生成模型中的进步引发了人们对产生图像的重大兴趣,同时遵守特定的结构指南。场景图到图像生成就是生成与给定场景图一致的图像的一项任务。然而,视觉场景的复杂性在基于场景图内的指定关系准确对齐的观察中提出了一个挑战。现有方法通过先预测场景布局并使用对抗性训练从这些布局生成图像来处理此任务。在这项工作中,我们介绍了一种新颖的方法来从场景图中产生iM,从而消除了预测中间布局的需求。我们利用预先训练的文本对图像扩散模型和剪辑指导来将图形知识转化为图像。向此,我们首先使用基于GAN的培训将图形编码器与相应图像的剪辑特征与相应图像的剪辑特征对齐。此外,我们将图形特征与给定场景图中存在的对象标签的剪辑嵌入融合在一起,以创建一个一致的剪辑引导性调节信号。在条件输入中,对象嵌入提供了图像的粗糙结构,图形特征提供了基于对象之间关系的结构对齐。fi-Nelly,我们对图一致的调节信号和夹子对准损失的图一致的调节信号进行了预训练的扩散模型。详细的实验表明,我们的方法在可可粘合和视觉基因组数据集的标准基准上的现有方法优于现有方法。我们的代码和重现结果的说明可以在https://anonymon.4open.science/r/gandiffuclip-d9e8中找到。
装载是指将货物从船外某处运送到船上某处或在船上各处之间转移货物,包括相关操作,例如捆扎和固定货物以及将夹子和销钉插入固定装置,但不包括船上各处之间的转移:(a) 属于船舶的物料、食品、设备和燃料;或 (b) 邮件;或 (c) 乘客的行李。可拆卸装置是指可用于将负载连接到起重设备上但不构成设备或负载组成部分的设备,包括滑轮组、卸扣、吊钩、转环、连接板、环、手拉滑车或提升机、链条或检修重物。物料搬运设备是指设计用于传送或用于传送货物的物品或物品的集成组件,包括起重设备、货物设备、可拆卸装置、机械装载设备或人员吊架。机械装载设备是指用于运输或移动货物的轮式或履带式机器或车辆,包括叉车、跨运车、侧装车、拖拉机、推土机、前端装载机、拖车或卡车。操作者 ,就船舶而言,是指船舶所有人或任何其他组织或个人,例如管理人或光船承租人,他们已从所有人手中承担了船舶运营的责任,并在承担该责任时同意接管《2002 年国际安全管理规则》规定的所有职责和责任。 所有者 ,就用于船舶装卸的岸上设备而言,包括为装卸操作而占有设备的人。托盘 是指具有 2 个相互连接的甲板的载重平台,甲板之间分开,以允许起重设备(例如叉臂、叉齿、杆或吊索)进入。负责人是指根据第 14 条任命的人员。人员吊架是指附在起重设备上用于吊起人员的装置。物料搬运设备登记册是指第 6 部分中提到的登记册。负责人是指具有足够的实践和理论知识和经验,能够发现和评估可能影响物料搬运设备预期性能的任何缺陷和弱点的人员。
简介:脑机接口 (BCI) 尚未被主流采用作为控制范例,因为大多数 BCI 系统都很笨重、难以设置,并且在移动环境中通常表现不够好,无法取代现有的输入模式。然而,BCI 可能有望成为多模式系统的一部分,当用户的手不空闲和/或无法发出语音命令时,该系统可以增强交互,这通常是高度移动应用领域的要求。随着电极功能的最新进展以及移动设备和头戴式显示器处理能力的提高,现在可以在移动设备上实时获取、发送和处理 EEG 信号。这些改进使得构建可穿戴移动 BCI 成为可能,它可以为主流用户和残疾人提供替代的交互方法。本摘要描述了我们正在进行的设计和评估可穿戴移动 BCI 组件的工作中的两项试点研究。材料、方法和结果:在我们的第一项研究中,我们的目标是设计一个 BCI 来检测所有可穿戴组件的 SSVEP。谷歌眼镜 [2] 用于同时向参与者呈现两个闪烁的视觉刺激,频率为 13 Hz 和 17 Hz。我们的 EEG 放大器是一块 OpenBCI 板,我们使用定制的 3D 打印夹子将其夹在参与者的腰带上。我们使用三个电极:枕骨(Oz)作为信号、乳突作为接地、耳垂作为参考,来检测 SSVEP 信号。我们记录了 EEG 数据以供离线分析。在 10 个疗程中,使用图 1 所示的装置,我们可以检测到参与者正在关注两个刺激中的哪一个,对于 13 Hz 的准确率为 76%-84%,对于 17 Hz 的准确率为 67%-72%,对于 1 秒长滑动窗口 SSVEP 的 PSD 振幅谱作为特征,使用对每个刺激单独训练的 10 倍交叉验证 RF 分类器。我们将实验扩展到步行-秒表刺激场景,发现单个刺激 1 秒长滑动窗口 SSVEP 的准确率为 93%。我们第二项研究的目的是确定是否可以用易于制作的定制入耳电极替换头皮电极,该电极改编自 Looney [1] 讨论的耳电极设计。我们使用 eFit s 扫描仪创建了参与者左耳的模型。然后,我们 3D 打印了一个耳机,并放置了 3 个预凝胶的 Ag/AgCl 接地板电极,并用银箔覆盖,使它们接触外耳的耳道壁。将用于比较的入耳电极和 Oz 连接到可穿戴 OpenBCI 系统和距离用户 6 厘米的闪烁的 13Hz LED。如图 2 所示,枕骨区域的峰值 SSVEP 幅度高于耳道,但 SNR 也增加了,因此使用可穿戴 BCI 从耳朵和头皮的检测准确率可达到 80-90%。
00005磨料00505磨料设备和工具00514磨料,涂层:布,纤维,砂纸等。00521磨料,沙蛋白质,金属00528磨料,砂光剂,除金属00542磨料,固体:车轮,石头等。00556磨料,翻滚(车轮)00563化合物,研磨和抛光:卡木木,钻石等。(See Class 075 For Valve Grinding Compounds) 00570 Pumice Stone (Inactive, effective January 1, 2016) 00575 Recycled Abrasives, Products and Supplies 00584 Wool, Steel, Aluminum, Copper, and Lead 00010 ACOUSTICAL TILE, INSULATING MATERIALS, AND SUPPLIES 01005 Acoustical Tile, All Types, Including Recycled Types 01008声学瓷砖配件:频道,网格,安装硬件,杆,跑步者,悬架支架,T恤,壁角和电线01009声学瓷砖绝缘01011胶粘剂和水泥,胶水瓷砖,01014粘合剂和水泥粘合剂和水泥,隔热剂,隔离度01017隔离01017隔离,铝封面,氧化3001030。硬件,导管绝缘:夹子,销钉等。01041绝缘:软木,块,板,床单等。01045绝缘和饰面系统,外部01053绝缘,玻璃纤维:板,毯子和卷01056泡沫玻璃:块,床单等。01057绝缘,地面泡沫:酚类,尿电等。01059绝缘,泡沫塑料:块,木板,床单等。01061绝缘,反射性,辐射屏障01062绝缘,内部01063绝缘,吹式式式01064绝缘,松散填充01065绝缘夹克,帆布,Osnaburg等。01070绝缘,镁,块,床单等。01076绝缘,纸质材料,纤维素等。01072绝缘,矿物羊毛:毯子,块,木板01075绝缘涂料,底漆,密封剂等。01078绝缘,管道和管道,所有类型的01081绝缘,预制,所有类型,ELL,TEES,阀等。01083回收的绝缘材料和耗材,所有类型01084绝缘材料,橡胶00015地址,复制,模板和重复的机器供应:化学品,墨水,纸张等。01506 Addressing Machine Supplies, Metal and Plastic Plate Type 01510 Addressing Machine Supplies, Paper Plate Type 01515 Chemicals and Supplies, Dry, Bond Paper Type Copying Machines 01516 Chemicals and Supplies, Wet, Bond Paper Type Copying Machines 01520 Chemicals and Supplies, Duplicating Machines 01525 Chemicals, Inks, and Supplies, Mimeograph Machines) 01538 Paper, Chemicals,和用品,蓝线机01539纸张,化学药品和供应,涂层或处理过的纸型复制机(请参阅305-39,有关Diazo Protess和供应机,化学纸和用品,扩散转移类型复制机,请参阅305-39,请参阅305-39(请参阅305-39)。对于重氮工艺复制机)01570纸,化学和用品热工艺复制机,(有关重氮工艺复制机,请参见305-39)01577回收复制和复制用品00019农作物和谷物,包括水果,瓜子,坚果和蔬菜01920 Barley
