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新能源供应链：英国是否面临中国主导地位的威胁？
中国在净零排放技术所需的多种矿产加工以及中间产品和最近的最终产品生产方面都处于先行者地位，从中获益匪浅。在供应链的某些环节，中国几乎处于垄断地位（市场份额为 80-100%）：用于制造风力涡轮机和电动汽车（EV）永磁体的稀土只是一个例子；其他例子包括电池阳极生产、高质量球形石墨以及锰（也用于电池）的加工。同时，在太阳能光伏组件生产方面，中国几乎垄断了多晶硅、硅片和硅电池的生产。除此之外，这些供应链的许多其他环节的集中度也非常高（市场份额为 60-80%）。
2019 年可持续发展报告
在太阳能技术研发方面，2019年，我们开始商业化生产高效黑硅多晶PERC电池和单晶PERC P4组件，并开始量产400W以上的组件。2020年，我们的技术团队创造了23.81%的N型大面积多晶硅太阳能电池转换效率的世界纪录。创纪录的N型P5电池转换效率由德国太阳能研究所（ISFH）测试和认证。这是我们在九个月内第三次创下多晶太阳能电池转换效率的世界纪录。我们还在2020年推出了5系列和6系列组件产品，并将在2020年底量产高达590W的高功率组件。
2023 年世界太阳能技术报告
根据多位专家的预测平均值，预计到 2030 年累计太阳能部署将达到近 ~5 太瓦（2022 年 4 月突破 1 太瓦）。实现这一目标的可能性与制造供应链的实力密不可分。该供应链不仅涉及的组件，还包括组成完整光伏系统的 BoS 太阳能电池组件组件。晶体硅光伏供应链是迄今为止全球最大的，包含四个关键阶段：多晶硅、锭/晶圆、电池和组件。这些阶段的制造能力在地理上集中在中国，每个阶段至少 75% 的制造能力位于该国。相比之下，BoS 组件的制造则是分散的。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何设备更好的设备匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的设备在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更加坚固耐用。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。
双面光伏模块的性能评估...
太阳能和风能的使用是能量转化中最可靠的替代方法，该替代方案旨在减少化石燃料由于耗竭以及负面的健康和环境影响而燃烧的。en en regentics中的太阳能技术尤其引起人们的关注，主要是在无法进行的范围内具有很大的潜力[Louwen等，2016]。然而，光伏也在以温带气候条件为特征的国家中传播，其中包括[Zdyb andSzałas，2021年； Ameur等。al，2022]。报告的研究是指代表第一代和第二代光伏技术的单种模块，例如单晶和多晶硅以及薄膜CDTE和CIGS模块。双面太阳能模块的研究和描述较少，但是双面太阳能电池的历史可以追溯到
用于集成在电子集成电路上方的光子层的 CMOS 兼容沉积材料
摘要 — 近年来，硅光子学引起了越来越多的关注，主要用于微电子电路或生物传感应用中的光通信光互连。主要在绝缘体上硅平台上制造的用于 CMOS 兼容制造的基本无源和有源元件（包括探测器和调制器）的开发已达到如此高的性能水平，以至于应该解决硅光子学与微电子电路的集成挑战。由于晶体硅只能从另一个硅晶体中生长，因此无法在这种状态下沉积，因此光学器件通常仅限于单层。另一种方法是使用后端 CMOS 制造工艺在 CMOS 芯片上方集成光子层。本文讨论了用于此目的的各种材料，包括氮化硅、非晶硅和多晶硅。关键词 — 硅光子学、CMOS、集成。
统计计量学：理解变异的工具
随着尺寸缩小和集成度提高，参数变化的重要性日益增加，了解和管理这种变化的需求也变得至关重要。统计计量是用于系统地表征和研究半导体制造中变化的工具和技术的集合。除了收集大量数据的方法外，人们还在开发重要的分析方法，以 (1) 将参数分布分解为晶圆级、芯片级和晶圆-芯片交互作用；(2) 模拟布局、工艺或其他因素对观察到的变化的空间效应。统计计量已用于研究层间介电体厚度和多晶硅临界尺寸变化，而产量改进、设计规则生成和变化影响分析的新应用将使统计计量成为未来制造和设计实践的重要组成部分。