为了实现严格的温室气体减排,我们需要设计整个能源系统从化石能源向可再生资源的过渡。这样的能源转型带来两大挑战:大多数可再生能源产生的电能不稳定,但目前大多数需求不是电力(载体不匹配),并且并不总是与供应同时出现(时间不匹配)。整合多种能源基础设施可以通过利用不同能源载体之间的协同作用来解决这两个挑战;在现有基础设施的基础上进行建设,同时允许对新基础设施进行稳健而灵活的整合。本文提出了一个以综合方式对城市能源系统进行长期、多期投资规划的优化框架。我们将其表述为混合整数线性规划,将容量设施位置与多维容量网络设计问题相结合。它包括发电和网络扩展规划以及每个能源系统的网络和存储基础设施之间的互连。它可以结合技术经济发展、政策措施和天气变化等路径效应。预期用途是支持城市决策者进行长期投资规划,但可以根据其他地理或时间尺度进行调整。我们使用两个基于荷兰普通城市的案例来演示该模型,该城市希望到 2050 年将其二氧化碳排放量减少 95%。在第一种情况下,我们包括明确的碳排放约束
他们引入了在NASH-Cournot模型中难以解决的非跨性别。例如,Ramos等。(1998)使用侧面限制来反映战略行为,以便仅当单位投入时,边际收入大于或等于边际成本。但是,正如Hobbs(2001)所提到的那样,这种约束可能会繁琐,包括在多期模型中。
• 靠近昆士兰州-新南威尔士州互联互通线 • 边际损耗系数高 • 已获得所有规划、文化遗产和环境方面的批准 • Bulli Creek 太阳能一期 (BCS-1) 将是 Bulli Creek 多期开发项目中的第一期,总容量可达 2GW • BCS-1 建设期间可提供多达 800 个工作岗位 • 清洁能源园区二期计划建设高达 6 00MW/ 24 00MWh(4 小时)的大型 BESS • 后续阶段将计划建设太阳能和/或 BESS,以达到能源园区的全部 2GW 容量
空间应用是自1958年首次应用硅太阳能电池作为卫星电源以来的光伏(PV)的主要驱动力。[1]此外,依赖于带有交错带盖的子灯的互补吸收的现代多期技术的开发主要是由空间应用驱动的。当今的最先进的市售空间PV为III – V/GE半导体基于三重(3J)连接空间太阳能电池,可达到30%的效率。[2–4]这些高性能细胞需要单晶,低缺陷的外延生长方法,这些方法本质上是昂贵的。可获得的III – V,包括INGAP/GAAS/GE吸收剂在GE底物上生长。他们是
我证明,为了实现动态效率,社会支付者应向创新行业转移的流动资产总盈余的最佳份额取决于投资的边际产品和行业在流动资产上投资的利润份额,而不是未来创新的回报。这一见解源于使用动态多期最优转移模型,而不是文献中使用的静态双期模型,后者只有一个最优转移。我深入探讨了医疗保健创新的替代定价——使用成本效益分析的价值型价格、社会需求曲线下的垄断价格和保险下的垄断利润保护价格——对创新行业盈余占用的影响。我还探讨了社会支付者使用的替代融资机制以及创新者面临的需求不确定性如何影响这一占用份额。我用一个美国镰状细胞病基因治疗定价的实质性例子来说明这些概念
摘要:本研究旨在揭示不同的系统配置(集中式或分散式、组件和技术)对过渡计划的经济、技术和环境影响,以实现水资源短缺地区可再生能源和海水淡化供应的更高份额。本研究的主要贡献是对并网分散式或分布式可再生能源海水淡化系统进行比较评估,以制定可持续的水和能源供应规划。应用一种新颖的联系方法,开发了一个交互式多期规划模型,以突出协同作用,并确定同时规划能源和水部门作为一个整体系统的内生子系统的冲突。为了在本研究中研究这些协同作用,技术部署的速度和总成本下降的路径被假设为经验和知识的函数,作为双因素学习曲线。使用来自 81 个项目的数据,计算了中东公用事业规模光伏和风能供应的平准化成本和容量系数。结果表明,在所提出的方案中,采用分散式水务部门和可再生能源多效蒸馏技术的方案具有最佳的整体性能。
I.在过去的十年中,风和太阳能产生的渗透见证了急剧的增长。但是,太阳能是间歇性的。晚上无法产生任何动力,要求备份备用能力来减轻时间内 /每日爆发。能源存储可以迅速改变其输入 /输出功率,并随着时间的推移而转移需求,从而在支持可再生能源整合方面具有巨大的潜力[1]。在当前阶段,储能的单位容量成本仍然相对较高,尽管它正在不断减少。必须仔细确定储能的大小。iSTING工作分为两类。在代方面,在[2]和[3]中通过随机单位承诺和随机模型预测性控制在多期经济调度框架下研究了储能选址和规模问题。在[4]中使用双层随机混合构架优化在市场环境中讨论了储能和传输连接器的联合能力优化。在上述工作中,可再生生成的不确定性由概率分布和通过方案近似,或者操作风险受机会限制的限制。参考。 [5]提出了两个多参数编程模型,以研究储能对可再生溢出的影响参考。[5]提出了两个多参数编程模型,以研究储能对可再生溢出的影响
