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激光离轴角对铝合金（AA1050）在激光焊接过程中的孔隙率，流体流量和钥匙孔形成的影响
电动汽车（电动汽车）中座舱对电池选项卡的激光焊接至关重要。确保焊接质量至关重要，因为它取决于诸如孔隙率的产生，熔融池中的流体流动，施加激光功率和焊接速度等因素。然而，常规激光焊接技术主要侧重于沿焊接距离调节激光参数，努力有效地减轻孔隙率的形成。虽然对激光角沿焊缝截面的效应进行了广泛的研究，但尚未探索过轴轴激光角的影响，即在垂直于焊接方向的平面中的角度的效果，尚未探索。这项研究通过在不同激光能密度下改变激光轴轴的角度，以优化专门为减少孔隙率的过程，从而引入了一种创新的激光焊接方法。通过实施铝AA1050的激光焊接的三维计算流体动力学（CFD）模型，我们在采用不同的离轴角度的同时提供了详细的分析流体流量和熔体池尺寸。我们的模型结合了多种反射，向上的蒸气压和后坐压力，以解释不同激光轴轴轴的孔隙率的形成。结果表明，在优化的激光功率和焊接速度下增加激光轴的角度可显着降低孔隙率。在激光外轴角为4.92°时，数值分析与实验熔体池宽度为11％，最小误差为2.74°，最小误差为2.6％。对于熔体池深度，在4.92°的离轴角度为4.2％，最小差为7.2％，在7.42°的离轴角度下的最小差为0.5％。本研究提出了一种通过解决孔隙形成的特定挑战来改善激光焊接过程的新方法。
激光离轴角对铝合金（AA1050）在激光焊接过程中的孔隙率，流体流量和钥匙孔形成的影响
电动汽车（电动汽车）中座舱对电池选项卡的激光焊接至关重要。确保焊接质量至关重要，因为它取决于诸如孔隙率的产生，熔融池中的流体流动，施加激光功率和焊接速度等因素。然而，常规激光焊接技术主要侧重于沿焊接距离调节激光参数，努力有效地减轻孔隙率的形成。虽然对激光角沿焊缝截面的效应进行了广泛的研究，但尚未探索过轴轴激光角的影响，即在垂直于焊接方向的平面中的角度的效果，尚未探索。这项研究通过在不同激光能密度下改变激光轴轴的角度，以优化专门为减少孔隙率的过程，从而引入了一种创新的激光焊接方法。通过实施铝AA1050的激光焊接的三维计算流体动力学（CFD）模型，我们在采用不同的离轴角度的同时提供了详细的分析流体流量和熔体池尺寸。我们的模型结合了多种反射，向上的蒸气压和后坐压力，以解释不同激光轴轴轴的孔隙率的形成。结果表明，在优化的激光功率和焊接速度下增加激光轴的角度可显着降低孔隙率。在激光外轴角为4.92°时，数值分析与实验熔体池宽度为11％，最小误差为2.74°，最小误差为2.6％。对于熔体池深度，在4.92°的离轴角度为4.2％，最小差为7.2％，在7.42°的离轴角度下的最小差为0.5％。本研究提出了一种通过解决孔隙形成的特定挑战来改善激光焊接过程的新方法。
![b'porous [13]或树突[14]生长形态。 [9]在基于TFSI的电解质中检测到具有不同形状的半球3D颗粒，这是施加电流密度的函数。 [12]在Mg（TFSI）2盐中，具有MGCL 2的盐电解质，作为添加剂，连续的剥离和镀金导致SEI层的破裂和改革，从而在相应的断裂部位和不均匀的MG沉积中产生较大的有效电流密度。 [13]通过这种机制，半球形沉积物进一步降解为多孔形态和被困的沉积物，这些沉积物是不可逆转地损失的。非均匀Mg生长的最极端形式是树突的形成，在Mg阳极下，其发生的频率要小得多。到目前为止，仅在0.921 MACM 2的电流密度下仅针对MEMGCL的0.5 MOLDM 3溶液检测到树突。 [14]'](/simg/c/c3a21c42650d3ccade33d4bd198406da2b5388b9.webp)
b'porous [13]或树突[14]生长形态。 [9]在基于TFSI的电解质中检测到具有不同形状的半球3D颗粒，这是施加电流密度的函数。 [12]在Mg（TFSI）2盐中，具有MGCL 2的盐电解质，作为添加剂，连续的剥离和镀金导致SEI层的破裂和改革，从而在相应的断裂部位和不均匀的MG沉积中产生较大的有效电流密度。 [13]通过这种机制，半球形沉积物进一步降解为多孔形态和被困的沉积物，这些沉积物是不可逆转地损失的。非均匀Mg生长的最极端形式是树突的形成，在Mg阳极下，其发生的频率要小得多。到目前为止，仅在0.921 MACM 2的电流密度下仅针对MEMGCL的0.5 MOLDM 3溶液检测到树突。 [14]'
b'porous [13]或树突[14]生长形态。[9]在基于TFSI的电解质中检测到具有不同形状的半球3D颗粒，这是施加电流密度的函数。[12]在Mg（TFSI）2盐电解质中，MGCL 2作为添加剂，连续的剥离和镀金导致SEI层的破裂和改革，从而在相应的断裂部位和不均匀的MG沉积中产生大量有效的电流密度。[13]通过这种机制，半球形沉积物进一步降解为多孔形态和被困的沉积物，这些沉积物是不可逆转地损失的。最极端的非均匀Mg生长形式是树突的形成，在mg阳极下发生的频率要小得多。到目前为止，仅在0.921 MACM 2的电流密度下仅针对MEMGCL的0.5 MOLDM 3溶液检测到树突。[14]'