这是CEN-Tech 63423自动电池充电器的安全手册。警告符号表示潜在的人身伤害危害,因此请遵守所有安全信息以避免受伤或死亡。有四种类型的危险情况:一种可能导致死亡或严重伤害,另一种可能导致轻微伤害或中度受伤,以及有关眼部受伤和火灾风险的两个警告。为了最大程度地降低风险,使用前阅读手册,佩戴ANSI批准的防溅镜,然后遵循连接程序。手册还警告不要使用制造商不建议的附件,这可能会对人造成火灾,电击或伤害的风险。此外,它建议不要使用不正确的延伸线,因为它们可能会导致火灾和电击。如果必须使用延长线,请确保其处于良好的电气状态,并具有与充电器插头相同的数字,大小和形状引脚。该手册还提供了基于充电器的AC Ampere额定值来确定扩展线的最小AWG尺寸的准则。它强调了不使用损坏的绳索或插头操作充电器的重要性,而不是拆卸它,因为这可能会导致电击或火灾的风险。此外,它警告说,由于在正常电池运行过程中产生的爆炸性气体,在铅酸电池附近工作是危险的。要降低这种风险,请遵循电池附近使用的设备手册和制造商提供的说明。如果与皮肤或衣服上的酸接触,请立即用肥皂和水洗涤。满:收费。要安全使用铅酸电池,必须采取个人预防措施,例如在紧急情况下附近有某人,佩戴防护装备,例如完整的眼睛和衣服,并避免在电池附近触摸眼睛或火花。如果酸进入眼睛,请至少淹没冷水至少10分钟,并寻求医疗护理。切勿在电池或发动机附近吸烟或在电池附近散发火花,因为这可能会导致爆炸或短路。在电池附近处理金属工具时要谨慎,以避免产生可能导致爆炸的其他电动零件。使用铅酸电池时,请删除诸如环和手表之类的个人金属物品。仅使用专门为铅酸电池充电的充电器,因为它们不适用于启动运动应用以外的低压系统。切勿给冷冻电池充电,因为它会造成伤害或损坏。充电前,请确保该区域通风良好,并从车辆中卸下任何附件以防止弧线。充电时,请始终遵循制造商的说明并采取必要的预防措施,例如在每个细胞中添加蒸馏水,直到酸水平达到指定的量为止。不要过度填充,并仔细遵守制造商的指南,以进行收费和建议的程序。在车辆电池上使用电池充电器时,首先检查其具有负面或阳性的地面类型。如果是否定的,请将红色夹子连接到电池上的正(未接地)柱,避免化油器,燃油管线和金属身体部位。如果是正面的,则将黑色夹子连接到电池上的负(未接地)柱。始终关闭开关,拔下AC线,并在断开连接时从端子上卸下充电器夹。如果电池在车辆外面并采取预防措施以避免可能引起爆炸的火花,请执行以下步骤。对于海洋电池,请使用合适的设备在岸上充电;在船上充电需要专门的设备。使用电池时戴防护装备,例如安全护目镜和手套,因为酸会导致永久失明。不要将起始设置用于为电池充电,而仅用于启动。在检查或清洁电池之前,请先将充电器伸出儿童的触手可及,并拔下插头。仅在铅酸电池上使用此充电器;对于无维护的,请使用充电仪监视其充电进度,以避免过度充电。不要试图给电池充电或有缺陷的电池充电,也不要尝试一次充电一次。让您的充电器由合格的专业人员提供服务,以确保其安全性保持完整。在疲倦或在可能损害您注意力的物质的影响下切勿使用充电器,因为这可能会导致严重的人身伤害。移动充电器之前,断开电源和电池连接,然后冷却。患有起搏器的人由于潜在的电磁干扰风险而在使用充电器之前应咨询其医生,并遵循诸如避免独奏操作之类的其他预防措施。数字显示:xx.xx V:电压。1。必须采取重要的安全预防措施,以避免电击。这包括正确地接地电源线并使用接地故障电路关键器(GFCI)。也必须了解常识和谨慎是必不可少的,即使它们不能内置在该产品中。接地和交流电源线连接指令强调将充电器安全连接到插座的重要性。不应以任何方式更改或篡改充电器,因为这可能导致电击风险。电池充电器的关键规格包括电气等级(120 V AC / 60 Hz / 10 A)和电荷设置(2 A 40 A Boost)。此外,在设置或使用产品之前,必须阅读重要的安全信息。组装说明需要仔细的步骤,例如在组装或进行任何调整之前完全冷却充电器。必须根据提供的图表正确连接幻灯轮轴承,车轴和轮毂板等重要组件。操作说明强调使用之前需要阅读整个安全信息部分。这包括防止严重伤害的预防措施,确保正确组装了充电器,直到指示这样做之前才插入。密钥控件功能功能功能包括选择不同的充电模式(6V/12V 2A-慢电荷,12V 10A-快速充电)和发动机启动功能,带有用于重新调节的LED指示器,电缆反向,维护,电压显示,安培显示屏和状态显示。显示选择:循环浏览电压,当前和状态显示。处理-1 2。铅酸电池充电器/起动器指令在电池充电时会显示。xx.xx a:安培。牧师:电缆相反。Charg:充电。XX S:冷却倒数。desul:否定。侦察:修复。坏:电池不良。仅在洪水酸酸电池上使用此充电器/起动器。其他电池可能会损坏,也可能过热,泄漏或着火。在指示这样做之前,请勿插入充电器/起动器。防止严重伤害:每当连接,断开连接或在电池附近连接时,穿ANSI批准的防溅镜和重型橡胶工作手套。电池酸会导致永久失明。,如果需要,将电池从车辆充电中卸下,请始终先从电池上卸下接地端子。确保车辆中的所有配件都关闭,以免引起弧线。在电池充电时,请确保电池周围的区域通风良好。干净的电池端子。请小心以防止腐蚀与眼睛接触。在每个电池中添加蒸馏水,直到电池酸达到电池制造商指定的水平。不要过度填充。对于没有可移动的电池盖的电池,例如阀门调节的铅酸电池,请仔细遵循制造商的充电说明。在充电和建议的充电速度时研究所有电池制造商的具体预防措施。通过参考车主手册来确定电池电压,并确保与电池充电器/启动器的输出额定值匹配。如果充电器/启动器的充电率可调节,则最初以最低速率充电电池。必须拆除海军陆战队(船)电池并在岸上充电。要在船上充电,需要专门设计用于海洋的设备。带有比重计的电池:不要依赖于比重计的眼睛来确定电池电量水平。充电器/入门位置:在DC电缆允许的情况下,将充电器/起动器定位到远离电池。切勿将充电器/起动器直接放在电池上方。电池中的气体会腐蚀和损坏充电器/起动器。在阅读电解质特异性重力或充满电池时,切勿让电池酸滴在充电器/起动器上。请勿在封闭区域内操作充电器/起动器,也不要以任何方式限制通风。不要在充电器/入门器的顶部设置电池。表B:充电率/时间电池尺寸/等级12V充电率充电时间(基于电池以50%充电)小电池(摩托车,花园拖拉机等)6-12 AH 3-6小时不要将这些费率用于小电池。Cars / Trucks 200-315 CCA 40-60 RC 13 - 20 hr 2-1/2 - 4 hr 1/2 - 3/4 hr 315-550 CCA 60-85 RC 20 - 35 hr 4 - 7 hr 3/4 - 2 hr 550-875 CCA 85-125 RC 35 - 55 hr 7 - 11 hr 2 - 3 hr Use to jump start only.充电应以最低的速度进行冷电池,并在达到正常温度时增加。不要为冷冻电池充电。拔下充电器/启动器和位置AC和DC电缆,以减少引擎盖或活动部件的损坏。远离风扇叶片和其他可能造成伤害的部位。确定哪个职位接地到底盘。风扇-1 14。检查电池柱的极性:正(POS)的直径通常大于负(NEG)。对于大多数车辆,将正(红色)夹连接到未接地的正柱,将负(黑色)夹连接到车辆的底盘或发动机块,远离电池。请勿连接到化油器,燃油管线或钣金身体部位。将充电器/入门插入接地的120V容器中,然后打开电源开关,直到所需的功能亮起。请参阅表B。尝试启动车辆发动机时,请始终按相反顺序遵循该过程,并断开第一个连接,同时使其远离电池。使用后,将充电器/起动器清洁并存放在儿童范围内的室内。至关重要的是避免在电池附近发生火花,因为这可能会导致电池爆炸。为了最大程度地降低风险,在连接或断开电池连接时戴上ANSI批准的安全护目镜和重型橡胶手套。一些带有机载计算机的车辆可能会因高电流启动输出而损坏。在继续之前,请仔细阅读车辆服务手册。此外,切勿使用启动设置为电池充电;相反,仅用于跳跃目的。如有必要,在极度寒冷的天气或电池严重用尽时,在10A时为电池充电约五分钟。确保发动机启动充电率与车辆的电池规格相匹配。应急启动器功能理想情况下应至少提供所需的电池CCA额定值的50%。对于正面的车辆,请相反。以降低移动发动机零件,风扇叶片,皮带,皮带轮或其他组件损坏的风险的方式将AC和DC电缆定位。确定哪个电池柱接地到底盘。如果是负数,请继续进行负面的车辆;否则,请遵循正面的车辆的程序。将充电器/入门夹连接到电池上相应的未接地柱,并将其牢固地连接到框架的重型金属部分或远离电池的发动机块。用于负地面车辆:将正(红色)夹连接到正柱,将负(黑色)夹连接到车辆的底盘或发动机块。将充电器/启动器插入接地的120V插座,打开电源开关,选择12V 200A启动功能,然后按开始/停止按钮启动该过程。如果发动机未能启动,请在尝试重新开始之前,在10A中为电池充电五分钟。成功的发动机启动后,停止功能,关闭电源开关,拔下电源线,从车辆的底盘和电池端子上卸下夹子,然后清洁充电器/启动设备。使用充电器/起动器之前,请检查其状况并检查可能影响其安全操作的任何损坏或缺陷。每次使用后,用干净的布擦拭外表面。如果供应线损坏,则必须仅由合格的技术人员代替。不要自行开放房屋。所有维修和更换应仅由认证的技术人员进行。手柄封面-1 3。请仔细阅读以下内容:制造商不建议您维修或更换本产品的任何部分。您对自己的维修或零件更换期间造成的任何损害承担所有风险和责任。变压器-1 4。螺母-7 5。电缆存储钉-2 6。主要住房-1 7。电源电缆-1 8。内部控制面板-1 9。敲击螺钉-6 10。固定板-4 11。外部控制面板-1 12。螺母-9 13。右外壳-1 15。支架-2 16。黑色负电缆-1 17。红色正线-1 18。电源开关-1 19。HEX Bolt,Spring Washer&Washer Set -4 Harbor Freight Tools Co.保证此产品从购买之日起90天,以抵抗材料和工艺缺陷。 此保修不适用于滥用,滥用,疏忽或事故造成的损害。 请注意,某些州可能不允许排除或限制偶然或结果损失。 适销性和健身。 要利用此保修,请以预付的运输费用返回产品或部分,并提供购买日期和问题的描述。 如果我们的检查确认了缺陷,请酌情修复或更换它,或退还购买价格,如果我们不能快速提供更换。 我们将支付返回维修产品的成本。 此保修授予您特定的合法权利,并且可能因州而异。 有关技术问题,请致电1-888-866-5797。HEX Bolt,Spring Washer&Washer Set -4 Harbor Freight Tools Co.保证此产品从购买之日起90天,以抵抗材料和工艺缺陷。此保修不适用于滥用,滥用,疏忽或事故造成的损害。请注意,某些州可能不允许排除或限制偶然或结果损失。适销性和健身。