处具有基本无耗散的节点。无缝器件结构提供了各种切换可能性，包括低温下的量子相干器件。这使得外延石墨烯成为技术上可行的石墨烯纳米电子学平台，有可能取代硅纳米电子学。
通过石墨烯插入在原子薄量子旋转厅绝缘子中实现环境稳定性
半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene，含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子，其微米尺度的SIC上的显式外延生长（0001）使其在技术上具有相关性。然而，它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里，我们表明，将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中，可以有效地保护氧化环境，同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域，启动单层量子旋转厅绝缘子，以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
通过原子/分子层沉积研究对苯二甲酸铜金属有机骨架薄膜的气相合成
无溶剂合成和加工金属有机骨架 (MOF) 对于将这些材料应用于应用技术至关重要。MOF 薄膜的气相合成特别适合此类应用，但与传统的基于溶液的方法相比具有挑战性。因此，推进和扩大 MOF 薄膜的气相合成势在必行。结晶对苯二甲酸铜 MOF 薄膜通过原子和分子层沉积 (ALD/MLD) 在不同种类的基底上以气相生长。从先驱工作扩展而来，首次清楚地证明了 3D 相的形成，并揭示了该工艺对多种基底的适应性。在 ALD/MLD 工艺的早期阶段观察到定向膜生长，导致表面上取向的 MOF 晶体，当随着 ALD/MLD 循环次数的增加而进行各向同性生长时。值得注意的是，这项研究主要展示了使用具有晶格匹配拓扑的 DMOF-1 单晶作为起始表面，在气相中实现异质外延生长。这种方法为在气相中开发 MOF 超晶格材料提供了一种有吸引力的途径。
用于垂直堆叠 R/G/B 微型 LED 像素的先进外延
异质集成中一种突出的方法是基于转移的组装，其涉及去除由不同批次和工序制成的外延层。[5] 但这种方法在高密度器件集成方面面临障碍。首先，传统的外延生长将外延层器件紧密结合到基板上。分离它们通常需要高功率激光或化学蚀刻剂，这可能会损坏基板和外延层。这种风险限制了器件性能和产量。[6] 此外，在转移和组装阶段，必须将不同的功能器件分割成微小的芯片。这对于将它们准确转移和组装到高密度器件阵列的目标表面或基板上至关重要。在这个芯片键合过程中，即使是轻微的错位也会破坏器件与其底层电路之间的连接。这些困难不仅会增加微型和微型发光二极管 (μLED) 显示器等产品的生产成本，而且在制造高密度垂直堆叠器件时也带来了重大挑战。这种复杂性对于生产高分辨率显示器尤其重要，例如增强现实（AR）或元宇宙设备以及异质集成电子产品中使用的显示器。
引文：YM Zhang, ZJ Wang, JH Feng, SQ Ming, FR Qu, Y Xia, M He, ZM Hu, 和 J Wang，大面积 2D W 的合成和电磁输运
二维拓扑绝缘体又称量子自旋霍尔绝缘体，具有受拓扑结构保护的边缘态[1]。由于该通道可支持无耗散电子传输，有望实现下一代低损耗电子器件，得到了广泛的研究[2−4]。自2006年起，斯坦福大学Zhang团队预言在HgTe/CdTe量子阱中存在量子自旋霍尔效应(量子自旋霍尔效应，QSH)[5]。次年，维尔茨堡大学物理研究所Molenkamp团队的实验证实了这一点[6]。研究人员进行了大量的理论预测和实验探索，以寻找更加实用的天然QSH材料[7−9]。与复杂量子阱结构相比，天然QSH材料在样品制备和异质结器件构筑方面更具有优势。但在天然单层二维体系中实现QSH效应仍然十分困难，自上而下的机械剥离法和自下而上的外延生长法是成功制备单层QSH材料的两种常用方法。
可扩展的脉冲激光沉积钙钛矿太阳能电池的透明后电极
脉冲激光沉积（PLD）是一种具有复杂化学计量的薄膜，在成功制造高温超级导管（HTS）以薄膜形式的高温制造后，它引起了很大的研究注意。[1]从那时起，PLD主要用于与晶格匹配底物上多元化合物氧化物外延生长有关的应用，但尚未在光伏（PV）社区中进行探索。尽管在2000年代初通过PLD制造了高度导电的TCO，并通过PLD制造，并在OLEDS [2,3]中成功实现，但关于PV设备中PLD生长的触点的应用仍然很少。文献报道包括用于CIGS [4]的掺杂的ZnO膜和有机的太阳能电池和金属氧化物传输层用于卤化物钙钛矿太阳能电池。[6]此外，已经提出了PLD用于硫化葡萄糖剂吸收剂[7,8]，最近，对于卤化物钙钛矿吸收剂层。[9,10]