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采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
飞机结构材料系统失效分析
rittel.group › uploads › 2020/12 › failur... PDF 2020年12月31日 — 2020年12月31日 校准系统，以便可以根据...对故障的飞机部件进行故障分析。 这些技术基于不同的物理。
飞机结构材料系统失效分析
rittel.group › uploads › 2020/12 › failur... PDF 2020年12月31日 — 2020年12月31日 校准系统，以便可以根据...对发生故障的飞机部件进行故障分析。 这些技术基于不同的物理原理。
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