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World File Search System多晶硅
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
2023 财年管理简报演示
▶ 本次事业计划与OCI共同生产半导体用多晶硅（设立联合生产公司，生产能力约1万吨/年） ▶ 多晶硅商品化的品质保证及销售将由两家公司独立进行 ▶ 联合生产公司预计利用水力发电
杨氏模量、泊松比的测量，以及……
多晶硅拉伸试样在北卡罗来纳州微电子中心 (MCNC) 制造，并在约翰霍普金斯大学应用物理实验室进行测试准备。MCNC 的 DARPA 支持的多用户 MEMS 工艺 (MUMP) 是制造表面微机械设备常用的典型工艺。两层多晶硅用于形成 MEMS 设备的结构元件。多晶硅层由磷硅酸盐玻璃 (PSG) 牺牲层隔开，并通过一层氮化硅与支撑硅基板隔离。最后的金属层定义了设备的电触点。当设备制造完成后，PSG 层会溶解在蚀刻溶液中以释放机械结构。
解决清洁能源领域的现代奴隶制问题。......
中国坚决否认这些指控。11 但是，对涉案工厂进行独立审计是不可能的。 在缺乏独立审计的情况下，现有证据表明，在新疆生产的任何太阳能电池，或包含在该地区生产的多晶硅的产品，都存在很大的风险，即涉及强迫劳动。 美国政府已将来自中国的多晶硅列为有理由相信由童工/强迫劳动生产的材料，12 并将其列为《维吾尔族强迫劳动预防法》下海关执法的重点行业。13 全球多晶硅很大一部分产自新疆，这意味着强迫劳动进入澳大利亚太阳能产业供应链的风险很大。
ATLAS 内跟踪器硅条传感器中多晶硅电阻器随温度、辐照前后的变化特性
a 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2, 18221 Prague 8，捷克共和国 b 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2, Prague, CZ18000，捷克共和国 c 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 d 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），Campus UAB-Bellaterra，08193 Barcelona，西班牙 e 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedr´atico Jos´e Beltr´an 2, E-46980 Paterna，瓦伦西亚，西班牙 f 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 Ljubljana，斯洛文尼亚 g加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，美国加利福尼亚州 95064 h 西蒙弗雷泽大学物理系，加拿大不列颠哥伦比亚省本那比市 8888 University Drive V5A 1S6 i TRIUMF，加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市 4004 Wesbrook Mall V6T 2A3 j 筑波大学纯粹与应用科学研究所，日本茨城县筑波市 Tennodai 1-1-1 305-8571 k 多伦多大学物理系，加拿大安大略省多伦多市 Saint George St. 60 M5S1A7 l 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，日本茨城县筑波市 Oho 1-1 305-0801
纳米器件与微系统技术
标准表面微加工技术的三层多晶硅工艺。大多数平面 MEMS 元件都是使用此技术制造的。在 MUMP 技术中，多晶硅作为微系统技术传感器和执行器元件的结构材料是合理的，因为这种材料具有良好的机械性能。特点 - 能够在一个制造过程中以较小的变化创建大量不同功能的 MEMS 元件，以及在同一基板上集成创建传感器和执行器元件以及信息处理、传输和存储元件的可能性。
伯克利 Marvell 纳米实验室
多晶硅加速计、安全气囊传感器的基础、静电驱动微电机 IC 处理的压电麦克风 世界上最小（2000 年）栅极长度晶体管（15nm） 第一个 finFET 3D 晶体管之一
庆祝希尔顿黑德工作坊成立 40 周年......
“我看着 Steve Senturia、Henry Guckel 和 Rich ard Muller 轮流介绍麻省理工学院、华盛顿大学和加州大学伯克利分校正在培育的薄多晶硅的最新特性数据，他们的总体想法是，这三家机构中的一家将接管向其他所有机构供应多晶硅图标薄膜，这样我们就可以在关键材料的共同基础上取得进展。我坐在后面，一边喝着啤酒，一边吃着爆米花，而这些先驱者们则进行了一场热烈而富有建设性的讨论。我不记得他们有什么特别的结论，但很明显，虽然在另一个技术社区中可能会发生争夺霸主地位的斗争，但这些领导者实际上正在做一件了不起的事情——寻求一种对他们所有人都有益的广泛合作。
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]