XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System如镓
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。
阿拉斯加净空部队基地 (CSFS) 远程识别雷达 (LRDR)
LRDR 旨在为作战人员提供先进的地面传感器功能，支持从导弹预警、跟踪和识别到空间领域感知等一系列需求。LRDR 具有无与伦比的能力，可以同时搜索、跟踪和识别多个小物体，范围非常远，全天候 24/7/365。LRDR 将成熟的固态雷达技术与成熟的弹道导弹防御算法相结合，所有这些都基于能够满足未来增长的开放式架构平台。LRDR 采用独特的方法在密集的作战空间中准确识别威胁，使其有别于当前的地面传感器。双单基阵列，每个阵列高 60 英尺，宽 60 英尺，与氮化镓技术相结合，形成更强大、更强大的雷达。该技术旨在：
通过循环商业模式降低材料关键性
可再生能源技术的应用对于实现联合国可持续发展目标 (SDG) 至关重要，例如关于可负担清洁能源的 SDG7 和关于气候行动的 SDG13 1 。然而，生产可再生能源基础设施需要越来越多的材料，例如铟、镓和稀土金属。这可能会导致环境影响的取代而不是减少，因为不可持续的化石燃料开发将被不可持续的可再生能源关键材料开发 2 所取代。例如，用于低碳技术的金属矿石开采和加工对环境具有深远而广泛的影响（例如水、人类和生态毒性）3 。这可能会导致与关于清洁水的 SDG6、关于减少不平等的 SDG10 以及关于海洋和陆地环境自然保护的 SDG14 和 SDG15 1 产生权衡。更好地利用材料和产品的循环经济战略可以提供解决方案，符合关于可持续消费和生产的 SDG12 1,4。
OPEN 2021 项目描述
用于终极固态照明的绿色发光二极管 - 750,000 美元 伊利诺伊大学香槟分校 (UIUC) 将研究直接发光的新型绿色发光二极管 (LED)，以加速固态照明 (SSL) 的采用，从而与非 SSL 相比，减少与照明相关的能源需求和温室气体排放约 25%。与非 SSL 相比，到 2035 年，向 SSL 的过渡可以使美国的能源需求和温室气体排放再减少 55%，占美国一次能源预算的 5%。立方氮化镓实现的高效绿色 LED 可用于消除偏振并减少光衰，使其比传统的基于 III-V 的 LED 技术效率更高。UIUC 的设计可以降低制造成本，并促进商业和住宅市场广泛采用高效混色 SSL 照明。
Alpha HPA 有限公司 (A4N)
• Alpha Sapphire B 阶段 FID 有望于 2025 年中期实现：A4N 将从现有的两个合成蓝宝石生长单元扩展到新工厂的 50 个单元（B 阶段扩建）的计划有望于 2025 年中期实现 FID。工程和成本建模正在进行中。A4N 最近将 B 阶段的 FID 推迟了大约六个月。该公司已经收到半导体制造商对下一代氮化镓 (GaN) 蓝宝石半导体平台的需求。这个新兴市场在一定程度上抵消了 microLED 显示器行业需求增长低于预期的影响。QIC 关键矿产和电池技术基金 (QCMBTF) 下的 B 阶段融资（3000 万美元）条款已更新，资金现在将可用至 2025 年 9 月 30 日，但前提是 Alpha Sapphire 董事会在 2025 年 6 月 30 日之前达成 FID。
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
对(𝟐̅𝟎𝟏)中蚀刻坑参数的分析......
摘要。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。关键词：选择性湿法蚀刻，β-Ga 2 O 3，氧化镓，半导体，晶体衬底，小角度晶界
开环风洞试验舱可行性实验评估
1 简介 讨论风洞中测试室的文献有限。主要原因是由于测试室的静态对称性，设计简单，要么使用圆形、正方形或矩形横截面，也与已经从收缩室流向测试室的流体有关 [1]。与空气动力学测试、湍流研究或风工程中的文章相关，它表明风洞在提供数据以分析样品与流体流动之间的相互作用方面发挥着重要作用。Manan 等人测试了混合动力汽车模型，而 Clarke 等人在设计阶段测试了自动驾驶汽车的空气动力学特性 [2]，[3]。其他相关研究包括测试颗粒的液压输送 [4]，以及研究磁场对电导率的相互作用，例如液态金属（汞、镓、钠等），它们受霍尔效应和物质因热量而产生的熵特性的影响 [4]。在大多数风洞设计中，风洞建设的重点是如何设计收缩
测试室在...中的可行性实验评估
1 简介 关于风洞测试室的讨论文献有限。主要原因是测试室静态对称，设计简单，横截面积为圆形、方形或矩形，也与已经从收缩室流向测试室的流体有关 [1]。结合空气动力学测试、湍流研究或风工程方面的文章，表明风洞在提供数据以分析样品和流体流动之间的相互作用方面发挥着重要作用。Manan 等人测试了混合动力汽车模型，而 Clarke 等人在设计阶段测试了自动驾驶汽车的空气动力学特性 [2]，[3]。其他相关研究包括测试粒子的液压输送 [4]，以及研究磁场对电导率的相互作用，例如液态金属（汞、镓、钠等），它们受霍尔效应和物质因发热而产生的熵特性的影响 [4]。在大多数风洞设计中，风洞建设的重点是如何设计收缩
测试室可行性实验评估...
1 简介 关于风洞测试室的讨论文献有限。主要原因是测试室静态对称，设计简单，横截面积为圆形、方形或矩形，也与已经从收缩室流向测试室的流体有关 [1]。结合空气动力学测试、湍流研究或风工程方面的文章，表明风洞在提供数据以分析样品和流体流动之间的相互作用方面发挥着重要作用。Manan 等人测试了混合动力汽车模型，而 Clarke 等人在设计阶段测试了自动驾驶汽车的空气动力学特性 [2]，[3]。其他相关研究包括测试粒子的液压输送 [4]，以及研究磁场对电导率的相互作用，例如液态金属（汞、镓、钠等），它们受霍尔效应和物质因发热而产生的熵特性的影响 [4]。在大多数风洞设计中，风洞建设的重点是如何设计收缩