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焦点中的基因座：基因座变化情节通过竞争的动态展开
抽象目的 - 我的目的是通过介绍和发展基因座变化情节的概念来提高竞争动态奖学金。此类情节是指的情况，其特征是在各种演员汇总为竞争者的水平上专门产生变化的情况。设计/方法/方法 - 我将我的理论重新分析了两项已发表的研究，这些研究从位于竞争动力学奖学金之外的管理文献中选择。这两项研究最初不是集中在基因座拐点发作上的，但是这些研究的特征是此类发作的说明性实例。调查结果 - 我的重新分析强调了两种显着情况，当时竞争企业部署的行动和响应的战略曲目创造或解散了各种组织形式，从而在聚集水平上产生转变，从而产生轨迹拐点的拐点。这些情况包括创造以及元组织的溶解。在这两种情况下，竞争组织者在不竞争的演员中起着重要的作用，但尽管如此，这些角色仍会影响竞争的发展方式。独创性/价值 - 竞争动态学者主要检查了公司在整个竞争过程中所做的事情（即它的“如何”）。，但他们在很大程度上忽略了企业在部署战略曲目时所做的事情可能包括创建或解散各种组织形式，并且这种创造或解散可以改变竞争展开的聚合水平。在整个竞争过程中，它的“谁”和“ where”）是可变的方面。这种转变是通过基因座变化发作的概念来捕获的，竞争动力学学者可以利用它来接近竞争的基因座（即关键字基因座，过程，竞争，竞争动态，基因座变化情节纸类型概念纸
LF411 低失调低漂移 JFET 输入运算放大器
放大器将以等于正电源的共模输入电压工作。然而，在此条件下，增益带宽和斜率可能会降低。当负共模电压摆动至负电源的 3V 以内时，可能会出现输入失调电压增加的情况。LF411 由齐纳参考偏置，允许在 g 4�5V 电源上正常电路工作。低于这些的电源电压可能会导致较低的增益带宽和斜率。LF411 将在整个温度范围内驱动 2k X 负载电阻至 g 10V。如果放大器被迫驱动更大的负载电流，但是，在负电压摆动上可能会出现输入失调电压增加，并最终在正向和负向摆动上达到有效电流限制。应采取预防措施，确保集成电路的电源永远不会反转极性，或者不会无意中将设备反向安装到插座中，因为无限电流通过 IC 内部产生的正向二极管产生的浪涌可能会导致内部导体熔断，从而导致设备损坏。
固体中的自旋弛豫、失相和扩散...
[6] C. Guo, J. Xu, D. Rocca 和 Y. Ping, Phys. Rev. B 102, 205113, (2020)。[7] F. Wu, D. Rocca 和 Y. Ping, J. Mater. Chem. C, 7, 12891 (2019)。[8] F. Wu, TJ Smart 和 Y. Ping, Phys. Rev. B, 100, 081407(R) (2019)。[9] Y. Ping 和 TJ Smart, Nat. Comput. Sci., 1, 646, (2021) [10] K. Li, TJ Smart, Y. Ping, Phys. Rev. Mater (Letter), 6, L042201, (2022) [11] S. Zhang, K. Li, C. Guo, 和 Y. Ping, 2D Materials, 正在印刷, (2023) arxiv.org/abs/2304.05612
基于 ReRAM 的非易失性和抗辐射锁存器设计
摘要：在航空航天环境中，芯片的高可靠性和低功耗至关重要。为了大幅降低功耗，芯片的锁存器需要进入掉电操作。在此操作中，采用非易失性（NV）锁存器可以保留电路状态。此外，在航空航天环境中，锁存器可能会被辐射粒子击中，在最坏的情况下会导致严重的软错误。本文提出了一种基于电阻式随机存取存储器（ReRAM）的NV锁存器，用于NV和鲁棒应用。所提出的NV锁存器具有低开销的抗辐射能力，并且可以在掉电操作后恢复值。仿真结果表明，所提出的NV锁存器可以完全提供针对单粒子翻转（SEU）的抗辐射能力，并可以在掉电操作后恢复值。与其他类似解决方案相比，所提出的NV锁存器可以将存储单元中的晶体管数量平均减少50％。
