1北京国家冷凝物理物理学和物理研究所,中国科学院,北京学院,北京100190,中国2个物理科学学院,中国科学院北京大学100190,中国北京大学研究所3郑州大学物理与微电子学,郑州450052,中国5量子材料与物理研究所,亨南科学学院,郑州450046,中国6号国家主要实验室,用于低二重要量子物理学,物理学部,纽约州,纽约大学,北方划分。田纳西州里奇37831,美国8材料科学技术部,橡树岭国家实验室,田纳西州橡树岭37831,美国
通过将我们的热管理生长工艺与世界一流的光学制造设施相结合,Coherent Advanced Materials 可以提供激光加工、光学抛光的热材料,以满足弯曲、翘曲和表面粗糙度规格,从而确保与您的高功率设备实现最佳热接触。除了生长和制造之外,我们的员工还随时准备通过使用内部计量技术(例如灯闪光热扩散率测量和 SEM)以及热模型与客户合作,以设计特定应用的解决方案。
摘要近年来,范德华(Van der Waals)材料中表面声子极地(SPHP)的激发受到了纳米光子学界的广泛关注。alpha相钼三氧化物(α-MOO 3),一种天然存在的双轴双曲晶体,由于其在不同波长带的三个正交指导下支持SPHP的能力(范围10-20 µM),因此出现是一种有前途的极性材料。在这里,我们报告了大面积(超过1 cm 2尺寸)的制造,结构,形态和光学IR表征,α -moo 3多晶膜通过脉冲激光沉积沉积在熔融二氧化硅底物上。由于随机晶粒分布,薄膜在正常发生率下未显示任何光学各向异性。但是,提出的制造方法使我们能够实现单个α相,从而保留与α -moo 3片的语音响应相关的典型强分散体。报告了IR光子学应用的显着光谱特性。例如,在1006 cm -1处具有极化的反射峰,动态范围为∆ r = 0.3,共振Q因子在45°的入射角下观察到高达53的共振Q。此外,我们报告了SIO 2底物的阻抗匹配条件的实现,从而导致独立于极化的几乎完全完美的吸收条件(R <0.01)在972 cm-1处,该条件可维持以较大的入射角维持。在此框架中,我们的发现似乎非常有前途的,对于使用远场检测设置,用于有效和大规模的传感器,滤镜,过滤器,热发射器和无标签的生物化学传感设备,用于进一步开发无IR线印刷膜,可扩展的膜,用于高效和大规模的传感器,过滤器,热发射器和无标签的生化感应设备。
开发了一种新的基于物理的模型,该模型可以准确预测从温度限制 (TL) 到全空间电荷限制 (FSCL) 区域的热电子发射发射电流。对热电子发射的实验观测表明,发射电流密度与温度 (J − T) (Miram) 曲线和发射电流密度与电压 (J − V) 曲线的 TL 和 FSCL 区域之间存在平滑过渡。了解 TL-FSCL 转变的温度和形状对于评估阴极的热电子发射性能(包括预测寿命)非常重要。然而,还没有基于第一原理物理的模型可以预测真实热电子阴极的平滑 TL-FSCL 转变区域,而无需应用物理上难以证明的先验假设或经验现象方程。先前对非均匀热电子发射的详细描述发现,3-D空间电荷、贴片场(基于局部功函数值的阴极表面静电势不均匀性)和肖特基势垒降低的影响会导致从具有棋盘格空间分布功函数值的模型热电子阴极表面到平滑的TL-FSCL过渡区域。在这项工作中,我们首次为商用分配器阴极构建了基于物理的非均匀发射模型。该发射模型是通过结合通过电子背散射衍射(EBSD)获得的阴极表面晶粒取向和来自密度泛函理论(DFT)计算的面取向特定的功函数值获得的。该模型可以构建阴极表面的二维发射电流密度图和相应的 J-T 和 J-V 曲线。预测的发射曲线与实验结果非常吻合,不仅在 TL 和 FSCL 区域,而且在 TL-FSCL 过渡区域也是如此。该模型提供了一种从商用阴极微结构预测热电子发射的方法,并提高了对热电子发射与阴极微结构之间关系的理解,这对真空电子设备的设计大有裨益。
