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现在在德国奥地利提供晶圆刀片，...
Kulicke＆Soffa自2008年以来，英国和爱尔兰的Hub Dicing Blades专有分销商已被扩展到包括奥地利，德国，荷兰和葡萄牙。注释编辑此新闻稿是由Inseto（英国）发行的，受技术内容创建和通信机构声明（www.declaration.co.uk，+44（0）1522 789000）的限制。如果您对此公告有任何编辑询问，请联系Mandy Warrilow，新闻官员，mandy@declaration.co.uk。，如果您需要与本新闻稿有关的文章或任何其他形式的副本，请联系技术作者Richard Warrilow，Richard@declaration.co.uk。请致电+44（0）1264 334505与Matt Brown联系，或通过电子邮件（matt.brown@inseto.co.uk）与所有广告和赞助事务有关。关于Inteto（UK）Limited成立于1987年和ISO 9001：2015自2005年以来的认证，Inteto是针对半导体，微电动和高级技术领域的设备和相关材料的领先技术分销商，以及电子，自动化和工业制造的粘合剂。公司有三个部门，即：
铁基磁性非晶合金的激光增材制造
摘要：与磁致伸缩系数高但矫顽场大的多晶 Fe 基合金和磁致伸缩系数较小的 Co 基非晶合金（λ s = − 3 至 − 5 ppm）相比，Fe 基非晶材料具有高饱和磁致伸缩系数（λ s = 20–40 ppm）和低矫顽场，为磁传感器、执行器和磁致伸缩换能器提供了新的机会。增材层制造 (ALM) 为更复杂的净成型设计提供了一种新的制造方法。本文回顾了用于制造 Fe 基非晶磁性材料的两种不同的 ALM 技术，包括结构和磁性能。选择性激光熔化 (SLM)——一种粉末床熔合技术——和激光工程净成型 (LENS)——一种定向能量沉积方法——均已用于制造非晶态合金，因为它们在文献中具有高可用性和低成本。利用 SLM 技术引入了两种不同的扫描策略。第一种策略是双扫描策略，可实现 96% 的最大相对密度和 1.22 T 的相应磁饱和度。它还将玻璃相含量提高了 47% 的数量级，并提高了磁性能（将矫顽力降低至 1591.5 A/m，将磁导率提高至 100 Hz 时的 100 左右）。第二种是新颖的扫描策略，涉及两步熔化：初步激光熔化和短脉冲非晶化。这使非晶相分数增加到高达 89.6%，相对密度增加到 94.1%，并将矫顽力降低到 238 A/m。另一方面，尽管 LENS 技术具有提供优异的机械性能、可控的成分和微观结构等优点，但由于其几何精度较低（0.25 毫米）且表面质量较低，因此在非晶态合金生产中的应用并不像 SLM 那样广泛。因此，它通常用于复杂程度较低的大型部件及其修复，由于尺寸限制而限制了非晶态合金的生产。本文全面回顾了这些用于 Fe 基非晶态磁性材料的技术。
通过“添加剂晶界工程”拓宽工程材料的设计空间
晶界工程 (GBE) 是改善多晶固体性能的最成功的加工策略之一。然而，GBE 过程中涉及的大量热机械过程限制了其在特定应用和材料中的使用。在这篇观点论文中，我们讨论了增材制造 (AM) 技术提供的扩大 GBE 范式适用性的机会，从而扩大了工程材料的设计空间。通过在 AM 中集成专门设计的热机械加工，可以生产具有复杂几何形状和 GBE 微观结构的块状近净成形零件。我们讨论了这一努力中的主要挑战，并提出了一些实现这一目标的可能策略，我们将其称为“增材-GBE”。
晶圆级扇出型封装的可靠性和性能
为了分析 UBM 疲劳，使用热机械有限元模拟研究了圆形衬垫界面处的载荷。由于 Hutchinson 和 Sou [15] 推断出拉伸法向载荷的界面韧性远低于剪切载荷，因此重点关注法向载荷。模拟研究了 T = -40°C 至 125°C 的温度范围。在低温下 (T = -40°C) 存在最高的拉伸法向载荷。这可以通过焊球材料在低温下蠕变减少 [16] 来解释，这会导致更高的弹性应力。此外，在低温下可以检测到焊球的倾斜。倾斜是由 PCB 和封装的 CTE 不匹配引起的。因此，拉伸法向应力位于界面朝向封装周边的一侧（见图 3）。图 3 中的色标直观地显示了拉伸和压缩应力的定性分布。这些模拟结果与分层实验结果相一致（见图 1）：在焊盘的相同外部区域也发现了分层。
通过定向能量沉积制备超细 Fe-Fe2Ti 共晶
我们研究了通过定向能量沉积 (DED) 获得的 Fe-Fe 2 Ti 共晶微观结构，其过共晶成分为 Fe-17.6 at.% Ti。实现了低至 200 nm 的超细层状间距，这种特性只能通过吸铸等方法在薄样品中获得。然而，在层间边界 (ILB) 处观察到主要 Fe 2 Ti 相的球状形态，并带有 Fe 相的晕圈。因此，对于给定的 DED 条件，晶体结构在 ILB 上是不连续的。二维和三维分析方法都用于量化微观结构，包括高分辨率同步全息 X 射线计算机断层扫描 (HXCT)。通过相场建模，针对选定的成核场景和从共晶到过共晶的合金成分，探索了共晶系统在定性对应于激光增材制造条件下的一般行为。虽然模拟提供了有关微观结构形成的宝贵见解，但模拟指出，我们需要进一步加深对增材制造条件下熔化的理解，以便实施合适的成核和/或自由生长模型。模拟还表明，使用精确的共晶合金成分可以防止球状 ILB。
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
深入研究各种晶圆类型以实现射频最佳性能
高击穿电压：GaN器件可以处理高电压 高电子迁移率：GaN晶体管用于无线通信的功率放大器 高电子迁移率：GaAs表现出优异的电子传输特性，使其适用于高频应用 低噪声系数：基于GaAs的器件通常用于敏感RF接收器的低噪声放大器（LNA） 高功率处理能力：GaAs功率放大器在RF通信系统中普遍存在。
纳米晶石墨烯，用于超敏表面...-虹膜
信息工程，基础设施和可持续能源部（DIIES），雷格·卡拉布里亚（Reggio Calabria）的大学“地中海”。feo di vito，89122意大利雷吉奥·卡拉布里亚（Reggio Calabria），b agenzia nazionale per le nuove tecnologie，l'Energia e lo sviluppo经济索斯替尼比尔（Enea）（Enea），Casaccia Casaccia研究中心，罗马00123，ITALY C ITALY IBERIAN IBERIAN IBERIAN NANOTECHNOLOGE BRAIG-3 33 D YSESE大学材料科学与工程系，首尔，北大韩民国材料科学与工程系，首尔国立大学材料科学与工程部，首尔市长08826，大韩民国高级材料研究所高级材料研究所（RIAM），首尔国立大学，首尔国立大学，首尔08F826，韩国共和国Gustorea Gyernied Instuperiity offector offerea thepsier offeraea h himea keprotied首尔国立大学，首尔08826，大韩民国
TR JKM375-395M-6RL3-(V)-F30-A1.1-EN.ai - 晶科能源 - 首页
有效避免碎片、裂缝和断浇口风险 9BB技术采用圆形色带，可有效避免碎片、裂缝和断浇口风险