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World File Search System室温
室温大磁电在过渡态...
人们越来越关注新型磁电 (ME) 材料，这种材料在室温 (RT) 下表现出强大的 ME 耦合，可用于高级存储器、能源、自旋电子学和其他多功能设备应用，利用通过磁场控制极化和/或通过电场控制磁化的能力。获得具有强 ME 耦合的 ME 材料、了解其起源并操纵其加工和成分以实现室温下的大 ME 系数是多铁性研究的重要一步。为了解决这个问题，我们研究了 Ni 掺杂的 Pb(Zr 0.20 Ti 0.80 )O 3 (PZT) 的多铁性和 ME 特性。我们发现 Ni 掺杂 PZT 的铁电（TC ~ 700 K）和弱铁磁（~ 602 K）相变远高于 RT，导致强 ME 耦合系数（ E,31）为 11.7 mVcm -1 Oe -1（H ac = 1 Oe 和 f = 1 kHz）。虽然 X 射线衍射表明这是一种单相材料，但高分辨率透射电子显微镜揭示了有和没有 Ni 存在的区域；因此两相之间的磁电耦合是可能的。第一性原理计算表明 (Ni Pb ) × 缺陷可能是造成 Ni 掺杂 PZT 中实验观察到的磁性和 ME 耦合的原因。我们进一步证明 Ni 掺杂 PZT 表现出低损耗角正切、低漏电流、大饱和极化和弱
在大气窗口的室温下在室温下检测到超敏感的杂项
安吉拉·瓦萨内利（Angela Vasanelli），《上级师范大学的物理学转移》，PSL大学，CNRS，索邦大学，巴黎大学Livia的Mohammadreza Saemian CNRS，索邦大学，法国法国巴黎大学，法国， yakko.todorov@phys.ens.com（Y。（M. Saemian）。（Ballow的L.）。0003-0334-1815（D。D. Gacemi）。（E。Rodriguez）。Olivier Lopez和BenoitDarquié，激光物理激光器，CNRS， darquié） l.h.li@leeds.ac.uk（L。li），（L. Li）。https://orcid.org/0000-0002-1987-4846（A.G。Davies）。 https://orcid.org/0000-0001-6912-0535（E. Linfield）https://orcid.org/0000-0002-1987-4846（A.G。Davies）。https://orcid.org/0000-0001-6912-0535（E. Linfield）
室温 - 量子 - 输入 -
单线裂变（SF）可以生成一个交换耦合五重奏三联对状态5 tt，这可能会导致量子计算和量子传感的实现，即使在室温下，也可以使用纠缠的多个量子。然而，观察5吨的量子相干性仅限于低温温度，基本问题是哪种材料设计将使其室温量子相干性。在这里我们表明，在室温下，在发色团综合金属有机框架（MOF）中，SF衍生的5 tt的量子相干性可以超过一百纳秒。MOF中发色团的微妙运动导致5 tt生成所需的交换相互作用的足够波动，但同时也不会引起严重的5 tt腐蚀性。此外，可以通过分子运动来控制量子跳动的相位和振幅，从而开放基于多个量子栅极控制的室温分子量子计算。
室温连续波的演示...
实现了在轴上硅（001）面上直接生长的InGaAs/AlGaAs量子阱激光器的室温连续波工作。首先在金属有机化学气相沉积系统中在硅衬底上生长一层厚度为420 nm、完全没有反相畴的GaAs外延层，然后在分子束外延系统中依次生长其他外延层（包括四组五周期应变层超晶格和激光结构层）。激光器采用宽条法布里-珀罗激光器，条带宽度为21.5 μm，腔长为1 mm。典型阈值电流和相应的阈值电流密度分别为186.4 mA和867 A/cm 2 。激射波长约为980 nm，斜率效率为0.097 W/A，在注入电流为400 mA时单面输出功率为22.5 mW。这一进展使得与量子阱激光器相关的硅基单片光电集成更加有前景，可行性增强。
在掺杂的范德华磁铁中泛滥的室温超越室温铁磁
1 Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Lab, Berkeley, California 94720, USA 2 Physics Department, University of California, Berkeley, California 94720, USA 3 School of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA 4 Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, USA 5 Quantum Design, Inc.，San Diego，CA 92121，美国6应用物理系，耶鲁大学，纽黑文，康涅狄格州，06511，美国7 NSF纳米级科学与工程中心（NSEC），3112 Etcheverry Hall，加利福尼亚大学，伯克利分校，加利福尼亚州伯克利分校，加利福尼亚州94720，美国947年77，美国947，伯克利贝克利氏caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley，美国纽约市康奈尔大学康奈尔大学纳米级科学的卡夫利研究所（Nanscale Science）14853，美国（日期：2022年5月26日）
接近诱导界面室温...