许多常见的晶体结构可以用单个(或极少数)重复的结构模式(“单态结构”)来描述,例如立方卤化物钙钛矿中的八面体。有趣的是,最近积累的证据表明,基于这种从 X 射线衍射获得的宏观平均单态立方(Pm-3m)卤化物钙钛矿的电子结构计算与实验结果存在有趣的偏差。这些偏差包括系统性地太小的带隙、由电子主导的介电常数、合金的负混合焓以及与测量的对分布函数的显著偏差。我们在此表明,通过密度泛函理论最小化系统 T = 0 内部能量会揭示不同低对称局部模式的分布,包括倾斜、旋转和 B 原子位移(“多态网络”)。只有当允许大于最小晶胞尺寸且不几何排除低对称模式时,才会发现这种情况。随着(超)晶胞尺寸的增加,能量相对于单晶胞会降低,在包含约 32 个公式单位(⩾ 160 个原子)后稳定下来。作为无熵内部能量的非热能最小化的结果,这组相关的位移必须代表底层化学键合(孤对键合)所偏好的固有几何形状,因此其起源与分子动力学建模的正常动态热无序不同。事实上,多晶网络,而不是单晶拟设,是高温热扰动发展的核心结构。新出现的物理图像是多晶网络具有高对称性的平均结构,但局部结构基序具有低对称性。我们发现,与单晶网络相比,多晶网络的预测总能量明显较低、带隙较大、介电常数以离子为主,并且与观察到的对分布函数更为吻合。类似的多态情况见于一些立方氧化物钙钛矿的顺电相中,其中局部极化在卤化物钙钛矿中起局部位移的作用;也见于一些 3 d 氧化物的顺磁相中,其中局部自旋配置起着作用。
固体中的多态性(及其扩展形式——伪多态性)在矿物学、晶体学、化学/生物化学、材料科学和制药工业中普遍存在。尽管控制(伪)多态性困难,但实现特定的(伪)多态性相和相关的边界结构是提高材料在能量转换和机电应用方面性能的有效途径。本文将伪多态相 (PP) 概念通过 CuBr 2 掺杂应用于热电铜硫化物 Cu 2- x S (x ≤ 0.25)。在 Cu 1.8 S + 3 wt% CuBr 2 中,在 773 K 时获得了 1.25 的峰值 ZT 值,比原始 Cu 1.8 S 样品高 2.3 倍。原子分辨率扫描透射电子显微镜证实了原始 Cu 1.8 S 低辉绿岩转变为 PP 工程化高辉绿岩,以及不同 PP 之间形成 (半) 相干界面,这有望增强声子散射。结果表明,PP 工程是提高 Cu-S 化合物热电性能的有效方法。预计它在其他材料中也会有用。
在决定其组装行为中起着关键作用,基于各种形状的NP构建块可以制备出各种复杂的类似超结构,如晶体、塑性晶体和液晶。13 – 26 作为一个显著的例子,四面体最近被证明可以形成各种组装体,包括一维手性四螺旋、二维准晶体和三维基于簇的体心立方单超晶体。27 – 30 尽管在非球形NP方面投入了大量精力,但对具有特殊几何形状的各向异性NP进行系统的自组装研究仍然很少。哑铃在几何上由两个叶组成,由中间的杆连接,这是NP二聚体的最粗糙模型和最简单的非凸体。哑铃中部区域的扩大头部提供了额外的空间排斥力,以限制它们沿某些方向的组装,使它们成为自组装研究的有趣构建块。31 – 36 理论计算预测对称哑铃可以选择性地诱导取向无序退化晶体、人字形晶体和有序斜晶格晶体的形成。33,37 – 40 还进行了实验演示,包括金 ND 的平行排列和十字形二聚体,41,42 外部场下 ND 的受控取向,35,43 – 46 和
哺乳动物脑中的神经元不限于释放单个神经递质,而是通常将神经递质的神经递质释放到突触后细胞上。在这里,我们回顾了整个哺乳动物中枢神经系统中发现的多晶月神经元的最新发现。我们重点介绍了最新的技术创新,这些创新使新的多晶镜神经元及其突触特性的研究成为可能。我们还专注于轴突末端和突触囊泡上神经递质corelease所需的机制和分子成分,以及多种晶状体神经元在多种脑电路中的一些可能功能。我们期望这些方法将导致对多晶镜神经元的机制和功能的新见解,它们在电路中的作用以及它们对正常和病理大脑功能的贡献。
研究了后退火对蓝宝石衬底上日盲多晶氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 紫外光电探测器的物理和电学性能的影响。随着后退火温度 (PAT) 从 800 °C 升高到 1000 °C,多晶 Ga 2 O 3 的晶粒尺寸变大,但随着 PAT 进一步升高到 1100 °C,晶粒尺寸变小。随着 PAT 的增加,在蓝宝石上的 Ga 2 O 3 的透射光谱的吸收带边缘发生了蓝移,这是由于蓝宝石衬底中的 Al 掺入 Ga 2 O 3 中形成 (Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 造成的。高分辨率X射线衍射和透射光谱测量表明,1100°C退火后的(Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 的取代Al组分和带隙分别可以达到0.30和5.10 eV以上。1000°C退火样品的R max 与沉积态器件相比提高了约500%,且1000°C退火样品的上升时间和下降时间较短,分别为0.148 s和0.067 s。这项研究为多晶Ga 2 O 3 紫外光电探测器的制作奠定了基础,并找到了一种提高响应度和响应速度的方法。