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World File Search System存储密度
磁光数据存储 - ACM 数字图书馆
磁驱动器和光驱动器技术最显著的两个物理特性是商业产品中数据存储密度的指数增长和记录磁头跟踪介质上记录信息的轨道的机械性能。存储密度指标称为“面”密度，即介质上每单位面积的位数。据位于加利福尼亚州山景城的市场研究公司 DISK/TREND, Inc. 称，磁盘存储的面密度最近每 8 到 12 个月翻一番，而 MO 存储的面密度则每 24 个月翻一番。这一进步意味着存储信息位的成本呈指数下降 — 对客户的价值在任何其他行业都是闻所未闻的。当人们意识到驱动器中“飞行”的磁头（通过缩放）类似于一架 747 飞机在几英寸的起伏地形上飞行时，磁盘驱动器的机械操作令人震惊
格勒诺布尔城市供热网 Flaubert 变电站 180 kWh PCM 热存储的设计和运行
摘要：在法国格勒诺布尔建设新生态社区的框架内，正在建设一个创新的城市供热网络，旨在将低温变电站（47°C - 72°C）、200m² 太阳能热场、180kWh 相变材料 (PCM) 储热装置（基于管壳组件）和智能管理系统结合在一起。本文重点介绍城市供热网络 PCM 存储组件的设计和初步运行。设计简要介绍，重点介绍仪器、PCM 特性以及管壳式热交换器的热工水力特性。还介绍了针对不同功率（20kW、40kW、55kW、75kW、100kW）和入口温度（80°C、85°C）分析的充电循环，以及仅针对不同功率（25kW、40kW）分析的放电循环。该分析的结果用于确定系统的存储密度，在 56°C - 85°C 的温度范围内（不考虑绝缘），存储密度为 45kWh/m 3 （单个 PCM 为 69.7kWh/m 3 ）。
ASRS 的演变：技术如何发展以解决履行问题
注释：1 整个过程中的典型零售批次拣选 2 示例显示，在 3 个班次中，大约有 50% 的生产线包含 50% 的总 SKU 3 考虑系统在处理单个和箱子时的效率 4 考虑货箱存储密度以及下游包装和分类空间
基于纳米纤纤维纤维素/聚体杂交气凝胶的形式稳定相变复合材料具有极高的能量存储密度和提高的光热转化效率
容量，合适的相变温度和化学稳定性。17 - 20然而，N-烷烃在太阳能利用中的大量应用是在相变期间受到液体泄漏问题的严重限制。将N-烷烃封装以形成核心 - 壳微囊被认为是一种有效的方法。但是，封装过程始终很复杂，并且封装的PCMS的相变焓显着减少。21 - 23因此，迫切需要制造含有高相变焓，形状和热稳定性的PCM的N-烷烃。最近，已引起广泛的关注，以浸入三维（3D）气凝剂中的PCM，以构建形状稳定的防漏PCM复合材料。24 - 26尤其是纳米 - 闪烁的纤维素（NFC）气凝胶不仅可以有效地防止固体 - 液态PCM的泄漏，而且还可以对环境友好。因此，有必要以NFC气凝胶作为支撑材料研究固体 - 液相变化材料。Kim等。 27使用甲基纤维素（CMC）制备的碳泡沫。 此外，复合PCM（CPCM）通过真空浸渍将促红节醇纳入纤维素碳泡沫中。 热循环测试表明，与纯赤丝醇相比，CPCM表现出的相变焓损失要少得多。 这些结果可能发生了，因为碳泡沫的孔可以防止促赤醇的泄漏，从而最大程度地减少了通过毛细管热循环测试期间的潜热损失。 Lei等。 28通过准备了一种新颖的CPCMKim等。27使用甲基纤维素（CMC）制备的碳泡沫。此外，复合PCM（CPCM）通过真空浸渍将促红节醇纳入纤维素碳泡沫中。热循环测试表明，与纯赤丝醇相比，CPCM表现出的相变焓损失要少得多。这些结果可能发生了，因为碳泡沫的孔可以防止促赤醇的泄漏，从而最大程度地减少了通过毛细管热循环测试期间的潜热损失。Lei等。 28通过准备了一种新颖的CPCMLei等。28通过
