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World File Search System室温
使用DNA色谱法新柑橘品种的多种DNA品种
（12）（9）重复（10）和（11）的其余混合物。 （如果滤液是高粘性的，并且保留在色谱柱中，则建议在20,000 x g处离心。）（13）将Dneasy Mini Spin柱连接到新的2 mL收集管上，并添加500μL的缓冲液AW2。在室温下在6,000 x g处离心1分钟，然后丢弃滤液。 （14）将500μl的缓冲液AW2添加到Dneasy Mini自旋柱中，然后在室温下离心2分钟以干燥膜。 （15）将Dneasy Mini Spin柱转移到新的1.5 mL管，然后将50μl缓冲液AE直接转移到Dneasy膜上。在室温下（15-25°C）孵育5分钟后，在室温下在6,000 x g处离心1分钟，然后收集滤液。 （事先快速缓冲AE至65度增加了DNA的产量）3。确认DNA溶液的质量1）使用分光光度计在230 nm和260 nm处获得的样品DNA溶液的吸光度（A230，A260）测量。 <准备什么>
在室温下用氧碳植入的GD掺杂的GAN中的自旋机制
摘要 - 用氧气和碳植入的氮化甘露的氮化岩在室温下显示载体介导的自旋机制。使用Tris（环戊二烯基）Gadolinium前体通过金属有机化学蒸气沉积生长的GD掺杂的GAN显示出普通的霍尔效应，并且在室温下没有浪漫主义。在o或c植入GD掺杂的GAN中，观察到表明载体介导的自旋和铁磁性的异常大厅效应。即使在植入后也保持良好的晶体质量。o和c偏爱间质站点，并在GD掺杂的GAN中占据了深层的受体型状态。由GD掺杂的GAN诱导的gadolinium诱导的室温自旋和铁磁性被占据间隙部位的O和C激活。载体介导的自旋功能的机制显示了对控制和操纵自旋作为氮化壳中的量子状态的潜力。这使gagdn：o/c成为室温旋转和量子信息科学应用的潜在半导体材料基础。在本文中，研究了使用离子植入，使用X射线衍射的结构表征在GD掺杂GAN中掺杂，并研究了使用高级HALL效应的自旋相关测量，并进行了相应的讨论。
量子磁体TbMn6Sn6中发现室温附近拓扑磁结构
具有 Kagome 晶格的量子材料中独特的电子行为 [5] 和磁性行为 [6,7] 使得 Kagome 材料成为一个极其有趣的平台。这些有趣的量子态是由于电子能带结构和磁序的非平凡拓扑、强电子关联和受挫而出现的。探索这些材料中电子能带结构和相应磁性之间的相互作用，发现了大块狄拉克半金属 Fe 3 Sn 2 、[5] 外尔半金属 Mn 3 X（X = Sn，Ge）[8] 和 Co 3 Sn 2 S 2 、[9]，它们表现出本征陈量子相、较大的异常霍尔效应和手性异常。[5,10,11] 一个特别有趣的例子是磁体 RMn 6 Sn 6（R = 稀土元素），它根据特定 R 元素和受挫 Mn Kagome 晶格之间的相互作用而具有几种磁序。 [12–14] 在室温下，Tb 和 Mn 磁矩位于不同的 Kagome 子晶格上，且呈非平面反平行排列的亚铁磁结构已被证明能有效实现具有拓扑
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如
室温激子 - 二极管在硅偏移中从连续体中出现的硅元素
在支持所谓的表面晶格共振（SLR）的光学元面积中。5，10后者提供了在大面积上易于制造的优势，并且可能在集成光子学中使用。与原子的气体（BEC的原始平台）相反，11个激子北极星的寿命很短。这些短寿命限制了基态的EP密度的堆积，从而导致凝结阈值增加。因此，EP凝结需要强大的激光系统来产生足够高的激子并达到阈值，这使得Polariton激光不适合大多数应用。在本文中，我们通过显着降低由硅（SI）跨表面形成的全电腔中的损耗来证明较低的阈值EP构度，从而增加了EP寿命。最近的努力成功地通过取代支持MIE-SLR的低损坏介电元表面的等离子介电元表面来减少凝结阈值。12由于SLR的高Q因子（400 - 700），部分原因是材料损失的减少，凝结阈值显着降低。在这里，我们通过
观察室温金属反铁磁铁CRSB中的自旋分裂
