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World File Search System多晶硅
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
多晶硅，一项分子动力学研究
我们如何利用经典的分子动力学模拟来模拟和分析控制多晶硅沉积参数对沉积多晶硅膜结构的影响的现象和机制。多晶硅膜的晶粒形状和大小、结晶度、晶粒边界结构和应力取决于生长温度、生长膜中的温度分布、沉积通量、通量变化以及由于沉积通量而传递到膜表面的能量。主要结果包括：（i）沉积的多晶硅薄膜的结晶度分布对应力、温度和沉积流不同参数的依赖性，（ii）沉积初期的生长模式，（iii）多晶硅薄膜沉积初期种子晶粒的相互作用和稳定性以及从孤立晶粒生长到多晶硅生长的过渡，（iv）不同硅相的温度、结晶度、晶体形状和热导率的相互作用，（v）描述了晶粒生长的四个不同阶段：成核、生长、消失和延迟。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
签订半导体多晶硅事业合资协议（设立合资公司）...
我们正在投入管理资源来扩大我们的业务并促进国际扩张。此次合资项目正是这样的一项举措。预计今后随着半导体市场的扩大，多晶硅的需求也将增加，我们与OCI成立合资公司，构建利用清洁能源的半导体用多晶硅的生产和供应体制，在抑制二氧化碳排放量增加的同时，加速扩大电子领域的事业。
多晶硅中的压力诱导超导性...
高温超导体由于其在变革性技术应用方面的巨大潜力，一直处于科学探索的前沿。铜酸盐高温超导体 [1,2] 的突破性发现（通过掺杂具有强电子关联的莫特绝缘体可实现超导 [3,4]）在过去的几十年中激发了人们的无数努力，以揭示其机制并寻找更多具有高 T c 的超导家族。具有 Ni +（3 d 9 ）电子结构的镍酸盐与铜酸盐在结构和电子方面具有惊人的相似性，为发现新的高温超导体提供了一条诱人的途径。然而，直到 2019 年，无限层 Nd 1-x Sr x NiO 2 薄膜被发现具有 T c 约 9-15 K 的超导性 [5]，才在镍酸盐中实验实现超导。此后，人们致力于寻找更多具有更高 T c 的镍酸盐超导体 [6,7]。后来研究表明，在 12.1 GPa 下，Pr 0.82 Sr 0.18 NiO 2 薄膜的 T c 可以提高到 30 K 以上 [8]。然而，在镍酸盐薄膜中观察到的超导性在块体样品中不再出现 [9]。
基于多晶硅波导的光学温度传感器
摘要：传统温度检测在传感精度和响应时间方面存在局限性，而基于热光效应的芯片级光电传感器可以提高测量灵敏度并降低成本。本文介绍了基于多晶硅（p-Si）波导的片上温度传感器，展示了双微环谐振器（MRR）和非对称马赫-曾德尔干涉仪（AMZI）传感器。实验结果表明，基于AMZI和MRR的传感器的灵敏度分别为86.6 pm/K和85.7 pm/K。本文提出的温度传感器与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造技术兼容。得益于高灵敏度和紧凑的占地面积，这些传感器在光子电子应用领域显示出巨大的潜力。
ATLAS 内跟踪器硅条传感器中多晶硅电阻器随温度、辐照前后的变化特性
a 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2, 18221 Prague 8，捷克共和国 b 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2, Prague, CZ18000，捷克共和国 c 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 d 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），Campus UAB-Bellaterra，08193 Barcelona，西班牙 e 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedr´atico Jos´e Beltr´an 2, E-46980 Paterna，瓦伦西亚，西班牙 f 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 Ljubljana，斯洛文尼亚 g加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，美国加利福尼亚州 95064 h 西蒙弗雷泽大学物理系，加拿大不列颠哥伦比亚省本那比市 8888 University Drive V5A 1S6 i TRIUMF，加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市 4004 Wesbrook Mall V6T 2A3 j 筑波大学纯粹与应用科学研究所，日本茨城县筑波市 Tennodai 1-1-1 305-8571 k 多伦多大学物理系，加拿大安大略省多伦多市 Saint George St. 60 M5S1A7 l 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，日本茨城县筑波市 Oho 1-1 305-0801
ATLAS 内轨硅条传感器中多晶硅电阻的特性——辐射前后的温度函数
1 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2，18221 布拉格 8，捷克共和国 2 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2，布拉格，CZ18000，捷克共和国 3 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 4 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），UAB-Bellaterra 校区，08193 巴塞罗那，西班牙 5 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedrático José Beltrán 2，E-46980 帕特尔纳，瓦伦西亚，西班牙 6 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 卢布尔雅那，斯洛文尼亚 7 圣克鲁斯大学粒子物理研究所 (SCIPP)加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，CA 95064，美国 8 TRIUMF，4004 Wesbrook Mall，温哥华，BC V6T 2A3，加拿大 9 西蒙弗雷泽大学物理系，8888 University Drive，本那比，BC V5A 1S6，加拿大 10 筑波大学纯粹与应用科学研究所，1-1-1 Tennodai，筑波，茨城 305-8571，日本 11 多伦多大学物理系，60 Saint George St.，多伦多，安大略省 M5S1A7，加拿大 12 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，1-1 Oho，筑波，茨城 305-0801，日本 ∗ 主要作者，电子邮件：vera.latonova@cern.ch，† 替补演讲人，电子邮件：jiri.kroll@cern.ch
多晶硅市场的现代阶段
分析了世界半导体和多晶硅 (poly-Si) 市场的现状和前景。长期的低 PS 价格阻碍了行业投资的增长，现在价格已经恢复到具有投资吸引力的水平。分析了 2024 年及长期的供需平衡，并回顾了目前使用的主要 PS 工艺。预计目前的多晶硅市场能力将在近期和中期内保持不变。然而，各国政府宣布的能源行业“绿色转型”、本地市场的发展以及价格恢复到具有投资吸引力的水平，促进了新 PS 工厂项目的发展。对俄罗斯来说，选择西门子三氯硅烷工艺参数尤为重要。俄罗斯市场的一个特点是存在几个非常重要的领域（太阳能、微电子、大功率电子、光子学和光纤），这些领域按国际标准来看规模较小，同样面临原材料短缺。看来，俄罗斯将从提供多种原材料供应问题解决方案的综合项目中受益匪浅。