decadal计划概述
2。内存需求的增长将超过全球硅的供应，为新的新内存和存储解决方案提供了机会。年度投资需求：在这十年中，$ 7.5亿美元，以开发新兴的记忆/记忆织物，以> 10-100x密度和能源效率提高记忆层次结构。发现具有> 100倍存储密度功能的新存储系统和存储技术。
NEZ Perce太阳能和能源倡议
时间轴：开始日期：4/1/2020计划结束日期：5/31/2022关键里程碑（插入2-3个关键里程碑和日期）1。开发了基于鱿鱼齿齿（SRT）的新型生物PCM，其室温存储和导热率开关功能2。缩放绿色，SRT PCM的碳中性制造3。开发了新的调节工具，以测量薄膜PCM的热导率和能量存储密度：
SRC 十年计划报告概述
2. 内存需求的增长将超过全球硅片供应，为全新的内存和存储解决方案带来机遇。年度投资需求：未来十年内每年 7.5 亿美元，用于开发密度 >10-100 倍且能效提高的新兴内存/内存结构，使内存层次结构的每个级别都更具能效。探索存储密度 >100 倍的新型存储系统和存储技术。
双参考层STT-MRAM结构提高了性能
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机记忆（STT-MRAM）是一项新兴技术，该技术旨在取代其不易作用，并且由于其不易作用，并且越来越改善功耗，高存储密度，快速的写作速度，强大的耐力和长期数据退休，因此可能会替代其不易启动性的闪光，DRAM和慢速SRAM。如图1A，STT-MRAM设备由铁电磁（FM）参考层（RL）组成，具有固定磁化方向，绝缘体隧道屏障（TB）和铁磁自由层（FL），具有可变的磁化方向。这三层的连接形成了磁性隧道连接（MTJ），由于这是单元的中心分量，因此整个结构被称为单个MTJ（SMTJ）。信息是基于出现的不同电阻水平存储的，当将FL磁化设置为平行（P）或反平行（AP）与RL磁化方向时。这些磁化状态之间的变化是通过通过与层堆栈平行的结构进行足够大的电流来实现的[1]。目前，STT-MRAM设备面临的挑战之一是它们的小型化是为了达到增加的存储密度，这将使它们用于更广泛的应用，从而扩大了对常规波动记忆的竞争力。该目标的主要途径是减小位单元大小，该大小主要由提供开关电流所需的接触尺寸确定。因此，降低电流和同样的电压，
固体媒体热能储能系统用于供暖电动汽车：最高储存密度的高级概念
摘要：热能储能系统的整合可以改善发电厂和工业过程中众多应用的效率和灵活性。通过将这些技术转移到运输部门，现有电位可用于热管理概念，并可以开发新的热量。为此，作为DLR Next Generation Car（NGC）项目的一部分，针对电池电动车辆的固体媒体高温热储能系统的技术开发正在进行。此类概念的想法是在定义的温度水平上通过旁路概念将其储存并通过旁路概念排放。使用此类溶液时的决定性标准是高度的全身存储密度，可以通过在高温水平上存储热量来实现。但是，需要在储存高温热时，需要用于热绝缘的尺寸，从而导致可实现的全身存储密度的限制。为了克服这种局限性，提出了替代的热绝缘概念。到目前为止，常规的热绝缘措施是基于有效的热绝缘材料的储藏膜，因此，厚度是由于安全限制而导致的，该安全性限制了允许的最大表面温度。相比之下，替代概念可以通过将外部搭桥整合到充电期内的系统绝缘材料中的全身优势来实现。在放电期间，可以将预热材料内未使用的热量或热量损失整合到旁路路径中，并且可以通过主动冷却在装载过程中降低绝缘厚度。使用详细的模型进行参考和替代热绝缘概念，对相关侵蚀变量和根据定义的规格进行了系统模拟研究。结果证明，与先前的解决方案相比，替代热绝缘概念可以取得显着改善，并具有明显的改善，并且可以克服现有局限性。