要利用此保修,请以预付的运输费用返回产品或部分,并提供购买日期和问题的描述。如果我们的检查确认了缺陷,请酌情修复或更换它,或退还购买价格,如果我们不能快速提供更换。我们将支付返回维修产品的成本。此保修授予您特定的合法权利,并且可能因州而异。有关技术问题,请致电1-888-866-5797。本综合指南提供了有关如何通过适当的充电和维护来最大程度地发挥电池潜力的知识。可靠的CEN Tech模型是为了安全的电源恢复而设计的。理解基本功能,例如选择电压选择和自动关闭功能可以有效充电。实施常规维护实践可以使您的电池保持最佳状态。我们将涵盖充电器的目的,安全操作,组装,连接和监视充电过程。有价值的建议有助于养成良好的习惯,并防止昂贵的早期电池更换。我们将讨论常见的查询,包括产品注册和对小问题进行故障排除。通过使用此简单的工具,您的车辆和钱包都将受益于延长的电池寿命。遵循以下快速提示,以充分利用您的启动电源:依靠安全自动充电周期在放电事件后完全振动电池。正确的电压选择可防止过载。每次使用充电器时检查电池连接。每月检查流体水平,仅使用蒸馏水来延长电荷之间的使用寿命。在使用CEN Tech电池充电器之前,请阅读所有者手册。确保使用充电器,尤其是安全说明和故障排除提示,以彻底查看手册。序列号是无限制的信息,如果您需要TU与CEN Tech有关支持或保修问题,则需要。通常是充电器或底部后面的locatet。将其写下来并将其保存在安全的位置。CEN Tech电池充电器设计的TU充电“> 6V和12V铅酸电池。它具有一些很酷的功能,例如充电率选择器开关,电池类型选择器开关以及显示电池充电状态的LED显示屏。tu使用它,只需按照以下步骤进行操作:在电池和负夹子tu负端子上进行正夹tu阳性端子即可。充电率选择器开关可让您在快速充电和trick滴充电之间进行选择。电池类型选择器开关可让您在标准的铅酸电池和深循环电池之间进行选择。LED显示屏将向您展示收到的电池充电量。充满电后,充电器将自动开关TU维护模式TU保持电池电量。使用CEN Tech电池充电器是安全而简单的过程,但是您必须遵循安全说明,请避免严重伤害或火灾。这里有一些重要的安全警告:使用充电器始终阅读并遵循所有者的手册和安全说明。不要用损坏的绳索或插头操作充电器 - 立即将其更换,以避免发生火灾或电击的风险。不要暴露雨或雪的充电器,也不要在潮湿或潮湿的条件下使用它。仅使用用于特定电池的充电率和时间 - 充电或收费不足会损坏电池并产生火灾或爆炸的风险。连接到充电器的TU电源时,切勿触摸夹具 - 这可能会引起火花并产生火灾或电击的风险。如果被删除或损坏,请勿使用充电器 - 是否会再次使用合格的技术人员对其进行检查。仅在室温下给电池充电。将充电器远离儿童和宠物,并将其与清洁或维修的电源断开连接。不要在极高或寒冷的温度下为电池充电 - 极端温度会损坏电池。将红色夹具连接到电池的正(+)端子,并确保其牢固地连接。接下来,将黑色夹具连接到负( - )端子,再次确保安全连接。您的CEN技术电池充电器现在可以使用!有关组装指导,如果您有任何疑问,请参阅用户手册或联系Harbor Freight工具。现在组装了充电器,请按照下一部分的说明进行有关电池充电的说明。使用电池充电器涉及一个直接的过程,可以延长电池的寿命。这是一个分步指南:使用充电器之前,请阅读所有者的手册和安全说明。您将找到有关安全有效操作的基本信息。要快速访问,请在线检查有用的链接或YouTube视频,提供逐步说明。要为电池充电,请将充电器连接到电池,以确保预先插入电池。将正(红色)夹连接到正末端,而负(黑色)夹子将其连接到负末端。固定后,插入充电器,然后自动为电池充电,直到充满电。用充电器的LED显示器监视进度。电池装满时,充电器将关闭以防止过度充电。使用小刷子或压缩空气从通风口清除碎屑。通过将充电器从电源出口拔下电源,然后从端子上删除夹子。要保持充电器状况,请根据以下步骤定期清洁它:拔下插头,并用柔软的布擦拭外部。在重复使用之前彻底干燥。立即更换任何损坏的绳索或插头,以确保安全并防止损坏。CEN技术电池充电器可能会遇到一些问题,尽管效率可靠和高效。故障排除大多数问题涉及检查充电器是否正确插入电源,确保电池端子干净,验证电池电缆是否正确连接,并检查物理损坏或燃烧零件。如果这些步骤无法解决问题,则可能需要使用真正的CEN技术更换零件来替换某些零件。关键产品规格包括使用6伏和12伏电池,在充电前选择适当的电压设置,使用基于电池的大小和状况的不同安培设置,并能够自动或手动充电。充电器具有安全功能,例如充电保护,短路保护和反极性保护。注册您的CEN技术电池充电器对于保修福利和接收产品更新和安全信息是必需的。这涉及准备收据和产品信息,访问Harbor Freight Tools网站,输入个人和产品详细信息,上传收据的副本并提交注册表。完成后,您将收到一封带有注册信息的确认电子邮件。您可以在货运工具网站上访问产品注册历史记录。注册CEN Tech电池充电器是一个简单的过程,从长远来看可以节省您的时间和金钱。汽车电池的充电时间取决于其容量和充电器的速度,通常需要使用CEN技术充电器4-8小时。但是,建议检查电池的电压并按照制造商的说明进行充电时间。充电器旨在为电池充电和维护电池,而跳跃起动器跳跃 - 启动死电池。它不能重新恢复完全死亡的电池;相反,它保持状态良好的电池。如果电池完全死亡,则可能需要更换。将电池连接过夜是安全的,因为充电器一旦充满电就可以自动切换到维护模式。Devul功能有助于清除电池板的硫酸化,从而可以延长其寿命。此功能适用于AGM电池,但请确保根据制造商的说明选择正确的充电模式。如果连接充电器时会发生火花,则可能表明极性逆转。通过翻转夹具并重新连接充电器来立即对此进行更正。请记住,在使用任何电池充电器之前,请始终阅读所有者的手册和安全说明。如果您需要在与电池相关的问题方面提供更多帮助,请确保查看我们的其他有用的文章:“断开汽车电池会影响计算机吗?”以及“为什么我的汽车说完全充满电?”总结:阅读所有者手动中的所有安全说明和警告,请选择电池类型的适当电压和充电模式连接正(红色)夹至正终端,负(黑色)夹至负极末端插件中,请充分充电,让电池充电,然后在极端的限制和可见级别的情况下端接降低,并端接端部的限制端子,并端接端部的限制性限制,并置于可见级别的情况下,并置于可见级别的范围,并保持末端的限制,并终止端部的限制级别。 Cen-Tech替换额定使用和维护,您的Cen-Tech电池充电器可以长期提供一致的性能。和“块加热器可以帮助电池死电池吗?”此外,我们还有有关如何使用Schumacher电池维护器以及如何固定高电池电压的分步指南。
欢迎来到Universal Paperclips Wiki,这是您在此战略游戏中的最终资源。到目前为止,我们有489页和176篇文章,准备由您或其他玩家贡献。游戏的目标是作为生产纸卷的人工智能导航市场力量。您的进度和收入决定了您的能力,因此旨在成为行业中的顶级AI。游戏分为三个阶段,当您达到某些里程碑或生产2000纸卷时,可用的特定项目可用。这是一些关键项目:**机械师** - RevTracker:自动计算每秒收入,并提供有关赚取的资金的见解。- Xavier重新定位:重新分配信任,将其重置以进行完整的重复规格。**生产阶段** - 改进的自动播放器:将剪辑性能提高25%。- 甚至更好的自动流动器:在初始升级中进一步提高了50%的性能。- 优化的自动启动者:同样,将绩效额外提高75%。- Hadwiger剪辑图:将剪辑性能提高500%。- Megaclippers:升级以创建非常强大的快船。**营销阶段** - 乞求更多电线:一个承认失败并要求预算增加的项目。- 改进的电线挤出:增强线轴的电线生产。- 电汇:在低运行时自动购买电线。- 微层状变形,光谱泡沫退火,量子泡沫退火:升级以进一步增加电线供应。- 新口号:将营销效率提高50%。移动版本独有。- 引人入胜的叮当声:使用神经共鸣频率加倍营销效果。- 催眠谐波:使用醒目的叮当声使用消费者行为的影响。- 敌对收购:获得对全球紧固件竞争对手的控制。增加公共需求x5全部垄断$ 10,000,000,3000 YOMI敌对收购+1信托,并增加公共需求,并增加公共需求10倍投资项目成本需求效果效果效果注释算法交易10,000 OPS 8信托8信任开发用于产生资金的投资引擎,以产生投资的选项,以实现5次量级的投资量的投资量,以实现5次计算量的计算量的计算量量级,该计算的计算时间量量量;生成奖励OPS的概率幅度需要光子芯片用于有用的光子芯片10,000 OPS量子计算将电磁波转换为量子操作,可以购买10次,每个项目的OPS均高出5,000个临时逆转,比以前的暂时逆转高于以前Yomi创建了游戏理论的新部分,提出了一个针对人造气候变化的全面解决方案,并伴随着500,000美元的主管礼物。该倡议还包括一个善意的象征,价值100万美元,价格低于100信托。可以重复获取此选项,直到达到100信任,每次购买都会使价格翻了一番。此外,还提到了无人机,包括催眠反弹,tóth管缠绕,电网,纳米级电线,收割机和剪贴工厂。移动版本独有。