鼠伤寒沙门氏菌的无线电要求失活-Lirias
已在Katholieke Universiteit Leuven的大学存储库Lirias（https://lirias.kuleuven.be/）上存档。内容与已发表论文的内容相同，但没有发布者的最终排版。参考这项工作时，请引用完整的书目信息：Tonti，M.，Verheyen，D.，Kozak，D.，Skåra，T.，Van Impe，J.F.M。（2024）。在脱脂和全牛奶粉中，鼠伤寒沙门氏菌和单核细胞增生的射频失活。国际食品微生物学杂志，413，110556。期刊和原始发表的论文可在以下网址找到：https：//www.sciencecendirect.com/science/article/pii/s0168160523004737可以联系相应的作者以获取其他信息。开放访问条件可在以下网址提供：http：//www.sherpa.ac.uk/romeo/
寻找精神病性失联的影像生物标记
通过磁共振成像 (MRI) 获得的神经影像测量值可以作为此类生物标志物，作为评估治疗反应或预后准确性的客观终点(5)。鉴于有一致报告称，精神病患者(9-14)和疾病的各个阶段(15-19)都存在异常的功能和结构连接，因此脑连接测量(6-8)尤其有前景。与精神病相关的功能连接中断(通过静息态功能 MRI-rsfMRI(20) 测量)通常包括大规模皮质网络内部和之间的低连接(6)，尤其是涉及额叶和颞叶皮质的网络，而与精神病相关的结构连接中断(通过扩散张量成像-DTI(21) 测量)包括全脑分数各向异性 (FA) 的降低，FA 是白质完整性的间接测量(22)。事实上，这两个标记本身在精神病患者和健康个体中都是相互关联的(23、24)。
1非易失性电化学随机访问记忆...
摘要：电化学随机访问记忆（ECRAM）是一种最近开发且高度有希望的模拟电阻记忆元件，用于内存计算。一个长期以来的ECRAM挑战是在几个小时内获得保留时间。这种短暂的保留使ECRAM无法被考虑在深神经网络中进行推理分类，这可能是进行内存计算的最大机会。在这项工作中，我们开发了一个ECRAM细胞，其保留率的保留率比以前的数量级长，并且我们预计在85°C下将超过10年。我们假设这种特殊保留的起源是相位分离，它可以形成多个有效的平衡抗性状态。这项工作强调了使用相位分离来产生ecram细胞的承诺和机会，并具有特殊且潜在的永久保留时间。
非易失性GSST调制器的设计和分析...
摘要 - 光子综合电路（图片）是片上光学技术的基础。MACH-ZEHNDER调制器（MZM）是图片的有吸引力的构件，这些图片主要依赖于材料中弱且挥发性的光学效应。相比之下，相变材料（PCM），例如GE 2 SB 2 SE 4 TE 1（GSST）是有前途的候选人，可以实现有效且非易失性的可重构光学设备。然而，PCM的相跃迁伴随着其折射率的假想部分的大大变化，这使得MZMS的设计具有挑战性。在本文中，引入了两种称为“损失平衡”和“均衡”的有趣设计方法，以提出基于GSST的高性能MZM。在这方面，提出了以石墨烯为基础的基于GSST的波导，该波导在两种引入方法中都扮演着可构型活性波导的作用。根据提出的分析，在1550 nm的波长下，活性长度为4.725 µm，插入小于2 dB的非易失性MZM是可实现的。最后，对提出的基于GSST的波导进行热模拟，以便估计要进行非晶化（擦除）和结晶过程所需的电压分别为12 V和4.3 V。
超快非易失性的浮动式内存，基于所有...
大规模数据存储的爆炸性增长和对超快数据处理的需求需要具有出色性能的创新记忆设备。2D材料及其带有原子尖锐界面的范德华异质结构对内存设备的创新有着巨大的希望。在这里，这项工作呈现出所有由2D材料制成的功能层，可实现超快编程/擦除速度（20 ns），高消光率（最高10 8）和多位存储能力。这些设备还表现出长期的数据保留超过10年，这是由高栅极偶联比（GCR）和功能层之间的原子尖锐接口促进的。此外，这项工作证明了通过协同电气和光学操作在单个设备单元上实现“或”逻辑门的实现。目前的结果为下一代超速，超级寿命，非挥发性存储器设备提供了坚实的基础，并具有扩展制造和灵活的电子应用程序的扩展。