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World File Search System室温
室温运行的FE2O3/基于PANI的灵活...
摘要 - 在这项工作中，报告了具有实质感知性能的室温（RT; 〜27°C）操作的氧化铁 /聚苯胺（Fe₂O₃ /PANI）的柔性氨（NH₃）传感器。最初，在可生物降解的纸基板上打印了截面电极（IDE）（使用石墨烯基墨水）。此外，pani纳米纤维在印刷的IDE上进行了电纺，然后掉落了Fe 2 O 3的层。X射线衍射（XRD）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）研究，以确认复合形成，然后进行扫描电子显微镜（SEM）分析，以检查传感表面形态。在0.5 ppm（即500 ppb）至50 ppm的范围内检查了氨的感应性能，即使在0.5 ppm处也达到1.99％的响应。响应 /恢复时间被指出为950 s / 250 s，朝0.5 ppm的氨。此外，还研究了对包括二氧化碳（CO 2），二氧化碳（NO 2），一氧化碳（CO）和二氧化硫（SO 2）在内的干扰气体的选择性。还提出了复合材料对氨气检测的提议的感应机制。索引项 - 氨传感器；静电纺丝； Fe 2 O 3 /Pani复合材料；灵活的传感器；室温；纸基材。
DNA保存和储存在室温下...
图3。DNA运输稳定缓冲液保持DNA干燥和存储在RT的功能和完整性。使用DNA运输管评估DNA干燥的完整性和功能，我们使用三种不同的条件进行了1个月的DNA多路复用PCR：在-20ºC（参考条件）（参考条件）冷冻，并在RT下干燥，具有或没有DNA运输稳定的RT。如上所示，在储存在-20ºC和RT的DNA中观察到了一个定义的17.5 kb（红色矩形），并在RT中使用DNART运输稳定稳定缓冲液，而在没有此缓冲液的RT中，DNA均显示出几乎无法检测到的17.5 kb带，表明DNA功能和整合性损失。观察到供体C和D的结果相同。
GeSn 合金的室温晶格热导率
摘要：在片上操作和体温特有的温度下，用于高效能量收集器的 CMOS 兼容材料是可持续绿色计算和超低功耗物联网应用的关键因素。在此背景下，研究了新的 IV 族半导体，即 Ge 1 − x Sn x 合金的晶格热导率 (κ)。通过最先进的化学气相沉积在 Ge 缓冲 Si 晶片上外延生长 Sn 含量高达 14 at.% 的层。通过差分 3 ω 方法电测量晶格热导率 (κ) 从 Ge 的 55 W/(m · K) 急剧下降到 Ge 0.88 Sn 0.12 合金的 4 W/(m · K)。经验证，对于应变松弛合金，热导率与层厚度无关，并证实了先前通过光学方法观察到的 Sn 依赖性。实验 κ 值与电荷传输特性的数值估计相结合，能够捕捉这种准直接带隙材料系统的复杂物理特性，用于评估 n 型和 p 型 GeSn 外延层的热电性能系数 ZT。结果突出了单晶 GeSn 合金具有很高的潜力，可以实现与 SiGe 合金中已经存在的能量收集能力，但在 20°C - 100°C 温度范围内，没有与 Si 兼容的半导体。这为在 CMOS 平台上实现单片集成热电提供了可能性。关键词：热电材料、晶格热导率、GeSn 合金、CMOS、绿色计算、能量收集 ■ 简介
室温铁电谐振隧道二极管
谐振隧穿是一种量子力学效应，其中电子传输由量子孔（QW）结构内的离散能级控制。一种铁电谐振隧道二极管（RTD）利用QW屏障的开关电动极化状态来调节设备电阻。在这里，据报道，在All-Perovskite-氧化物BATIO 3 /SRRRUO 3 /BATIO 3 QW结构中发现了鲁棒的室温铁电调节谐振隧穿和负差分抗性（NDR）行为。通过BATIO 3铁电的可切换极性可调节谐振电流振幅和电压，其NDR比调制了≈3个数量级和一个OFF/ON电阻率超过2×10 4的OFF/ON电阻比。观察到的NDR效应被解释了由电子 - 电子相关性驱动的Ru-T 2g和Ru-E G轨道之间的能量带隙，如下性功能理论计算所示。这项研究为未来氧化物电子产品中的基于铁电的量子驾驶装置铺平了道路。
LK室温控制您的感官创新
为了使您的地板加热尽可能有效地旋转，我们的大多数人可以使用自调制技术。自调制技术需要根据房间的需求连续优化地板加热电路的流量。与使用传统技术的系统相比，在地板加热系统下，在地板加热系统下可以更好地舒适，更节能和生态朋友。
氧化物/氮化物界面的室温铁磁性
Wensheng Yan 5 , Tao Zhu 1,4,12 , Lin Gu 1,2,12 , Scott A. Chambers 6 , Sujit Das 13 , Gang-Qin Liu 1,2,12 ,
室温下点间相干动力学...
图 2. S-QD 样品的 2DES 测量。（a）S-QD 样品在选定的布居时间 t 2 值下纯吸收 2DES 图的演变（图已标准化为 1）。虚线指出了激发激光轮廓覆盖的 1S 电子跃迁的位置。（b）和（c）在对角线（18500, 18500 cm -1 ）坐标（圆圈）和非对角线（18900, 17200 cm -1 ）坐标（正方形）提取的衰减轨迹与 t 2 的关系。黑色：实验数据；红色：从全局拟合分析获得的拟合轨迹。振荡残基报告在下面板中。（d）和（e）分别对图 (b) 和 (c) 中显示的衰减轨迹进行时间频率变换拍频分析。在拍频 1000 cm -1 处绘制一条灰色虚线，作为视觉引导。
室温下电气可调的单极量子点
两级发射器与光腔耦合的两层发射器取决于与状态周围密度的相互作用[1]。与弱耦合方案形成鲜明对比的是，发射器表现出percell增强的自发发射[2,3]，发射异常的发射极强度g超过了发射机衰变速率（γ）和空腔损失速率（κ）与量子的量化量的量子和量子均与Emtrent的量子交换。它产生了光学响应中的狂犬病分裂，例如散射或光致发光（PL）光谱[4-8]。在这种强烈的耦合系统中，量子杂交状态的操作会诱导多种量子光学响应，从而导致量子光学设备的广泛应用[9-12]。在介电腔中，衍射量最大的模式体积分别需要高质量（Q）因子（Q）和低温才能实现强耦合，分别在κQ-1和γk b t之后[13-15]。高Q空腔导致发射极和腔之间的狭窄光谱重叠，即狭窄的呼声条件，以保持强耦合。这些约束显着构成了量子杂交状态的可控性，因此限制了强耦合方案中量子电动力现象的研究。最近，即使在室温下，由于其纳米级模式的体积，等离子腔的平台也达到了等离子和激子之间有效的强耦合[5,7,16]。
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。