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p-n杂孔索敏化器改进了Sono- ...
Sijia Wu 1,2 , Qian Wang 2 , Jun Du 2 , Qingxuan Meng 2 , Yuhao Li 2, *, Yuqing Miao 2 , Qing
正常细胞中癌基活化的基因组异常的机制...
作者：Taichi Igarashi，Marianne Mazevet，Takaaki Yasuhara，Kiyoshi Yano，Akifumi Mochizuki，
提高了在核反应堆中运行的机器人中安装的电子组件的辐射抗性
[1] eDditional办公室，“用于调查核事故的灾难管理机器人的开发”，《灾难研究杂志》，第3卷，第4期，第4页，305-306，2008年8月。[2] Tomoharu doi，Mitsuyoshi Shimaoka，Shigekazu Suzuki，“由技术学院或Kosen教育工作者构想的创意机器人大赛”，《机器人和机械学杂志》，第34卷，第34卷，第34页，第3页，第498-508-508-508-508-508，20222222222.[3] Kenjiro Obara，Satoshi Kakudate，Kiyoshi Oka，Akira Ito，Toshiaki Yagi和Morita Yosuke，“ iTer远程维护的辐射硬度组件的开发”，《机器人和机械学杂志》，《杂志[4] Andrew West，Jordan Knapp，Barry Lennox，Steve Walters，Stephen Watts，“一台小COTS单板计算机用于移动机器人的辐射公差”，核工程和技术，第54卷，第54页，第54页。2198-2203，2022年12月。[5] Zhangli Liu，Zhiyuan Hu，Zhengxuan Zhang，Hua Shao，Hua Shao，Ming Chen，Dawei Bi，Dawei Bi，Bingxu Nig，Ru Wang，Shichang Zou，Shichang Zou，“全部剂量效应在高压记忆力和方法中，核工具和方法” pp.3498-3503，2010年9月。[6] Zhangli Liu Zhiyuan Hu, Zhengxuan Zhang, Hua Shao, Ming Chen, Dawei Bi, Bingxu Ning, Shichang Zou, “Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory,” Microelectronics Reliability, Vol.51, pp.1148-1151, March 2011.[7] Bingxu ning，Zhengxuan Zhang，Zhangli Liu，Zhiyuan Hu，Ming Chen，Ming Chen，Dawei Bi，Shichang Zou，“辐射诱导的浅沟裂缝隔离泄漏在180-NM FLSH内存技术中”[8] Sandhya Chandrashekhar，Helmut Puchner，Jun Mitani，Satoshi Shinozaki，Satoshi Shinozaki，Mohamed Sardi，David Hoffman，“辐射在16 nm浮动大门SLC SLC NAND闪光灯中诱导软沟，Microelectronics Reliaics Reliaics Reliaics”，第108卷，第11331页，第8页。
通过杂化金属 - 有机化学蒸气沉积的2D半导体化学定制的生长
摘要：二维（2D）半导体过渡 - 金属二甲藻元化（TMDC）是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台，从而提出了强烈的需求，以了解其增长，兴奋剂和异质结构。尽管在固体源（SS-）和金属 - 有机化学蒸气沉积（MOCVD）中取得了显着进展，但仍需要进一步优化，以增强高度结晶的2D TMDC，并具有受控的掺杂。在这里，我们报告了一种混合MOCVD生长法，该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送，以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法，我们证明了WS 2的生长，具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态，包括蓝宝石，SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度，低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改，我们证明了V掺杂WS 2，Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法，可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字：金属 - 有机化学蒸气沉积，2D半导体生长，过渡金属二甲构代化，掺杂，合金，WS 2，MOS 2，MOS 2
用于化学和生物传感的硅杂化纳米结构的界面工程
这些和其他有吸引力的特点引起了人们对这种技术日益增长的兴趣，包括材料科学的基本方面和控制界面特性的化学方法。纳米材料合成方法和纳米制造技术的最新进展为具有极高界面面积和极小尺寸的化学传感器创造了机会，分别可以提高灵敏度和响应时间。以前的报告描述了独特的传感器类别，它们利用各种类型的纳米材料和设备架构进行有针对性的应用，活性材料包括有机半导体[3,4]、无机薄膜和纳米线[5–9]、碳纳米管[10]、石墨烯[11]和过渡金属二硫代化合物[12]。在所研究的广泛材料中，单晶硅及其衍生物尤其令人感兴趣，因为其具有优异、可重复和良好控制的电子特性，可实现卓越的性能和节能运行，并与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，用于集成多路复用和信号处理。各种研究都表明了此类化学传感平台的用途，重点是制备、组装、界面工程、电气性能和应用。与其他纳米材料（例如石墨烯、过渡金属二硫属化物、黑磷）相比，这些纳米材料通常包含一系列不受控制的活性位点（例如空位、晶粒边界和缺陷），对基面传感产生不利影响，而现代方法可以常规形成单晶硅，质量优异，成本低，面积大，结构和材料特性近乎完美。[13] 受控生长和/或光刻
天然，合成和杂化纤维增强聚合物复合材料的特性和应用：评论
摘要：与聚合物复合材料中合成增强相关的环境挑战，例如非生物降解性和可回收性差，需要探索各种天然材料，尤其是从废物流中，以全面或部分替代此类增强。然而，这些天然纤维还提出了挑战，例如高吸水，低热稳定性和平均机械性能。为了避免这些问题，包含一种或多种类型的自然增强的天然纤维增强杂化复合材料正在增加研究兴趣。本文介绍了对天然纤维增强杂化复合材料的评论。综述了天然和合成纤维（杂化纤维）增强的热塑性和热热器。总结了纤维的特性以及所得的复合材料和加工技术。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
通过瞬时表达实现有用蛋白质高产量的基因工程...
我们的目标是开发转基因本氏烟植物，利用瞬时表达系统产生大量有用蛋白质。我们已经创建了可以敲低（RNAi）或敲除（基因组编辑）目标基因的转基因植物。