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World File Search System多晶硅
多晶硅发射极双极晶体管
由于高发射极掺杂的影响，传统发射极双极晶体管的电流增益受到限制。理论上，通过使用非常小的基极宽度和高发射极掺杂密度，传统发射极晶体管可以获得更高的增益。然而，增加发射极掺杂会降低带隙并增加少数载流子复合 [1]。结果是发射极注入效率降低，电流增益没有实际改善 [2]。增加发射极掺杂还会产生有害影响，降低发射极-基极击穿电压 (BVebo) 并增加发射极-基极结电容 [3]。与传统发射极相关的另一个问题是缩放。当发射极结深度低于 0.2 微米时，少数载流子扩散长度变得大于发射极，这进一步降低了电流增益 [4]。使用多晶硅作为发射极是避免这些问题的一种方法。
多晶硅市场的现代阶段
分析了世界半导体和多晶硅 (poly-Si) 市场的现状和前景。长期的低 PS 价格阻碍了行业投资的增长，现在价格已经恢复到具有投资吸引力的水平。分析了 2024 年及长期的供需平衡，并回顾了目前使用的主要 PS 工艺。预计目前的多晶硅市场能力将在近期和中期内保持不变。然而，各国政府宣布的能源行业“绿色转型”、本地市场的发展以及价格恢复到具有投资吸引力的水平，促进了新 PS 工厂项目的发展。对俄罗斯来说，选择西门子三氯硅烷工艺参数尤为重要。俄罗斯市场的一个特点是存在几个非常重要的领域（太阳能、微电子、大功率电子、光子学和光纤），这些领域按国际标准来看规模较小，同样面临原材料短缺。看来，俄罗斯将从提供多种原材料供应问题解决方案的综合项目中受益匪浅。
多晶硅，一项分子动力学研究
我们如何利用经典的分子动力学模拟来模拟和分析控制多晶硅沉积参数对沉积多晶硅膜结构的影响的现象和机制。多晶硅膜的晶粒形状和大小、结晶度、晶粒边界结构和应力取决于生长温度、生长膜中的温度分布、沉积通量、通量变化以及由于沉积通量而传递到膜表面的能量。主要结果包括：（i）沉积的多晶硅薄膜的结晶度分布对应力、温度和沉积流不同参数的依赖性，（ii）沉积初期的生长模式，（iii）多晶硅薄膜沉积初期种子晶粒的相互作用和稳定性以及从孤立晶粒生长到多晶硅生长的过渡，（iv）不同硅相的温度、结晶度、晶体形状和热导率的相互作用，（v）描述了晶粒生长的四个不同阶段：成核、生长、消失和延迟。
用于先进低温多晶硅技术的...
由于驱动电路占整个面板成本的 5-30%，因此单片集成尤为重要。直接在玻璃上制造驱动器，省去了传统的驱动器“安装”和“封装”步骤，简化了模块的组装，并大幅降低了模块组装设备成本。因此，组装产量增加，而且由于需要的外部互连更少，面板工艺产量和可靠性也得到提高。一旦建立了可靠、成熟的 LPS 工艺，人们就可以设想不仅集成 CMOS 驱动器，而且还集成一系列其他元素（控制器、内存、特定 IC）。有了这些，面板本身就变成了系统，引领夏普长期以来设想并积极追求的 SOP（面板系统）概念时代到来。
基于多晶硅波导的光学温度传感器
摘要：传统温度检测在传感精度和响应时间方面存在局限性，而基于热光效应的芯片级光电传感器可以提高测量灵敏度并降低成本。本文介绍了基于多晶硅（p-Si）波导的片上温度传感器，展示了双微环谐振器（MRR）和非对称马赫-曾德尔干涉仪（AMZI）传感器。实验结果表明，基于AMZI和MRR的传感器的灵敏度分别为86.6 pm/K和85.7 pm/K。本文提出的温度传感器与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造技术兼容。得益于高灵敏度和紧凑的占地面积，这些传感器在光子电子应用领域显示出巨大的潜力。
多晶硅中的压力诱导超导性...
高温超导体由于其在变革性技术应用方面的巨大潜力，一直处于科学探索的前沿。铜酸盐高温超导体 [1,2] 的突破性发现（通过掺杂具有强电子关联的莫特绝缘体可实现超导 [3,4]）在过去的几十年中激发了人们的无数努力，以揭示其机制并寻找更多具有高 T c 的超导家族。具有 Ni +（3 d 9 ）电子结构的镍酸盐与铜酸盐在结构和电子方面具有惊人的相似性，为发现新的高温超导体提供了一条诱人的途径。然而，直到 2019 年，无限层 Nd 1-x Sr x NiO 2 薄膜被发现具有 T c 约 9-15 K 的超导性 [5]，才在镍酸盐中实验实现超导。此后，人们致力于寻找更多具有更高 T c 的镍酸盐超导体 [6,7]。后来研究表明，在 12.1 GPa 下，Pr 0.82 Sr 0.18 NiO 2 薄膜的 T c 可以提高到 30 K 以上 [8]。然而，在镍酸盐薄膜中观察到的超导性在块体样品中不再出现 [9]。
玻璃上 14 μm 多晶硅效率达 15%
液相结晶硅 (LPC-Si) 是一种自下而上的太阳能电池制造方法，有可能避免晶圆切片技术中的材料损失和能源使用。本文使用线形能源（即激光）结晶所需厚度的硅（5 – 40 μ m）。第一部分报告了优化非晶硅接触层以实现更好的表面钝化的努力。第二部分介绍电子接触上的激光环。它通过创建低电阻接触实现电荷收集和填充因子 (FF) 之间的可控权衡，同时在其他区域保留 a-Si:H (i) 钝化。观察到短路电流密度 (J SC ) 高达 33:1 mA cm 2 ，超过了该技术之前报告的所有值。开路电压 (V OC ) 高达 658 mV，也超过了之前在低体掺杂浓度 (1 10 16 cm 3 ) 下公布的所有值。激光环将 J SC 降低了 0.6 mA cm 2
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
签订半导体多晶硅事业合资协议（设立合资公司）...
我们正在投入管理资源来扩大我们的业务并促进国际扩张。此次合资项目正是这样的一项举措。预计今后随着半导体市场的扩大，多晶硅的需求也将增加，我们与OCI成立合资公司，构建利用清洁能源的半导体用多晶硅的生产和供应体制，在抑制二氧化碳排放量增加的同时，加速扩大电子领域的事业。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。