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World File Search System外延缺陷
小像素低增益雪崩探测器 (LGAD)
埋层 GL 又是一个位于外延层内一定深度的 +p+ 结。GL 是在外延生长过程中获得的。通过分级外延形成的 GL 还应避免与注入产生的外延缺陷相关的问题。已经确定了一家代工厂，并讨论了技术方面的问题。已经提供了购买 6' 晶圆的报价。
研究Ni/Au和Pt/...
1。简介：尤其是氮化物的独特固有特性，尤其是甘恩捕获了未来MM - 波应用的半导体市场[1]。表现出高载体迁移率以及高饱和速度的能力，使基于GAN的设备适合MM - 波动应用[2]。所声称的基于GAN的设备的明显高性能[3] [4]实际上取决于各种因素。这些包括EPI - 层堆栈的质量[5] [6]，以及针对欧米克和肖特基触点实施的质量和金属方案[7] [8]。EPI - 层工程专注于最大程度地减少晶界和外延缺陷，以提高RF性能[6] [9]。另一方面，欧姆金属工程专门集中于降低接触电阻，以兼容高速操作[7] [10]，而不是Schottky接触工程，该联络工程具有特定的目标，可以实现下门