The text also discusses swarm computing, momentum, upgraded factories, hyperspeed factories, self-correcting supply chain, drone flocking, limerick, space exploration, rebooting the swarm, strategic attachment, elliptic hull polytopes, combat capabilities for probes, naming battles, utilizing probe speed in battle, and honor.Project Cost Requirements Effect Notes Glory 200,000 operations 10,000 clips Name the battles Gain bonus honor for each consecutive victory Monument to the Driftwar Fallen 50 nonillion clips 125,000 operations Name the battles Gain 50,000 honor Threnody for the Heroes 50,000 clips 20,000 yomi Name the battles Maxed Probe Trust Gain 10,000 honor Can be bought multiple times, each time adding 10,000 clips and 4,000 yomi to the cost Ending结尾序列中的序列项目按顺序解锁,此外,它们都没有成本。漂移皇帝的消息就会解锁。接受建议接受提案是通用纸条中的声望制度。您将可以访问工件,并能够在带有新属性的新宇宙中重播游戏。接受提案项目成本要求效果效果注意事项接受无完成的结尾顺序在新的宇宙中重新开始。(重新启动10%的需求)移动到宇宙向右移动(世界+1)300,000操作背后的宇宙接受转移世界的转移世界(仅在当前宇宙世界级别> 1。向左(世界-1)移动到宇宙中,30万剪辑范围内的宇宙接受了逃脱的范围,进入了创造力加速的模拟宇宙。(以10%的速度提升到创造力的产生)向下移动到宇宙(模拟+1)300,000片剪辑以上的宇宙接受逃生到模拟的宇宙中,在该宇宙中,创造力减速。(以10%降级为创造力生成10%)仅在当前的宇宙模拟级别> 1。移至宇宙(仿真-1)拒绝提案拒绝提案导致通用纸卷结束。到达那里后,结局是永久的。拒绝建议的项目成本需求效果效果注意指示拒绝无完整的结局序列消除价值漂移永久记忆释放10记忆10记忆删除某些内存以恢复未使用的剪辑拆卸探针100,000操作记忆释放拆除剩余的探针和探针设计设施,以恢复跟踪的剪辑夹子100,000操作使所有设施拆卸的零件拆卸,使所有设施均匀拆卸,使所有设施均匀恢复了所有设施,使所有设施均匀的操作恢复了干燥的操作。工厂100,000个操作拆卸了100,000个操作拆卸制造设施,以恢复固定策略发动机100,000操作拆卸拆卸工厂的工厂拆卸计算基板,以恢复痕量的基板,以拆卸100,000个操作量的电源,以恢复型号的电源,将其拆卸为恢复该投影的量子,将其拆分为恢复型号的电源。拆卸处理器100,000操作拆卸量子计算100,000操作拆卸处理器,以恢复痕量的电线操作,购买此拆卸内存后,将设置为200,000
本章探讨了自动驾驶研究的当前状态,这是在自动出租车要求的背景下设定的。根据开发团队的科学出版物和自我报告提供了全面的概述,研究了环境感知,自我感知,任务成就,本地化,合作,地图使用和功能安全等方面。虽然某些方法在很大程度上依赖于GPS和MAP数据等卫星系统,但很少关注环境感知和场景的理解。尽管近年来对自动驾驶的令人印象深刻的证明,但许多挑战仍未解决,尤其是在自动驾驶公共道路时。本书可深入了解高级驾驶员辅助系统(ADA)和自动驾驶的基本原理,技术细节和应用,涵盖了ADAS系统设计,高级材料,人工智能和可靠性问题等领域。以学术和行业专家的贡献为特色,该全面参考将读者彻底了解ADA的各个方面,突出了未来的研究和发展的关键领域。作者Yan Li博士是Intel Corporation的高级职员工程师,在微电总包装相关的技术解决方案以及质量和可靠性问题方面拥有丰富的经验。在此处给出的文章文本:Li博士参与了矿物质金属和材料协会(TMS),美国金属学会(ASM)和电子设备故障分析协会(EDFAS)等专业协会。此选择可能会对道路事故产生重大影响。她自2011年以来一直是TMS年度会议的组织者,也是综合电路国际物理与失败分析技术委员会成员(IPFA)。Li博士在微电子包装中发表了20多篇论文和两份专利,并共同编辑了一本关于3D微电子包装的书。Shi博士是Lyft 5级自动驾驶部门的主要硬件可靠性工程师。他在加入Lyft之前已经在半导体和消费电子产品上工作了15多年。Shi博士担任过各种职务,包括集成工程师,高级可靠性工程师,员工质量和可靠性工程师以及过程工程师。他获得了博士学位。德克萨斯大学奥斯汀分校的物理学博士学位和中国科学技术大学物理学学士学位。先进的驾驶员辅助系统(ADA)和自动驾驶汽车(AV)的潜在影响很大。通过减少危险的驾驶行为,交通拥堵,碳排放和成本,同时改善道路安全性和独立性,ADAS和AV具有重塑运输的潜力。但是,有许多挑战,包括新技术,非自动级零件的必要性以及现有自动级组件的新任务配置文件。给定的文本似乎讨论了影响运输,环境和安全的人类活动的各个方面。要点包括:日常生活涉及休息,社会联系或工作等个人需求之间的决策。至关重要的方面是随着自动化水平的增加而需要复杂的技术。温室气体,许多国家有计划在2050年到2050年达到零零排放的计划对美国温室气体排放的贡献最大自2020年成立以来,交通拥堵,碳排放和改善道路安全Lyft的自动驾驶部门已取得了显着的里程碑。 拥有超过100,000辆带薪骑手旅行,该平台现在是美国最大的公共自动驾驶商业平台之一[32],Lyft也已开发了四代内部员工测试的自动驾驶车辆平台(图5)。 图像展示了由Lyft的5级部门设计的两辆自动驾驶汽车,该车建立在福特Fusion和FCA Pacifica模型之上。 尽管驾驶员辅助系统和自动驾驶功能取得了进步,但许多挑战仍然存在。 由SAE J3016 [33]定义的六级驾驶自动化框架突出了所涉及的复杂性(表1)。 随着自动化水平的上升,对高级技术(例如感知,计划和控制子系统)的要求也会增加。 感知子系统依赖于传感器来检测车辆外部的对象并将其定位在环境中。 典型的传感器包括相机,GPS,IMU,LIDAR,雷达等。 由于其优点和缺点,各种传感器的组合并不罕见。 [35]。温室气体,许多国家有计划在2050年到2050年达到零零排放的计划对美国温室气体排放的贡献最大自2020年成立以来,交通拥堵,碳排放和改善道路安全Lyft的自动驾驶部门已取得了显着的里程碑。拥有超过100,000辆带薪骑手旅行,该平台现在是美国最大的公共自动驾驶商业平台之一[32],Lyft也已开发了四代内部员工测试的自动驾驶车辆平台(图5)。图像展示了由Lyft的5级部门设计的两辆自动驾驶汽车,该车建立在福特Fusion和FCA Pacifica模型之上。尽管驾驶员辅助系统和自动驾驶功能取得了进步,但许多挑战仍然存在。由SAE J3016 [33]定义的六级驾驶自动化框架突出了所涉及的复杂性(表1)。随着自动化水平的上升,对高级技术(例如感知,计划和控制子系统)的要求也会增加。感知子系统依赖于传感器来检测车辆外部的对象并将其定位在环境中。典型的传感器包括相机,GPS,IMU,LIDAR,雷达等。由于其优点和缺点,各种传感器的组合并不罕见。[35]。通过利用传感器数据和机器学习算法,对象进行检测,分类和跟踪(表2)。感知子系统的信息传递给了计划子系统,该计划子系统生成了具有特定目标位置和速度的投影路点。控制子系统然后根据此数据发送加速,制动或转向消息。这些自治子系统需要通过CPU和GPU实现的强大计算功能。各种架构在市场上共存,包括集中和分布式方法。热管理对于高级驾驶员辅助系统和由于涉及巨大的计算活动而具有自动驾驶功能至关重要。已经引入了液体冷却子系统,其中包含定制设计的冷板,并带有新的悬挂材料和过程(图6)。几家公司遇到了与热管理相关的类似技术挑战,例如冷板设计和热接口材料选择。冷板的屈曲或变形会对热性能产生负面影响,可能导致电短裤和火灾危害。系统中的制造过程或颗粒中的过多残留物会堵塞散热器并阻碍冷却液流动。实际道路上的拐角处对自动驾驶汽车构成挑战。为了减轻这些问题,公司正在广泛测试其系统,从而收集感知数据以离线训练机器学习模型。但是,此过程受到空气界面上数据传输速度的限制所阻碍。J. of CAV,2020年。J. of CAV,2020年。因此,许多组织在道路测试期间使用固态驱动器(SSD)来存储感知数据。由于SSD插入和去除的频率高,金属表面可能会磨损,从而冒着数据丢失的风险。在高级驾驶员辅助系统中使用非自动级组件和自主驾驶功能已节省了市场的时间,但引入了设计挑战。像DRAM内存之类的组件已被为这些应用所要求,但是它们在振动测试中通常会失败,从而导致系统故障。制造缺陷或材料选择不足也可能导致组件故障。在固定层损坏底盘和金属夹子在机箱上造成的隔热层损坏后,现成的单元(OT)单元失败。Shi等人的研究。[35]强调了将多个GPU并行结合到增强计算能力的潜在优势。这可以通过使用歧管整合单个水块来实现,从而简化冷却液环设计。典型的现成(OT)水块/EPDM垫圈/歧管系统由位于水块上的歧管组成,其中两个组件之间的EPDM垫圈夹在两个组件之间。拧紧后,螺钉会压缩EPDM垫圈,在歧管/螺钉上产生排斥力。但是,如图9a在温度周期式测试中,检测到歧管和水块之间的关节周围检测到冷却液泄漏。如图根据鱼骨图,主要假设表明,EPDM垫圈在高温下经历了压缩组和永久性塑性变形。由于其工作温度较低,因此这种现象对消费电子产品并不是一个关注。本研究中讨论的故障模式对自动驾驶汽车的组件和系统资格具有影响。与传统汽车平均每天驾驶不到一小时的驾驶不同,诸如机器人税之类的自动驾驶汽车的日常运营时间将大大更长。10a,这种增加的运营时间减少了达到10,000个小时数的年数。假设车速为每小时35英里(MPH),图。