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高k电介质材料在短沟道中的性能...
摘要 — 当氧化层变薄，栅极长度变短时，MOSFET 器件中会出现短沟道效应 (SCE)。本研究的目的是寻找一种新的电介质和栅极材料来取代传统的氧化物二氧化硅 (SiO 2 ) 和多晶硅作为栅极材料。本研究的目的是研究使用不同类型的高 k 电介质材料和锗 (Ge) 作为栅极材料的 MOSFET 的性能。使用 Silvaco TCAD 工具制造和模拟 MOSFET 结构。基于电流-电压 (IV) 特性评估 MOSFET 的整体性能。结果表明，用 HfO 2 和 Ge 作为电介质和栅极材料制造的 MOSFET 具有较高的驱动电流，漏电流比传统 MOSFET 降低了 0.55 倍。因此，与 SiO 2 和多晶硅相比，MOSFET 结构中 HfO 2 和 Ge 的组合具有最佳性能，因为它在缩小器件尺寸时产生较小的漏电流和较小的 V th，从而降低 SCE。
三维微机电系统 mems ...
已经开发出一种用于制造和组装三维 MEMS 结构的新型多晶硅表面微加工技术。已成功在硅基板上制造了包含玻璃增强肋的单层多晶硅元件和层压多晶硅面板，这些面板具有坚固且连续的铰链，便于平面外旋转和组装。为了实现稳定的三维结构，该设备的其中一个可升降面板组件以一排开窗结束，而配合的可旋转元件具有一组匹配的突出微铆钉，这些微铆钉具有可弯曲的倒钩，这些倒钩易于弯曲以方便它们的连接和组装。由于微铆钉倒钩尖端之间的间距大于配合窗口中的开口，因此倒钩在穿过开窗时会向内弯曲，然后在离开窗口时展开到其原始形状，从而形成永久锁定的接头和三维结构。利用该技术已经开发出一种机械夹钳，它将用于与有可能植入人体的聚合物镜片连接并改变其焦点。将传统微电子技术与三维微动态机械元件无缝集成是微机电系统 (MEMS) 技术的突出目标之一。传统的微电子集成电路 (IC) 处理主要是二维制造技术。另一方面，许多 MEMS 微传感器和微执行器应用需要三维元件。由于 MEMS 技术是 IC 处理的延伸，因此主要挑战是实现在所有三个维度上都具有物理上较大和高分辨率特征的机械元件。大多数常见的 IC 制造工艺要么牺牲平面分辨率来换取深度，要么牺牲垂直特征尺寸来实现高平面分辨率。
新闻稿
如需了解更多信息，请联系： 瓦克化学股份有限公司 媒体关系与信息部 Karsten Werth 博士 电话+49 89 6279-1573 karsten.werth@wacker.com www.wacker.com 关注我们： 公司简介： 瓦克是一家全球性公司，其先进的特种化学产品广泛应用于从瓷砖粘合剂到计算机芯片等无数日常用品中。该公司在全球拥有 27 个生产基地、22 个技术能力中心和 48 个销售办事处。瓦克拥有约 16,400 名员工，2023 财年的年销售额约为 64 亿欧元。瓦克通过四个业务部门开展业务。瓦克有机硅和瓦克聚合物化学部门为汽车、建筑、化学、消费品和医疗技术行业提供产品（有机硅、聚合物粘合剂）。瓦克生物科技生命科学部门专门生产生物工程产品，例如生物制药和食品添加剂。瓦克多晶硅为半导体和光伏行业生产超纯多晶硅。
IEEE 光伏专家会议 (PVSC) 的太阳能和存储技术经济分析教程
晶体硅 • 多晶硅生产 • 硅锭和硅片：直拉法 (Cz)、定向凝固 (DS)、无切口技术，可生产 Cz 和 DS 等效物 • 电池转换：通过丝网印刷、电镀和无主栅技术生产单面和双面 PERC、PERT、HJT 和 IBC • 模块组装：标准接线和串接、无主栅和叠瓦
清洁能源技术：成本和价格动态
3 Wright (1936) 记录了飞机生产的累计机体数量与生产下一架飞机所需的工时数之间的对应恒定弹性关系。4 在 2010 年之前的几年里，太阳能光伏组件价格曾短暂上涨，这被广泛归因于基本原材料多晶硅的短缺。到 2010 年底，平均销售价格几乎赶上了 80% 学习曲线预测的值。
嵌入式微机械设备方法的表征 MEMS 与 CMOS 单片集成
最近，人们对将微机电系统 (MEMS) 与驱动、控制和信号处理电子设备进行单片集成的制造工艺产生了浓厚的兴趣。这种集成有望提高微机械设备的性能，并降低制造、封装和仪表化这些设备的成本，方法是将微机械设备与电子设备在同一制造和封装过程中结合起来。为了保持模块化并克服 CMOS 优先集成方法的一些制造挑战，我们开发了一种 MEMS 优先工艺。该工艺将微机械设备放置在浅沟槽中，对晶圆进行平面化，并将微机械设备密封在沟槽中。然后，在将设备嵌入沟槽后进行高温退火，然后再进行微电子加工。这种退火可以消除微机械多晶硅的应力，并确保与微电子加工制造相关的后续热处理不会对多晶硅结构的机械性能产生不利影响。然后，这些带有已完成的平面化微机械器件的晶圆被用作传统 CMOS 工艺的起始材料。该工艺的电路成品率已超过 98%。本文介绍了集成技术、该技术的改进以及器件特性的晶圆级参数测量。此外，本文还介绍了使用该技术构建的集成传感器件的性能。
深井底部宽度的无损测量...
Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离，适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50，1758–1762（2010 年）。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158（2006 年）。doi：10.1109/RELPHY.2006.251208。
分析摘要中的环境商品与服务指示性清单及与其他清单的比较
HS 2022 TESSD 列表中的良好产品 类别 SAGEA 欧盟-新西兰 新西兰-英国 854143 太阳能光伏模块/电池板 太阳能 1 1 1 854142 太阳能光伏电池 太阳能 1 1 1 381800 硅晶片 太阳能 1 1 1 280461 多晶硅 太阳能 1 1 1 841912 太阳能热水器 太阳能 1 1 1 850239 太阳能发电机组 太阳能 1 1 1 848340 变速箱 风能 1 1 1 850231 发电机 风能 1 1 1 841290 转子 风能 1 1 1 730820 塔 风能 1 1 1 730890 进水闸（水闸或首闸） 水力发电 1 1 1 280469 多晶硅太阳能 1 1 903031 监控和控制系统 太阳能 1 1 903032 监控和控制系统 太阳能 1 1 903082 监控和控制系统 太阳能 1 1 903289 智能电网技术 太阳能 1 1 850440 功率转换器 风能 1 1 853710 电气设备：面板 风能 1 1 902830 电气设备：仪表 风能 1 1 901580 气象设备/传感器 风能 1 1 854330 电解器 绿色氢能 1 1 841480 氢气压缩机 绿色氢能 1 1 850133 氢燃料电池 绿色氢能 1 1 850680 氢燃料电池 绿色氢能 1 1 841280 转子 风能 1 280410 绿色氢能 绿色氢能 1 841490 氢气压缩机 绿色氢气 1 731100 钢制容器/储罐 绿色氢气 1 850690 氢燃料电池 绿色氢气 1 761300 车载氢气罐 绿色氢气 1 382600 可再生柴油 生物燃料 1 732599 枢纽 风能 730411 管道 绿色氢气 730419 管道 绿色氢气 870899 车载氢气罐 绿色氢气
德山 - 2023 年报告
凭借着坚实的经营基础，德山开始将开发出的先进技术应用于新的产业领域。1964年，德山开始生产聚环氧丙烷，迈出了进军石油化学领域的第一步。之后，在1970年代开始生产薄膜和建筑材料，在1980年代开始生产多晶硅等电子材料以满足蓬勃发展的半导体产业的需求，以及在1980年代开始生产牙科材料和眼镜镜片材料等，进入了多个领域。这些举措为德山成长为综合化学品制造商奠定了坚实的基础。
课程 M.Tech VLSI 设计 2022-23 批次及以后
讲座总数：42 讲座分类 讲座数 1. MOS 电容器：金属-氧化物-半导体接触的能带图，操作模式：积累、耗尽、中间带隙和反转，MOS 的一维静电，耗尽近似，泊松方程的精确解，MOS 的 CV 特性，LFCV 和 HFCV，MOS 中的非理想性，氧化物固定电荷，界面电荷，中间带隙栅极电极，多晶硅接触，非均匀衬底掺杂的静电，超薄栅极氧化物和反转层量化，量子电容，MOS 参数提取