摘要:本文提出了一种考虑储能系统(ESS),个体发电单元特征以及全年的每小时功率平衡约束的方法来制定生成扩展计划。生成扩展计划(GEP)是一个复杂的优化问题。要获得成本最低,可接受的系统可靠性和令人满意的CO 2排放的现实计划,需要配制一个复杂的多期混合整数线性编程(MILP)模型,并与单个单位特征以及每小时的功率平衡约束一起求解并解决。此问题需要巨大的计算工作,因为在一个计算中有数千个可能的情况,其中数百万变量。但是,在本文中,提出了简化的过程,而不是直接找到此类MILP的全球最佳解决方案,将其分解为多个LP子问题,这更容易解决。在每个子问题中,都可以包括与可再生能源产生的文件相关的约束,ESS的电荷分离模式以及系统的可靠性。根据泰国的权力开发计划对拟议过程进行了测试。获得的解决方案几乎与实际计划的解决方案相同,但计算工作较少。还讨论了不确定性以及ESS对GEP的影响,例如系统可靠性,电力成本和CO 2排放。
识别资本市场异常的两种标准方法是横截面系数检验(Fama 和 MacBeth (1973) 的精神)和时间序列截距检验(Jensen (1968) 的精神)。一个新信号可以通过第一个检验,我们将其标记为分数异常,它可以通过第二个检验作为因子异常,或者它可以同时通过两者。我们证明了每种方法与均值-方差优化投资者面临的简单交易成本(这些交易成本在股票之间保持不变)的相关性。对于面临交易成本的风险中性投资者,只有分数异常是相关的。对于没有交易成本的风险规避投资者,只有因子异常是相关的。在风险规避和交易成本的更一般情况下,两个测试都很重要。在扩展中,我们推导出基本测试的修改版本,这些版本在投资者面临资本约束、多期投资组合选择问题或不同股票的交易成本的情况下,可以扣除异常执行成本。接下来,我们测量两个测试的计量经济学功效。时间序列因子测试的相对功效与现有因子模型的样本内夏普比率下降,如 Shanken (1992) 所述。新的因子异常可能越来越难以检测,导致时间序列测试可以识别的异常数量的自然限制更低。同时,对于面临交易成本的投资者,分数异常也适用,可以统计验证为相关的异常数量的自然限制可能更高。
卵子研究杂志。20,编号1,1月至2024年2月,第1页。 75-84 GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE三重连接太阳能电池的模拟和优化A. < /div>B. Azzououm B,A。Aissat A,B,C *,J。P. Vilcot C A艾哈迈德·德拉亚(Ahmed Draya),阿德拉尔(Adrar),阿尔及利亚B技术学院,Blida.1。Poincare Avenue,60069,59652 ASCQ的Villeneuve,法国本文着重研究和模拟GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE Y /GE三连接太阳能电池结构。首先,已经研究了与SIGE层相关的应变和带隙能。最佳锗浓度为0.88,应变约0.45%。然后,对上层GAAS 1-X P X /Si 0.12 GE 0.88的应变和带隙能的磷光浓度效应进行了优化。在室温下,最佳输出参数达到J SC = 34.41ma/cm 2,V OC = 1.27V,FF = 88.42%,η= 38.45%,吸收厚度为4.5µm,x = 0.47,菌株的菌株不超过1.5%。这项研究使我们能够设计高效,低成本的3J太阳能电池。(2023年10月23日收到; 2024年1月13日接受)关键字:半导体,效率,三连接,太阳能电池,光伏1.引言提高太阳能电池的效率会导致瓦特峰成本的降低[1]。在提供提高效率的技术中,我们发现了多期太阳能电池。但是,这些配置的制造成本仍然昂贵。后者基于一组具有不同带隙能的半导体材料的堆叠,该布置旨在吸收太阳光谱的最大值[2]。实际上,基于III-V化合物材料的多期太阳能电池提高了效率,并且似乎是光伏应用的未来。越来越多,它们已成为最前瞻性的太阳能技术[3,4]。降低成本所采用的技术之一是使用硅底物。因此,单层生长的GAASP/SI细胞可能是为空间应用提供低成本和高效率太阳能的合适候选者。,尽管在实验中众所周知,由于晶格不匹配高和热膨胀系数的巨大差异,很难用硅生长III-V材料[5-8] [5-8]。一种有希望的方法来克服这些限制并提高IIII-V 3J 3J太阳能细胞的效率,而不是使用Dermanium元素,而不是使用底层硅元素。锗的特征是直接带隙能在300K时为0.66 eV,因此吸收边缘比Si陡峭,SI陡峭,太阳辐照度光谱和低成本材料的光谱重叠更大。此外,锗元素可以与晶格匹配与III-V材料一起生长。这种优势使其成为吸收低能光子的有前途的材料[9,10]。由于这些最后的原因,在目前的工作中,锗被用作底部细胞。Fadaly等。此外,如[12]中报道,详细阐述了实验结构GAA 0.79 p 0.21 /si 0.18 ge 0.82双连接太阳能电池。将SIGE作为IIII-V顶部太阳能电池和底部电池之间的缓冲层的整合可以减少III-V核的位错界面,并提供高质量的底部太阳能电池。[11]证明了Si 1-ge Y合金的计算寿命接近III – V组半导体的寿命,因为从理论上讲,它们可以结合直接的带隙,波长态度和强烈的光学转变[11-13]。为了增强其表演的目标,三连接是 *通讯作者:sakre23@yahoo.fr https://doi.org/10.15251/jor.2024.201.75