Qianwen Zhao 1, 2 , Yingmei Zhu 3, 4 , Hanying Zhang 1, 2 , Baiqing Jiang 1, 2 , Yuan Wang 1, 2 , Tunan Xie 1, 2 , Kaihua Lou 1, 2 , ChaoChao Xia 1, 5 , Hongxin Yang 3, 4* , and C. Bi 1, 2, 5*
透明无色液体（室温下
包装说明书（“文档”）。不声称适用于 FDA 监管的应用。本文提供的保证仅在经过适当培训的人员使用时有效。除非文档中另有说明，否则本保证仅限于产品在正常、正确和预期使用的情况下，自发货之日起一年内有效。本保证不适用于买方以外的任何人。提供给买方的任何模型或样品仅用于说明商品的一般类型和质量，并不代表任何产品将符合此类模型或样品。不授予任何其他明示或暗示的保证，包括但不限于适销性、适用于任何特定用途或不侵权的暗示保证。保修期内，买方对不合格产品的唯一救济仅限于卖方自行选择维修、更换或退还不合格产品。卖方不承担因以下原因导致的产品维修、更换或退还：(I) 事故、灾难或不可抗力事件；(II) 买方的误用、过失或疏忽；(III) 以非设计方式使用产品；或 (IV) 不当储存和处理产品。除非产品或产品随附文件中另有明确说明，否则产品仅用于研究，不得用于任何其他目的，包括但不限于未经授权的商业用途、体外诊断用途、体外或体内治疗用途，或任何类型的人类或动物消费或应用。
在室温下建模氢存储
储能系统是将可再生能源有效整合到网格中以实现净零能源系统所必需的。在700 bar处压缩的氢是关键的储能技术之一。这项研究评估了固态氢储存的有效性，尤其是多孔材料中的物理吸附，以通过降低操作储罐压力来提高室温下的存储性能和安全性。我们以最大的储罐压力和往返储存效率来动态模型整个存储系统，将吸附材料与传统压缩进行比较。检查了不同循环频率和放电持续时间的不同能量系统的应用。结果表明，与压缩氢相比，基于多孔材料的系统对长期储能服务具有更高的效率。值得注意的是，大量密度在存储性能中起关键作用。例如，与压缩氢系统相比，散装密度为500 kg/m 3的IRMOF-1显示了70％的压力。相比之下，当其整体密度降低到130 kg/m 3时，最大储罐压力甚至比压缩罐高30％。我们强调需要进行全面的材料表征，从而强调了诸如大量密度在最大储罐压力和效率方面确定最大氢吸附物质的重要性。作为一般结果，最佳性能材料取决于特定的目标或系统要求，例如压力，数量，成本或重量。
葡萄园葡萄球菌的室温操作单...
图2 |横截面示意图，SEM图像和I-V特征的特征。a，示意图。B植入物用于在GE中创建P接触区域（最深的蓝色），P植入物用于在Si中创建N-Contact区域。SI中的其他B植入物形成GE以下的两个区域，一个作为电荷层（较轻的蓝色），一个作为筛选层（较深的蓝色）。Si中的其他P植入物形成了埋入的SIO 2上方的深N孔区域，以及N-Contact区域和深N-Well区域之间的N-链接区域。b，SEM图像。图像被捕获，对应于图中的黄色虚线包围的黄色区域2（a）。请注意，PT，即白色的共形层，在设备上沉积以避免使用SEM充电。c，d，光电流（实心曲线）和暗电流（虚线曲线）及其相应的增益，绘制为S1（蓝色）和S2（红色）的施加电压的函数。由参考PD的照片电流确定，图。2（c）和图中的统一增益点2（d）分别通过蓝色和红色点缀的圆圈标记和标记。