晶体管需要低电源电压,因此不幸的是,电路节点上的临界电荷会降低。因此,在航空航天应用中,电路容易受到甚至低辐射能量引起软误差的颗粒的撞击[1]。辐射颗粒包括质子,中子,α颗粒,重离子,电子等[2]。粒子的碰撞会产生许多电子和孔,这些电子和孔可以在受影响的晶体管的排水口收集,从而导致瞬态电压干扰。在顺序/存储电路中,存储节点的值可以暂时翻转(如果可以恢复)或长时间翻转(如果它是无法恢复的,并且需要在下一个时钟周期中需要刷新),从而导致单个事件沮丧(SEU)[3]。请注意,单节点误(SNU)是一种类型的SEU。在组合/逻辑电路中,逻辑门的输出值可能会受到干扰,输出单个事件瞬态(set)脉冲[4]。SEU和集合是典型的软错误,在最坏情况下会导致电路失败甚至系统崩溃。因此,航空应用非常需要软误差。
摘要 机载传感器数据速率高,由于下行链路带宽有限,需要机载高速存储系统。NAND Flash 及其制品是最常见的存储介质,而传统的 FAT 文件系统在存储系统中得到广泛应用。然而,使用该文件系统记录实时高速数据存在稳定的问题。FAT 文件系统的管理时间相对较长,这是由于内部开销(包括检索和更新 FAT 和 FDT)造成的。本研究的目的是研究实时文件系统的技术。为解决这一问题,提出了一种称为 FPFPA(FAT 后分配和 FDT 后分配)的方法。为了评估所提方法的性能,在机载雷达高速存储系统上测试了采用我们的方法的文件系统的管理时间。结果表明,所提方法成功实现了我们的目标,文件系统的管理时间显著减少且足够小。关键词:机载传感器、文件系统、实时、高速存储 分类:存储电路与模块
模拟器和Layout编辑器。研究由于VLSI技术的进步,研究各种问题。使用各种逻辑方法及其局限性研究数字电路。在VLSI技术的背景下突出电路设计问题。课程内容:I单元I实践考虑和VLSI设计介绍,集成电路的大小和复杂性,微电子领域的大小和复杂性,IC生产过程,处理步骤,包装和测试,MOS流程,NMOS流程,CMOS流程,CMOS流程,双极技术,双极技术,混合技术,设计规则和过程参数。单元II设备建模DC模型,小信号模型,MOS模型,高频和小信号的MOSFET模型,短通道设备,子阈值操作,MOSFET的噪声源建模,二极管模型,双极模型,被动组件模型。单元III电路模拟引入,使用SPICE,MOSFET模型,1级大信号模型,2级信号模型,高频模型,高频模型,MOSFET的噪声模型,大信号二极管电流,高频BJT模型,BJT噪声模型,BJT的温度依赖性。单元IV结构化的数字电路和系统随机逻辑和结构化逻辑形式,寄存器存储电路,准静态寄存器单元,敏锐的寄存器单元,微观编码控制器,微处理器设计,收缩期阵列,位序列处理元件,Algotronix。单元V CMOS处理技术基本CMOS技术,基本的N-Well CMOS过程,双浴缸工艺,CMOS ProcessEnhancement,互连和电路元素,布局设计规则,锁存规则,锁存,物理起源,锁存触发,锁存触发,预防预防,内部闩锁预防技术。