LaAlO 3 /SrTiO 3 和 LaTiO 3 /SrTiO 3 异质结构表现出由电子密度控制的复杂相图。 [1,2] 虽然系统在低密度下处于弱绝缘状态,但当通过静电门控(采用背栅、侧栅或顶栅结构)添加电子时,就会出现超导性[1,3,4](图1)。当载流子密度(n 2D)增加时,超导 T c 升至最大值 c max T ≈ 300 mK,然后随着掺杂的进一步增加而降低。由此产生的圆顶状超导相图类似于在其他超导体家族中观察到的相图,包括高 T c 铜酸盐、Fe 基超导体、重费米子和有机超导体。 [5,6] 在氧化物界面相图中,普遍观察到两个明显的掺杂点:低密度下的量子临界点 (QCP),它将弱绝缘区与超导区分开;最佳掺杂下的最大临界温度点 (c max T),它定义了欠掺杂区与过掺杂区之间的边界。尽管进行了大量研究,但对这两个点的起源尚无共识。在 LaAlO 3 /SrTiO 3 异质结构中,电子
涡旋和束缚态是理解超导体电子特性的有效方法。最近,在新发现的 kagome 超导体 CsV3Sb5 中观察到了表面相关的涡旋核心态。虽然尖锐的零能量电导峰的空间分布看起来与来自超导狄拉克表面态的马约拉纳束缚态相似,但其起源仍然难以捉摸。在本研究中,我们利用低温扫描隧道显微镜/光谱法对两种化学掺杂的 kagome 超导体 Cs(V1xTrx)3Sb5 (Tr=Ta 或 Ti) 中的可调涡旋束缚态 (VBS) 进行了观测。与原始的 CsV3Sb5 相反,CsV3Sb5 衍生的 kagome 超导体表现出全间隙配对超导性,同时没有长程电荷序。零能量电导图表明涡旋晶格发生了场驱动的连续重新取向转变,表明存在多带超导性。Ta掺杂的CsV3Sb5表现出Caroli-de Gennes-Matricon束缚态的常规十字形空间演化,而Ti掺杂的CsV3Sb5表现出尖锐的、非分裂的零偏压电导峰(ZBCP),该峰在涡旋的长距离上持续存在。非分裂ZBCP的空间演化对表面效应和外部磁场具有鲁棒性,但与掺杂浓度有关。我们的研究揭示了多带化学掺杂CsV3Sb5系统中可调谐的VBS,并为先前报道的kagome超导体表面非量子极限条件下的Y形ZBCP提供了新的见解。2024年中国科学出版社。由爱思唯尔和中国科学出版社出版。版权所有。