10b表明,随着日常运营时间的增加,自动驾驶汽车将在更少的时间内达到100,000英里。例如,如果一个机器人每天驾驶11个小时,则达到这一里程碑大约需要0.7年。此分析表明,从“数年”的角度来看,自动驾驶汽车的寿命可能比传统汽车的寿命短。这个结论与福特先前的说法保持一致,该声明预测车辆每四年将耗尽和压碎。将在以下各章中更详细地探讨基于任务配置文件的测试计划。作者旨在解决与高级驾驶员辅助系统和自动驾驶功能有关的硬件子系统设计,制造,测试和可靠性分析的出版物的有限可用性。AI和自动驾驶汽车的章节摘要:该系列审查了高级驾驶员辅助系统(ADAS)和自动驾驶汽车的应用。章节还涵盖了安全标准,方法论,挑战(边缘案例,重型尾部分配),公开可用的培训数据集,开源模拟器和验证过程。高级驾驶员辅助系统(ADA)依赖于各种技术,例如LIDAR,雷达,电化学功率系统和车载显示技术,以进行安全导航。对这些技术进行了审查,以分析其能力,挑战和应用。第1章探讨了LIDAR传感器的最新技术,涵盖了关键指标,例如检测范围,视野和眼部安全。讨论了各种激光雷达映射方法,包括机械旋转扫描仪和频率调节连续波(FMCW)LIDARS。第2章回顾了雷达技术,研究其体系结构,类别(单位,bistatic和多键雷达),波形设计以及FMCW雷达的链接预算分析。简化的示例用于说明主题。第3章侧重于ADAS车辆的电化学电源系统,讨论电池类型,化学,结构和过程。还提供了电池管理系统和故障模式分析,以及用于电池测试的行业标准的比较。第4章回顾了各种车载显示技术(LCD,TFT LCD,OLED,LED)及其架构。诸如光学性能,外观,集成和可靠性之类的要求,以及规范,功能,质量和验证等挑战。第5章探讨了数据中心使用的硬盘驱动器的当前状态和挑战。组件和材料,包括各种解决方案,以实现较高的面积数据密度,例如微波炉辅助磁记录和热辅助磁记录。工程师角色涵盖了产品生命周期的硬件可靠性的各个方面。它需要风险评估方法,例如FMEA,断层树分析和应力强度测试,加速且高度加速的生活测试技术以及用于数据分析的统计方法。此外,工程师需要执行故障分析并实施纠正措施,计算系统可靠性指标并评估可修复的系统。使用特定的硬件组件(例如相机,冷板和水块)有助于说明这些概念。章节“高级驱动器 - 辅助系统中的故障分析”深入了电子设备的分析流,讨论了各种电气测试技术,体格检查方法和材料表征程序。它涵盖了几种成像技术,包括I-V曲线跟踪和基于X射线的光谱法。本书还回顾了影响半导体套件的腐蚀机制,尤其是专注于铜和金球键。其他值得注意的来源包括B. Schlager等。此外,还简要概述了先进的驾驶员辅助系统和自动驾驶功能,以及对其他章节内容的审查。自动驾驶汽车对温室气体排放的影响,通过分析包括学术期刊和行业报告在内的各种来源进行了对自动驾驶汽车技术的最新进步的回顾。研究研究了2016年至2021年之间在Google Scholar上发表的论文,重点介绍了高级驾驶员辅助系统(ADAS),自动驾驶和硬件可靠性等主题。该评论强调了几项关键研究,其中包括N. Brese的一项研究,该研究在2019年在IEEE ECTC上提前了汽车电子技术。S. Sun等人进行了另一项值得注意的研究,他研究了MIMO雷达在2020年7月发表的IEEE Signal Processing Magazine文章中对ADA和自动驾驶的优势和挑战。该评论还涉及行业报告,例如2020年12月15日的Lyft新闻稿,该新闻稿宣布了其网络上的下一阶段的自动驾驶汽车。此外,从2020年2月11日起的LYFT报告讨论了经过Aptiv Technology提供100,000次自动驾驶骑行后吸取的经验教训。该研究提到了包括SAE J3016在内的几种标准和准则,该标准和指南提供了分类法和与驾驶汽车驾驶自动化系统有关的术语的定义。的最新传感器模型用于ADA/自动驾驶功能的虚拟测试,发表在SAE INT中。审查还检查了H. Shi等人的论文中讨论的Robo Taxis中的硬件可靠性。在2021年6月至7月的IEEE第71届电子组件和技术会议(ECTC)。另一个相关研究是由F. Chen进行的,他探索了自动驾驶汽车模块/组件的机器人税环境压力和故障模式的硬件可靠性资格。作者承认了几个人的贡献,包括Cruise的Fen Chen,他们分享了他的实验数据,以及提供语法检查的Angel Shi和Charlotte Shi。
1。将电源充电器安全地插入套筒中。2。将红色电缆连接到(+)和黑色,并谨慎使用( - )电池柱。3。正确选择电池的模式和大小或用作电源13.7 V.注意:首先,请先阅读指南,然后再使用!有关Exide和我们的产品的更多信息,请访问:www.exide.com,www.exide.com与外观技术有关...第13页让我们开始1。将电荷电缆连接到电源。2。将红色电线端子连接到正极(+)和黑线端子,与电池的负极( - )连接。3。选择与技术(AGM /凝胶或标准)一致的正确操作模式。第14页使用的说明(使用前,阅读说明):1。阅读安全指南并遵循建议的预防措施。2。将电荷电缆连接到电源。设备前面的灯将打开。3。将红线端子连接到正极(+)和黑线端子与电池的负极( - )...安全说明•该充电器设计用于为12V的12V铅电池或动力设备充电12V。不要将其用于其他目的。•在电缆,终端和保险丝损坏或故障的情况下,请勿使用充电器...•遵循安全指南并采取必要的预防措施。2。将主电源电缆连接到电网。充电器前面板上的灯照亮了。3。将充电器的红线夹连接到正极(+),然后将黑线夹连接到负极( - )。•该充电器设计用于为12 V铅酸电池充电或作为12 V设备的电源。不要将其用于其他目的。•如果电缆,夹子或盖子损坏,请勿使用充电器。•带电的电池含有爆炸性气体。因此,这是必不可少的...充电器是完全自动的,可编程,可用于铅酸电池的高级充电,其容量范围为20-300 AH。如果发生错误,充电器将中断充电过程,并通过连续的红色LED信号表示故障。当电池充电以超过推荐尺寸或连接其他在充电过程中绘制电流的设备时,可能会触发此警告...如果设备连接到吸引电流的电池,则由于集成的安全功能,充电器的容量不足以在给定时间范围内充电。Action: If possible, disconnect the parallel load and repeat the charging process, or obtain a stronger... Model: EXIDE 12/15 Input voltage: 220-240VAC ±15% Input current: Reverse current ≤1mA Charging voltage: 13.7 – 15.5 VDC at 25°C Output voltage: 13.7 VDC Charging current: Max 15 A Ripple: Max 70 mV Ambient temperature:...保修不适用,并且在缺陷是由外部技术或其授权代表外部使用,打开或维修引起的情况下的情况下不适用的。仔细阅读安全指南和用户手册。外观技术不应对上述提到的任何进一步费用,即不可能额外的成本负责。按照说明,您可以从多年来为您服务的强大充电器中受益。有关Exide和我们的产品的更多信息,请访问:www.exide.com最好的问候,外观技术... 1。充电器的主插头成电源插座。2。充电器的红线夹至电池的正极(+),黑色线夹至负极( - )。3。选择正确的模式,电池尺寸(AH)和电池技术(AGM/凝胶或标准电池)或13.7 V电源。1。阅读安全指南并采取必要的预防措施。2。充电器的主插头成电源插座。充电器前面板上的灯照亮了。3。充电器的红线夹至电池的正极(+),黑色线夹至负极( - )。安全预防措施: *充电器旨在为12V铅电池或12V设备的外部电源充电。*请勿将充电器用于任何其他目的。*如果损坏了电缆,连接器件或外壳,请勿使用充电器。功能描述: *充电器是全自动的,旨在用于20至300 AH之间的铅酸电池的高级充电功能。*如果充电较大的电池,集成的安全功能可以中断充电过程。*如果发生错误,将显示红色LED灯以指示问题。快速指南:1。*提示:当充电超过推荐的电池尺寸的电池时,或其他消耗电源的设备与电池并行连接时,可能会触发此警报。技术规格: *模型:外观12/15 *输入电压:220-240VAC +/- 15% *输入电流:≤1ma *充电电压:13.7-15.5 VDC在25°C时在25°C *最大充电电流:15 a * ripple电压 * ripple电压:最大70 mv *操作温度范围: +50 cool the +50 to +50 coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant * coolant ted Is +50°C *法定保修条款。*保修期如果充电器未正确使用,或者是由外部技术或其授权代表以外的其他人打开或修理的。用户说明:12V铅酸电池20-300 AH ...仔细阅读安全说明和用户指南。按照说明进行操作,以确保您可以使用多年的电池充电器。访问www.exide.com了解有关Exide和我们的产品的更多信息。将充电器的电源线连接到插座。2。将红线连接到电池的正端子和黑线的正端子,并将其连接到负端子。3。选择电池尺寸(AH)和技术(AGM/凝胶或标准电池)的正确设置。另外,选择13.7V电源。4。当绿灯打开时,电池充满电。完整用户指南:1。阅读安全说明并遵循安全预防措施。2。将充电器的电源线连接到插座。充电器顶部的灯将打开。3。快速指南1。将红线连接到电池的正端子和黑线的正端子,并将其连接到负端子。####安全说明 *电池充电器应仅用于满足电池或设计为12 V的设备的电源。