XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System实用手册
评估威胁性的QLD手册。 ...
根据本许可，您无需寻求我们的许可即可根据许可条款使用本出版物。您必须保留完整的版权通知，并将昆士兰州状态归因于出版物的来源。有关此许可证的更多信息，请访问https://creativecommons.org/licenses/4.0/免责声明，该文档是根据出版时谨慎准备的，请谨慎地准备。该部门对本文档中的任何错误或遗漏不承担任何责任。其他各方根据本文件做出的任何决定仅是这些当事方的责任。本文档中包含的信息来自许多来源，因此，不一定代表政府或部门政策。如果您需要用英语以外的其他语言访问此文档，请致电131 450致电翻译和口译服务（TIS National），并在+61 7 3170 5470向他们访问电话库服务。可以以替代格式提供此出版物（例如大打印或录音带）应对视力障碍的人的要求；电话+61 7 3170 5470或电子邮件。引用Collingwood T.D.，Verrall，B.，Parisi，M.A.，Noble，E.A.，Riddell，K.B。2024。评估昆士兰州的受威胁物种：一本实用手册。版本3.0。布里斯班：昆士兰州政府环境与科学系昆士兰州植物园和生物多样性科学。感谢安德鲁·福特（Andrew Ford）慷慨地提供了昆士兰州特有植物群的照片。致谢感谢您伊恩·吉瑟（Ian Gynther），迈克尔·马蒂森（Michael Mathieson）博士和约翰·尼尔德纳（John Neldner）博士以及他们的编辑和建议，这些和建议改善了较早的版本。2024年3月的前封面图像：从北昆士兰州的湿热带生物区中非常受限制的分布中知道了阿卡拉特菌。根据1992年《自然保护法》，该物种被评估为几乎受到威胁，并需要使用常见评估方法进行重新评估。图像©Andrew Ford。后盖图像：Goodenia Stirlingii仅限于北昆士兰州的湿热带和Einasleigh Uplands Bioregion。最近使用常见评估方法将该物种重新评估为易受伤害。图像©Andrew Ford。
1 CdSnAs2 的结构、电子和热特性...
(1) Lincot, D.；Guillemoles, JF；Taunier, S.；Guimard, D.；Sicx-Kurdi, J.；Chaumont, A.；Roussel, O.；Ramdani, O.；Hubert, C.；Fauvarque, JP；Bodereau, N.；通过电沉积制备黄铜矿薄膜太阳能电池。太阳能 2004，77，725-737。 (2) Todorov, T.；Mitzi, DB 光伏器件黄铜矿吸光层的直接液体涂层。欧洲无机化学杂志 2010，1，17-28。 (3) Jäger-Waldau, A. 在《光伏实用手册》中 McEvoy, A；Markvart, T.；Castañer, L. 编辑；Academic Press，2012； IC-4 章，第 373-395 页。（4）Cao, Q.；Gunawan, O.；Copel, M.；Reuter, KB；Chey, SJ；Deline, VR；Mitzi, DB Cu（In, Ga）Se 2 黄铜矿半导体中的缺陷：材料特性、缺陷态和光伏性能的比较研究。Adv. Energy. Mater. 2011，1，845-853。（5）Rockett, AA 黄铜矿太阳能电池的现状和机遇。Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 2010，14，143-148。（6）Fiechter, S.；Tomm, Y.；Kanis, M.；Scheer, R.；Kautek, W. 论黄铜矿型 CuInS 2 的均质区、生长模式和光电特性。 Phys. Status Solidi B 2008 , 245, 1761-1771。（7） Marron, DF; Cánovas, E.; Levy, MY; Marti, A.; Luque, A.; Afshar, M.; Albert, J.; Lehmann, S.; Abou-Ras, D.; Sadewasser, S.; Barreau, N. 对基于黄铜矿的中间带材料纳米结构方法的光电评估。Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2010 , 94, 1912-1918。（8） Kerroum, D.; Bouafia, H.; Sahli, B.; Hiadsi, S.; Abidri, B.; Bouaza, A.; Timaoui, MA 压力对锌硅二砷化物 ZnSiAs 2 -黄铜矿的机械稳定性和光电行为的影响：DFT 研究。Optik 2017，139，315-327。（9）Ohmer, MC；Pandey, R. 黄铜矿作为非线性光学材料的出现。MRS Bull。1998，23，16-22。（10）Kildal, H.；Mikkelsen, JC 黄铜矿 AgGaSe 2 中的非线性光学系数、相位匹配和光学损伤。Opt. Commun. 1973，9，315-318。（11）Abrahams, SC； Bernstein, JL 压电非线性光学 CuGaS 2 和 CuInS 2 晶体结构：AIB III C 2 VI 和 A II B IV C 2 V 型黄铜矿中的亚晶格畸变。J. Chem. Phys. 1973 ，59，5415-5422。（12）Boyd, G.；Buehler, E.；Storz, F.；Wernick, J. 三元 A II B IV C 2 V 黄铜矿半导体的线性和非线性光学特性。IEEE J. Quantum Electron. 1972 ，8，419-426。（13）Feng, W.；Xiao, D.；Ding, J.；Yao, Y. I-III-VI 2 和 II-IV-V 2 黄铜矿半导体中的三维拓扑绝缘体。Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 016402. (14) 赵YJ; Zunger, A. 自旋电子 CuM III X 2 VI 黄铜矿半导体中 Mn 取代的位点偏好。物理。 Rev. B 2004 , 69, 075208。 (15) Koroleva, LI; Zashchirinskiĭ，DM；卡帕耶娃，TM；马伦金，SF；费多尔琴科，四世；希姆恰克，R.；克鲁祖曼斯卡，B.；多布罗沃尔斯基，V.；基兰斯基，L.锰掺杂的 ZnSiAs 2 黄铜矿：一种用于自旋电子学的新型先进材料。Phys. Solid state 2009，51，303-308。（16）Shay, J. L；Wernick, JH 三元黄铜矿半导体：生长、电子特性和应用。英国牛津，帕加马出版社，1975 年。（17）Medvedkin, GA；Ishibashi, T.；Nishi, T.；Hayata, K.；Hasegawa, Y.；Sato, K. 新型稀磁半导体 Cd 1-x Mn x GeP 2 的室温铁磁性。Jpn. J. Appl. Phys. 2000，39，L949。