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FDC6303N 数字 FET，双 N 通道 - Mouser Electronics
ON Semiconductor 和 ON Semiconductor 徽标是 Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor 或其子公司在美国和/或其他国家/地区的商标。ON Semiconductor 拥有多项专利、商标、版权、商业秘密和其他知识产权。可在 www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf 上查看 ON Semiconductor 产品/专利范围列表。ON Semiconductor 保留对此处任何产品进行更改的权利，恕不另行通知。ON Semiconductor 不对其产品是否适用于任何特定用途作任何保证、陈述或担保，也不承担因应用或使用任何产品或电路而产生的任何责任，并明确否认任何和所有责任，包括但不限于特殊、间接或附带损害。无论安森美半导体提供何种支持或应用信息，买方均应对其产品和使用安森美半导体产品的应用负责，包括遵守所有法律、法规和安全要求或标准。安森美半导体数据表和/或规格中可能提供的“典型”参数在不同应用中可能会有所不同，实际性能也可能随时间而变化。所有操作参数，包括“典型”参数，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。安森美半导体不转让其专利权或他人权利下的任何许可。安森美半导体是一个机会均等/采取平权行动的雇主。安森美半导体产品并非设计、预期或授权用作生命支持系统或任何 FDA 3 类医疗设备或外国管辖区内具有相同或类似分类的医疗设备或任何旨在植入人体的设备中的关键组件。如果买方购买或使用安森美半导体产品用于任何此类非预期或未经授权的应用，买方应赔偿安森美半导体及其高管、员工、子公司、关联公司和分销商，并使其免受因与此类非预期或未经授权的使用相关的人身伤害或死亡索赔而直接或间接产生的所有索赔、成本、损害和费用以及合理的律师费，即使此类索赔声称安森美半导体在部件的设计或制造方面存在疏忽。本文献受所有适用的版权法约束，不得以任何方式转售。
开发基于 25kW SiC 的快速直流充电器（第 1 部分）
Dionisis Voglitsis 是安森美半导体的应用工程师。他负责开发和实施电机控制和充电应用的控制算法和控制方案。在 2019 年加入安森美半导体之前，Dionisis 曾担任多个欧洲和国家研究项目的研究员，同时还加入了飞利浦先进技术中心。Dionisis 是该领域 30 多篇研究和技术论文的作者和合著者，这些论文发表在高质量期刊（IEEE Transactions and Journals）上，被 200 多篇论文引用。他还是“Energies”MDPI 期刊的客座编辑。他拥有能源工程工程学位、荷兰代尔夫特理工大学无线电力传输硕士学位以及希腊色雷斯德谟克利特大学 (DUTH) 电气工程博士学位。
最终产品/工艺变更通知
描述和目的：安森美半导体希望通知所有客户，我们分包商工厂 TFME 生产的整流器产品所用的模塑化合物发生了变化。这是 IPCN22647 的最终产品变更通知 (FPCN)。此变更是由于三星就其多种 SDI 模塑化合物发出了停产通知。由于 SDI 模塑化合物停产，安森美半导体现有材料的供应有限，在某些情况下，这可能无法提供正常的变更通知期。受影响产品的所有其他方面（外形、配合、功能）将保持不变。由于预计受影响的模塑化合物的当前供应将出现短缺，因此必须重新发布此通知并提前实施。我们当前的供应商无法在此停产过程中充分满足我们的需求。我们希望这不会造成任何不便。
MWSCAS-2024_征文通知.pdf
会议委员会联合主席 Neeraj Magotra 西新英格兰大学 neeraj.magotra@wne.edu Randy Geiger 爱荷华州立大学 r.geiger@ieee.org 技术程序委员会联合主席 Jose Silva-Martinez 德克萨斯 A&M 大学 jose-silva-martinez@tamu. edu Kourosh Rahmamai 西新英格兰大学 kourosh.rahnamai@wne.edu Robert Brennan 安森美半导体公司 Robert.Brennan@onsemi. com 财务 Robert (Bob) Alongi r.alongi@ieee.org 出版物 Stephen Adamshick 西新英格兰大学 stephen.adamshick@wne. edu 特别会议 Ayman Fayed 俄亥俄州立大学 fayed.1@osu.edu John Burke 西新英格兰大学 john.burke@wne.edu Sudipto Chakraborty IBM schakraborty@ibm.com Samuel Palermo 德州农工大学 spalermo@tamu.edu 教程 Gabriel Rincon-Mora 佐治亚理工学院 rincon-mora@gatech.edu Nicole McFarlane 田纳西大学 mcf@utk.edu
SYL_M1_EEA-ESET.pdf