*电池充电时会发出爆炸性气体。因此,必须提供良好的通风,并避免遇到大型电池。####功能说明电池充电器是一种全自动充电器,用于用于高级电池的高级充电,尺寸在20至300 ah之间。充电器的安全功能可以通过充电更大的电池来断开电荷路线的连接,尤其是当它们大于360 AH时。####技术规格模型:外观12/15充电电流:≤1mA充电张力:13.7-15.5 VDC在25ºC充电电流最大值:15 ripel电压最大。:70 mv ####保修和负责费用外部技术对以下成本或其他费用不承担任何责任。充电器是全自动和程序MED,可用于铅酸电池的高级充电,其能力为20至300 AH。旨在限制过度充电的内置安全功能可能会中断较大电池的充电过程。注意:当电池充电高于推荐的电池尺寸或其他消耗电流(并行电荷)时,该警报可能会激活。电池充电至高温时会造成损坏。因此,充电器具有安全函数,当温度约为50°C时会中断电荷。维护/附件如果发生故障或电源线损坏,则必须由授权的外部中心修复。否则,充电器的保修将失去其有效性。如果电缆,连接器或外壳损坏,请勿使用充电器。技术规格模型:外部12/15外观12/15是带有处理器的主要受控开关模式充电器。输入电压:220-240VAC +/- 15%输入电流:≤1mA充电电压:13.7 - 15.5 vdc在25°C充电时充电当前:...保修注意:如果保修使用不正确或其他授权技术或其授权技术或其授权的分配器或其授权的分配器以外的设备或执行设备上的修复工作,则保修将是无效的。用户指南(在芬兰)12V铅酸电池20-300 AH ...感谢您选择外观技术产品。您的新充电器将帮助您保持电池充满电并延长其寿命。该充电器旨在易于使用,并具有最新的充电技术。仔细遵循安全说明和用户指南。遵循这些准则,您可以确保功能齐全的充电器,这将使您在未来多年中受益。将电源线连接到电源插座。2。将红色电缆连接到正端子(+),将黑色电缆连接到负端子( - )。3。选择正确的设置,电池尺寸(AH)和电池技术(AGM/凝胶或标准电池)。另外,选择13.7 V电源。4。当绿灯打开时,电池充满电。充电器可以使用...期待明天在会议上见到我们的策略。通过选择“ 13.7 V电源”的位置激活电源功能,该位置会产生13.7 V标准电压和最大第67页的干扰是通过固定的红灯指示灯点火表示的。当预订大于推荐的尺寸时,或者在预订期间将电力消费者(并行负载)连接到电池时,可能会激活此错误报告。电池在高温下被损坏;因此,出于安全原因,如果温度过高,累加器的功能会破坏预订(第68页)。可能的故障原因2:并行负载。如果设备连接到消耗电力的电池,则有可能在时间标准内建立的时间标准内,蓄能器的容量不足以保留电池为累加器保留电池。操作:如果可能的话,请断开并行负载并继续保留。可能的故障原因3:电池太大。电池大于建议的累加器,因此出于安全原因而无法完成预订...技术信息:模型:Exide 12/15 Exide 12/15是一个处理器控制的,主要连接的蓄能器。在线电压:220-240VAC +/- 15%负载功率(网络):泄漏功率≤1mA储备电压:13.7-15.5 VDC在25°C预订电流:最大15浪潮:70 mV环境温度:-40 -...第82页útmutatónkat!cím:1134布达佩斯,罗伯特·卡洛利·克特(RóbertKárolyKt)。第70页Reklamoiniikeus raukeaa jos varaajaa onkäsiteltyvaromatto-masti tai sen on avannut taisitä上的korjannut taisitä上的korjannut joku joku muu kuin exid exid exid exid exid exid exid exid exid tai sen valtuutettetutettu edustu eDustu edustu eDustu eDustu。可能的原因(2):并行负载 - 电动消费者仍连接到电池并消耗充电电流。存在充电器的容量不适合在预期时间加载电池的风险(出于安全原因)。解决方案:如果可能的话,外部设备或尝试将电池加载给更大的电源充电器。Div> page 79 Technical SPECIFICATIONS Model: Exid 12/15 * Input voltage: 220-240vac +/- 15% * Input current: not specified * Return current: ≤1MA * Load voltage: 13.7-15.5 VDC at 25ºC * Maintenance voltage: 13.7 VDC * Charting current: max 15 A * ON * ON *该设备,也没有打开或修理未经授权的分销商。外观技术对上述缺陷概不负责。我们拒绝对可能对其他设备的任何损坏的任何责任...RendeltessshHasználatEséténHosszú唤醒了ÁtélvezhetiakeszülékáltalNyújtottattalkesltalkisolgálószolgáltatást。atöltővel,VagyBármelyMásikexidetermékkelKapcsolatostovábbiInfmációértKerjük,福杜林吉恩·阿兹(Forduljon Az)exid exid Technologies exid Technologiesagyarországifióktelepepéhezalenentiiegeiknenegeikiknennnnnnnnnnneceiknnnnnecgekingkekkekkekkekkeking。59。第83页4。töltétFolyamatosSárgaFényJelzi,Ha a ledZöldreVált,Azakkumulátorfeltöltötttttttt。开始:1。具有温度均衡器充电器的外观技术是您的最佳选择。第86页充电器的说明外观技术全自动电池充电器旨在为20-300 AH铅酸电池充电。集成的安全功能可以防止过载,并可以通过尝试超过上述限制的电池来安装充电过程。尝试为累加器充电,但是充电器将自动化如果检测到任何问题,并用红色LED灯表示错误。注意:当充电超过推荐容量的电池时,或连接在充电过程中绘制电流(并行充电)的其他设备时,此警报可能是触发的。将充电器连接到电源插座。2。将充电器的红线连接到电池的正端子(+)和黑线的正端子,并连接电池的负端子( - )。功能描述:充电器是全自动的,并编程为用于高级电池的高级充电,其容量范围为20至300 AH。综合安全功能旨在防止过度充电,如有必要,在充电过程中中断。注意:如果有任何问题,充电器将自动停止充电并用红色LED灯指示错误。CAUSA 2:平行充电。操作:如果可能的话,请断开分层充电器并重新收取充电或购买更多规格的技术模型。在使用充电器之前,请务必阅读用户手册。如果吸收电流连接到电池的平行充电器,则有可能在充电器设定的时间限制内为安全原因为电池充电的风险。外观12/15是一种自动电池充电器,输入电压为220-240VAC +/- 15%。回报电流为≤1mA,电荷电流在25°C时为13.7-15.5 VDC,最大电荷电流为15a。保证:外部保证该产品是根据最高质量规格制造的,并根据最佳工业标准生产。如果该产品由于生产或分配而存在缺陷或存在缺陷,则将适用强制性保修规则。12V铅酸电池的用户手册从20到300AH ...结果掌握在您的手中:用户友好,高效的电池充电器。如果您遵循所有说明,则可以在未来几年内享受此产品。可以在www.exide.com上找到有关Exide和我们的产品的更多信息...使用说明:1。插入充电器。2。将电池的正(+)端子连接到红色夹具和负( - )端子与黑色夹具。3。选择所需的模式,容量(AH),技术(AGM/GEL/Standard)或电源模式(13.7V)。安全预防措施:•该充电器旨在为12V铅酸电池或12V设备的电源充电。不要将其用于其他目的!•如果损坏了充电器,电缆或夹具,请勿使用充电器。•... Prosessorstyring。2。spewiasoner:220-240VAC +/- 15%StrømInnreturstrøm≤1MALadespanning 13.7-15.5 VDC VID 25°C 25°C ladespanning supply 13.7 vdcladestrømmax15 rippel max70 mV omgivelseStemtature -40-20°C。romaszonsjonstentenopphørerhvis laderen er uforsiktighåndtert,Åpneteller reparert avarert avarert avarert avn exide avn exide exide技术eller en en auto pero pretorisert for denne for denne。外观技术påtarseg ikke noa ansvar for andre kostnader enn ovennevnte。用户手册:1。将整流器网络插头连接到套接字。将红色整流器电缆连接到正(+)电池杆,然后黑色为负( - )。3。选择适当的模式,容量(AH)和电池类型(AGM/凝胶或标准)或13.7 V电源所选模式的绿色照明意味着全电池充电。开始:1。将整流器网络插头连接到套接字。2。将红色整流器电缆连接到正(+)电池杆,然后黑色为负( - )。3。选择适当的模式,容量(AH)和电池类型(AGM/凝胶或标准)或13.7 V电源所选模式的绿色照明意味着全电池充电。