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World File Search System宽且
EBU Tech 3375 - 通过 3G-SDI 接口进行 HDR 和宽色域视频的信号传输和传输
3. 10 位透明基础设施 强烈建议实施者/广播者确保辅助数据和信号（见表 1）在整个制作链中不被改变。此外，制作链中的设备应适当处理信号。否则，必须手动验证每个制作步骤（正确设置色彩空间、色彩矩阵、传递函数）。
ACPL-M43T：带 R2Coupler 隔离和 5 针 SMT 封装的宽工作温度汽车数字光耦合器数据表
注释：1.电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即，V O > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即，V O < 0.8 V）。7.设备被视为双端设备：引脚 1、2、3 和 4 短接在一起，引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577，每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。
开始运送耐热的全稳态钠离子二级电池的样品，世界上最宽的工作温度范围
neg的笔尖在各个领域，包括空间应用，半导体制造过程以及医疗和环境设备，引起人们关注其广泛的工作温度范围和安全性特征，例如没有点火和气体产生风险。该样品运输是NEG迅速满足这些需求的重要步骤，并促进了常规二级电池无法容纳的应用领域的开发。现有的二级电池面临挑战，例如在低温下冻结电解质，并且由于高温下的侧面反应而导致内部材料的恶化。值得注意的是，这个高温问题也发生在常规的全稳态电池中，这些电池不使用液体电解质。因此，即使使用基于硫化物的全稳态电池（正在广泛研究），扩大上部工作温度极限也不容易。
适用于激光粉末床熔合增材制造的宽加工窗口异质结构铝合金的设计
北德克萨斯大学材料科学与工程系搅拌摩擦加工中心，美国德克萨斯州登顿 Priyanka Agrawal 北德克萨斯大学材料科学与工程系搅拌摩擦加工中心，美国德克萨斯州登顿 Mageshwari Komarasamy 北德克萨斯大学材料科学与工程系搅拌摩擦加工中心，美国德克萨斯州登顿 Yongo Sohn 中佛罗里达大学材料科学与工程系和先进材料加工与分析中心，美国佛罗里达州奥兰多 Rajiv S. Mishra 北德克萨斯大学材料科学与工程系搅拌摩擦加工中心，美国德克萨斯州登顿 北德克萨斯大学先进材料与制造工艺研究所，美国德克萨斯州登顿
威尔伯厅楼层平面图
洗衣设施位于隔壁的建筑内；每层楼都有休息室 每个大厅都有公用浴室 书桌（尺寸可能有所不同）深 24 英寸，宽 32 英寸，高 30 英寸 床头板/床尾板宽 38 英寸，高 39 英寸 可调节床架长 85.5 英寸，宽 38 英寸，高 33 英寸 床垫宽 33 英寸，长 80 英寸 壁橱深 24 英寸，宽 65 英寸，高 85 英寸 内置 4 个抽屉壁橱深 24 英寸，宽 26 英寸，高 30 英寸 微波炉/迷你冰箱深 18 英寸，宽 18 英寸，高 43 英寸 入口门宽 36，高 83 英寸 所有房间均配有百叶窗 窗户：宽 53 英寸，高 68 英寸（窗户底部到地板 38 英寸）
键盘触摸屏-4 - Astronics PGA
KTS-4 超薄型：5.7'' 高 x 2.7'' 宽 x 1.1'' 深 (144 毫米 高 x 68 毫米 宽 x 29 毫米 深) 1 磅 (0.450 千克) KTS-4 带 2 个按钮：6'' 高 x 2.7'' 宽 x 1.1'' 深 (154 毫米 高 x 68 毫米 宽 x 29 毫米 深) 1.05 磅 (0.475 千克) KTS-4 带 2 个按钮和一个音频插孔：6.4'' 高 x 2.7'' 宽 x 1.1'' 深 (164 毫米 高 x 68 毫米 宽 x 29 毫米 深) 1.1 磅 (0.500 千克)
键盘触摸屏-4 - Astronics PGA
KTS-4 超薄型：5.7’’ 高 x 2.7’’ 宽 x 1.1’’ 深（144 毫米高 x 68 毫米宽 x 29 毫米深）1 磅（0.450 千克）带 2 个按钮的 KTS-4：6’’ 高 x 2.7’’ 宽 x 1.1’’ 深（154 毫米高 x 68 毫米宽 x 29 毫米深）1.05 磅（0.475 千克）带 2 个按钮和一个音频插孔的 KTS-4：6.4’’ 高 x 2.7’’ 宽 x 1.1’’ 深（164 毫米高 x 68 毫米宽 x 29 毫米深）1.1 磅（0.500 千克）
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。