EEA-ESET 硕士的目标是培养科学主管、嵌入式应用和电信电子系统分析和设计的专家。所获得的知识使我们能够理解和开发从电子芯片到系统的多个描述层面的设备。尽管与软件的交互不是培训的重点，但也进行了讨论，因为对它的研究对于理解系统的全部复杂性是必要的。因此，这个为期两年的培训课程涵盖了电子领域的大部分领域，包括与嵌入式系统和/或电信相关的限制。所涵盖的领域非常广泛，为大型工业集团（特别是恩智浦、泰雷兹阿莱尼亚宇航、安森美半导体、大陆集团、阿尔斯通、空客、泰雷兹、欧米克、意法半导体、联合单片机）提供了各种各样的工作岗位
碳化硅 (SiC) 专利格局 2022
受 SiC 技术在电动汽车 (EV) 应用中的采用推动，SiC 功率器件市场正在快速增长。2021 年 SiC 功率器件市场收入超过 10 亿美元，主要由位于欧洲（意法半导体、英飞凌）、美国（Wolfspeed、安森美）和日本（罗姆半导体、三菱电机、富士电机）的公司获得。此外，Yole Développement 最近预测未来几年 SiC 功率器件市场将达到数十亿美元，到 2027 年将超过 60 亿美元，预计 2021-2027 年复合年增长率为 34%。显然，包括中国和韩国在内的其他半导体行业主要国家也已公布了发展本国 SiC 产业的雄心。然而，他们能否在短期或中期内建立功率 SiC 技术所需的整个供应链，尤其是建立 SiC 晶圆的国内供应，受到了质疑。事实上，SiC 晶圆业务的进入门槛非常高，目前能够为功率器件制造商批量生产大面积和高质量 SiC 晶圆的公司数量非常有限，因此他们能够满足电动汽车行业对器件的严格要求。在这种背景下，
半导体研究机会
Sohrab Aftabjahani，英特尔 Ameen Akel，美光 Robert Boland，BAE 系统 Jeff Burns，IBM* Rosario Cammarota，高通* Jon Candelaria，SRC Gary Carpenter，ARM C.-P. Chang，应用材料 An Chen，IBM* Ching-Tzu Chen，IBM* Michael Chen，Mentor Graphics Paula Collins，德州仪器 Ken Curewitz，美光 Scott DeBoer，美光 Robert Doering，德州仪器 Sean Eilert，美光 Rich Fackenthal，美光 Mike Fitelson，诺斯罗普·格鲁曼 Patrick Groeneveld – 新思科技 James Hannon，IBM* Ken Hansen，SRC Daryl Hatano，安森美半导体 C.-M. Hung，联发科 David Isaacs，SIA Clas Jacobson，联合技术公司 Steve Johnston，英特尔 Lisa Jones，诺斯罗普·格鲁曼公司 Marc Joye，恩智浦 Ravi Kanjolia，EMD Performance Materials Thomas Kazior，雷神公司 Taffy Kingscott，IBM Curt Kolovson，VMWare Steve Kramer，美光* Zoran Krivokapic，格罗方德半导体 Ming-Ren Lin，格罗方德半导体* Yu-Ming Lin，台积电 Scott List，SRC
2017 年 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（印度理工学院，孟买）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学）• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
薄铝焊盘上不同尺寸探针标记的引线键合研究
使用各种悬臂探针针尖多次探测具有薄焊盘铝 (Al)（厚度小于 0.7µ）的 IC 键合焊盘。探针标记由具有各种针尖直径的实验性高强度探针卡创建。将探针针尖的有限元模型与探针标记擦洗长度相匹配，以更学术地了解随着探针参数的变化会发生什么。使用此模型进行模拟将有助于未来进行物理实验困难或成本高昂的情况。实验中的键合焊盘包括各种安森美半导体电路焊盘下 (CUP) 结构，该结构具有 Al 金属化和二氧化硅 (SiO 2 ) 互连，先前已证明与传统 IC 键合焊盘相比具有更强的抗开裂能力。随着未来产品的焊盘缩小，更小的球尺寸和键合接触面积是可取的，但这会加剧探针标记的任何不利影响，因为键合下方的相对面积百分比会增加。实验评估包括对各种探针标记范围内不同球直径的金 (Au) 球键合的键合拉力强度 (BPS) 和键合剪切力 (BS)，以开始检查引线键合中惯常的“探针标记面积”最大限制的有效性。数据表明，大而深的探针标记确实会导致键合球提升失败，尤其是对于未优化的键合配方。看来探针标记深度，而不是面积，是键合可靠性中最不利的因素。在更受控制和“温和”的制造情况下，预计不会出现与探针标记键合相关的问题。
2017 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（孟买印度理工学院）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学） • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