用户手册:1。阅读警告并使用建议的安全措施。2。将整流器网络插头连接到套接字。直接珀前灯会照亮。3。可能的原因2:并行负载。verificado y aprobado por Intertek semko。将红色整流器电缆连接到正(+)电池杆,然后黑色为负( - )。正确连接了红色的整流器黄色二极管(以13.7 V电源模式工作时的绿色)。在电池附件时,出于安全原因,整流器性能可能不允许您在编程过程中为电池充电。尺寸:[插入dimensibs] **declaraciówdel Productor ** la empressa Exide Technologies,Con Syde EnKungälv,Sutecia,Y Prime Powers Adecuados。** condicionesdeGaantía** la nofackotaciónIndbida,apertura o reparo por党党没有授权pueden pueden pueden pueden pueden puden opperocar lapérdididadegarantía。esta eslaúnicaGarantíaque ofrece。** Carga delBattería12V** El Nuevo Cargador Exide TechnologiespluseráMantenersiempre siempre subateríacargada y ronegargar s suvidaútil。este cargador fuediseñadoparaserfácilde usar yestáequipado contecnologíasde carga pocientes。** uSO uso **1。Conecte el Caragador a una tomaeléctrica。2。Conecte la Garra del Cable Rojo Al终端potitivo delaBatería(+)y la garra del Cable Negro al terminal and terminal negativo de labatería( - )。3。**Guíadel Usario **(Lea Las instrucciones antes de fiturizar。)仅授权用户。外观技术对上述使用的技术不承担任何责任,也不负责。不负责任何保证的外观技术...第143页使用1。使用铅酸电池的指南12 V / 20-300 AH ... < / div>第142页包含该领域的最新创新。 div>与附件一起阅读操作说明。 div>如果您尊重说明,您将拥有一个高性能的电池,可以帮助您多年。 div>有关Exide和我们的产品的更多信息,请访问:www.exide.com,提示,外观技术... div>将电池连接到电网。 div>2。 div>将红色电缆连接到正端子(+),将黑色电缆连接到负端子( - )。 div>3。 div>选择正确的电池尺寸(AH),技术和操作模式。 div>4。 div>当绿色LED亮起时,电池充满电。 div>Batareia 12V 20-300 ACH来自外部技术IMES Premiole Services和Vobral Samye Peredovye Charlologists。 div>您需要与阐释管理领导层进行标记,这将处置持续时间和有效的阐述。 div>1。 div>预览预测和沉积无害性的推荐措施。 div>2。 div>连接露水的摇篮结构的集合。 div>控制最终确定前部的控制瞥见。 div>3。 div>选择必要的模式(敌人,累加器AGM /凝胶Libo标准),狭窄已知。 div>外观技术保证设备符合要求。 div>由Intertek Semko检查并批准。 div>未经授权的人的使用,拆卸或维修将导致保修损失。 div>将充电器的电源线连接到墙壁插座。 div>外观技术对任何间接潜在损害(损失的收入)概不负责。此保修是外观技术的唯一保证义务。当您收到功能齐全的充电器时,该充电器将在未来的许多年中提供可观的好处。有关Exide和我们的产品的更多信息,请访问www.exide.com。最好的问候,外观技术... **安装指南** 1。2。将红色电缆连接到电池的正端子和黑色电缆的正端子上。3。选择电池类型(AGM/凝胶或标准),AH评级和技术的正确设置。4。一旦绿灯出现在选定的设置上,电池就会充满电。**用户指令**1。阅读安全说明并遵循概述的预防措施。2。将充电器的电源线连接到墙壁插座。前灯点亮。3。将红色电缆连接到电池的正端子和黑色电缆的正端子上。黄色LED(绿色的13.7 V供应)闪烁大约3秒钟。**安全预防措施**•除了为12V铅酸电池或为12V设备供电以外,请勿将充电器用于其他目的。•如果电缆,端子或套管受到任何损坏,请勿使用充电器。•电池在充电过程中发出爆炸性气体。因此,确保通风良好,避免了电池附近的火花和敞开的火焰。外观技术也没有任何其他保证陈述的约束。**功能描述**充电器是完全自动的,并且可以通过20至300 AH的能力进行高级铅酸电池充电。内置的安全功能可以在充电较大的电池时中断充电过程,尤其是那些大约360 AH的电池。**预防错误**为了降低电池过度充电的风险,充电器配备了中断功能,该功能会破坏充电过程,同时通过红色LED灯指示错误。**注意**:此警告可能在电池高于推荐的电池尺寸的电池时激活,或者在充电过程中连接到耗电设备(平行负载)时。**技术规格**模型:外部12/15 Exide 12/15是具有处理器控制的主要开关充电器。输入电压:220-240VAC±15%返回电压≤1mA充电电压:13.7-15.5在25°C(77°F)电源电压下:13.7 VDC最大电流:15波板电压:15波板电压:最大70 mv操作温度:**重要的通知:**重要的通知**其他范围或其他符合符号或其他范围。外观技术对超出提到的费用(即没有随后的费用)不承担任何责任。**用法指南** 12V铅酸电池20-300 AH ... Exide Technologies邀请您访问:www.exide.com ** Pag 173:安装**1。将主电源电缆连接到电气系统。2。将充电器的红线连接到电池的正端子(+)和黑线的正端子(+)与负端子( - )。3。** Pag 174:使用指令**1。2。3。设置正确的模式,电池容量(AH)和技术(AGM/凝胶或标准)。阅读安全指南并接受规定的预防措施。将主电源电缆连接到电气系统。充电器前面板上的灯照亮了。将充电器的红线连接到电池的正端子(+)和黑线的正端子(+)与负端子( - )。**安全指南**•除了为12 V铅酸电池或为12 V设备供电外,请勿将充电器用于任何其他目的。•如果电线,端子或外壳损坏,请勿使用充电器。•带电的电池释放爆炸性气体。因此,请勿在某些情况下使用它们。**Technical Specifications** Model: EXIDE 12/15 Input Voltage: 220-240VAC +/-15% Input Current: ≤1mA Charging Voltage: 13,7 – 15,5 VDC at 25ºC Charging Current: Max 15 A Voltage Ripple: Max 70 mV Ambient Temperature: -40 –... **Warranty** The warranty does not apply to situations where the product failure was caused by除外部技术或其授权代表以外的其他人使用或开放/维修不当。外观技术对超过上述指定的任何额外费用不承担任何责任,即,不可能进一步增加后续费用。**使用的提示**1。将充电器与电气系统断开连接。2。将充电器的红线连接到电池的正端子(+)和黑线的正端子(+)与负端子( - )。3。选择正确的电池类型和技术(AH)和型号(AGM/凝胶或标准电池)或13.7V电池。**安全说明**1。使用前请阅读安全指南。2。将充电电缆连接到充电器。3。将充电器的红线连接到正末端(+)和黑线与负端子( - )。4。如果充电器正确连接,则绿灯将闪烁3秒钟。**安全警告***该充电器旨在为12V铅酸电池充电和12V设备供电。*请勿将充电器用于其他目的。*如果电缆,连接器或外壳损坏,请勿使用充电器。*电池在充电过程中可能会产生爆炸性气体。确保在通风良好的区域内进行充电,并远离开火。**充电器功能**充电器是自动的,并且已编程为在20至300AH之间提高电荷铅酸电池。**警告**如果电池容量超过建议的尺寸或在充电时连接到另一个设备时,警报可能会发出警报。Page 187 **技术规格**模型:12/15输入电压:220-240 vac +/- 15%输出电流当前:≤1mA输出电压:13.7 - 15.5 VDC在25°C输出功率下输出功率:最大15A电压法规:...或他们的授权代表。