最近，在理论上提出并实现了电子状态的自旋分裂（SS）的非常规的抗铁磁铁，其中包含指向不同方向的矩矩的磁性sublattics通过一组新型的符号来连接。这样的SS是实质性的，依赖性的，并且与自旋 - 轨道耦合（SOC）强度无关，使这些磁铁有望用于抗磁性旋转旋转。在此结合了角度分辨光发射光谱（ARPE）和密度功能理论（DFT）计算，这是一项对CRSB的系统研究，是一种金属旋转式抗速率抗fiferromagnet候选，具有Néel温度T n = 703 K。数据揭示了沿平面外和平面动量方向的CRSB的电子结构，从而使各向异性K依赖性SS与计算结果非常吻合。在非对称动量点下，此类SS的大小至少达到至少0.8 eV，这显着高于最大的已知SOC诱导的SS。这种化合物扩大了抗磁性旋转型材料的材料的选择，并且很可能会刺激随后对在室温下起作用的高效率旋转器件的研究。
具有范德华铁磁体 Fe5GeTe2/石墨烯异质结构的室温自旋阀
范德华 (vdW) 磁体的发现为凝聚态物理和自旋电子技术开辟了新范式。然而，具有 vdW 铁磁体的有源自旋电子器件的操作仅限于低温，从而限制了它们更广泛的实际应用。本文展示了使用石墨烯异质结构中的 vdW 流动铁磁体 Fe 5 GeTe 2 的横向自旋阀器件在室温下的稳健操作。在具有负自旋极化的石墨烯界面处测量了 Fe 5 GeTe 2 的室温自旋电子特性。横向自旋阀和自旋进动测量通过自旋动力学测量探测 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面自旋电子特性，揭示了多向自旋极化，从而提供了独特的见解。密度泛函理论计算与蒙特卡罗模拟相结合，揭示了 Fe 5 GeTe 2 中显著倾斜的 Fe 磁矩以及 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面处存在负自旋极化。这些发现为范德华界面设计和基于范德华磁体的自旋电子器件在室温下的应用提供了机会。
室温下在无补偿合成反铁磁体中实现孤立高密度 Skyrmion
摘要：磁性 skyrmion 是具有非平凡自旋拓扑和新颖物理特性的涡旋状自旋结构，有望成为新型自旋电子应用的基本构建块。长期以来，人们一直提出合成反铁磁体 (SAF) 中的 Skyrmion 比铁磁材料中的 Skyrmion 具有许多优势，而铁磁材料不受尺寸和有效操控的基本限制。因此，人们热切地追求在 SAF 中实验实现 skyrmion。在这里，我们展示了用洛伦兹透射电子显微镜在 SAF [Co/Pd]/Ru/[Co/Pd] 多层中在室温下观察到的零场稳定磁性 skyrmion，其中 SAF 的未补偿矩为 skyrmion 表征提供了媒介。分别通过磁场和电磁协调方法观察到了孤立的 skyrmion 和高密度 skyrmion。即使电流和磁场都被移除，这些产生的高密度 skyrmion 仍保持零场。在 SAF 中使用 skyrmion 将推动基于自旋拓扑的实用非易失性存储器的发展。关键词：skyrmion、合成反铁磁体、电磁协调方法、Ruderman − Kittel − Kasuya − Yosida 相互作用
在室温下观察硝化氢硼中近红外亚poissonian光子发射
众所周知，连贯的光是可实现的最稳定的经典光，它表现出泊松统计分布。shot噪声代表了这种固有的随机性的极限，并与使用pois-sonian光源发射的光子的时间分离相关。因此，一个更正常或次佛森的光子流揭示了基础辐射过程的量子性质。1在任何给定时间发出不超过一个光子的完美常规光源，称为单光子源（SPS），代表了各种量子技术的必不可少的构建块，包括量子计算方案，玻色子计算方案，玻色子采样，精确的Metrology，Precision Metrology，以及安全的通信应用以及量子密钥分布，例如量子密钥分布。2–6
激光冷却中间膜系统，使其从室温冷却至接近量子基态
量子科学和技术中的许多协议都需要在纯量子态下初始化系统。在大规模谐振器的运动状态背景下，这使得研究难以捉摸的量子-经典跃迁的基本物理成为可能，并以增强的灵敏度测量力和加速度。激光冷却一直是制备量子基态机械谐振器的首选方法，量子基态是最简单的纯态之一。然而，为了克服热浴的加热和退相干，这通常必须与低温冷却相结合。在这里，我们直接从室温激光冷却超相干、软夹紧机械谐振器，使其接近量子基态。为此，我们实施了多功能中间膜装置，该装置具有一个光纤镜和一个声子晶体镜，在室温下已经达到了接近 1 的量子协同性。此外，我们引入了相干和基于测量的量子控制技术的强大组合，这使我们能够减轻热互调噪声。我们达到的最低占用率是 30 个声子，受测量不精确的限制。消除低温冷却的必要性应该会进一步促进光机械量子技术的传播。© 2023 Optica Publishing Group 根据 Optica 开放获取出版协议的条款