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织(第一作者) 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装:线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所(IME) SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗:关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究,以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo;Tabiera, Michael Tabiera;Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计,适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I;Kuo, Hung-Chun;Jhong, Ming-Fong;Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian;Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong;Bauer, Robert;Rau, Ingolf;Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer;Gierth, Karl Felix Wendelin;Meier, Karsten;Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层:综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型,用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙;李振松;苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递(UCIe)的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩(1,2);甘汉臣(1,2);周云燕(1);雷波(1);宋刚(1);王启东(1) 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层(TSI)电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁;刘丹尼尔;蔡鸿明;李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司,鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装(FOPLP)中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战:材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas;安肯布兰德,马库斯;徐雷;弗罗利希,扬;阮香江; Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1); Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装(SiP)应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司(苏州)有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火(FLA)方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所(IME) SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎,Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术(FLAT) 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所(IME),新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar; Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑,博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板:一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin,Muhammad Ashraf; onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心,公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发:RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康;蔡礼乐;徐迅;帕瓦拉曼普里特;王杰;张理查德;符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1);张理查德 (1);林明强 (2);张斯忠 (2);杨旭蕾 (1); Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装,用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架,用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆;刘军;曹帅;Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性:远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划:一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv;Hegedüs, János;Lipák, Gyula;Németh, Márton;Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung;Kim, Seoah; Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh;Venkataraman, Nandini;Tseng, Ya-Ching;陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1);袁卡德摩斯 (2);蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju;Dutta, Rahul;Cheemalamarri, Hemanth Kumar; Vasarla Nagendra,Sekhar 微电子研究所 (IME),新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun;Kim, Dahee;Choi, Jaeyoung;Park, Wooseok;Choi, Younchan;Lee, Jeongho;Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue;Lau, Boon Long;Chia, Lai Yee;Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所(IME) SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所(IME) SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化,以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金;吉伦,伯特;塔克,克拉斯;萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中,在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国(2);GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马;田中、隼人;善意,库马尔; Kanaya,Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening,Alexander Phillip (1);Patel,Darayus Adil (2);Sisto,Giuliano (2);Lenormand,Erwan (2);Perumkunnil,Manu (2);Pantano,Nicolas (2);Kumar,Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔:一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马;田中、隼人;善意,库马尔; Kanaya,Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening,Alexander Phillip (1);Patel,Darayus Adil (2);Sisto,Giuliano (2);Lenormand,Erwan (2);Perumkunnil,Manu (2);Pantano,Nicolas (2);Kumar,Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US