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utsa 学生会，denman 室，2.01.28
Mesa 博士担任梅斯癌症中心的执行主任，该中心是德克萨斯州仅有的四家国家癌症研究所指定的癌症中心之一。Mesa 博士是国际知名的骨髓增生性肿瘤 (MPN) 专家，骨髓增生性肿瘤是一组经常导致白血病的骨髓疾病。他曾担任 100 多项临床试验的首席研究员或联合首席研究员，并共同领导了研究团队，最终 FDA 批准了 4 种药物，包括芦可替尼、fedratinib、ropegylated 干扰素和帕克替尼。Mesa 博士在伊利诺伊大学香槟分校获得核工程和生理学理学学士学位，辅修放射生物物理学和生物工程。他在明尼苏达州罗切斯特的梅奥诊所医学院梅奥研究生院获得医学学位，完成了内科住院医师培训，并完成了血液学/医学肿瘤学的研究员职位。他是美国内科医师学会会员，并获得了美国内科医学委员会的内科和肿瘤内科认证。Mesa 博士曾
从犯罪现场到法院室（第二阶段和III）
二期（A3FOR002C）和III期（A3FOR003C）的应用被捆绑。这两个阶段的容量都是有限的。只有完成I阶段（A3FOR001C）具有令人满意的表现的学生。 如果收到的申请超过容量，则将根据第一阶段（A3FOR001C）的评估结果选择学生。只有完成I阶段（A3FOR001C）具有令人满意的表现的学生。如果收到的申请超过容量，则将根据第一阶段（A3FOR001C）的评估结果选择学生。
胎儿右心室憩室的产前诊断
抽象的心脏憩室是罕见的异常。这些是室内局部突起的，在心室的游离壁内。憩室可能与心脏积液和并发症（例如肺部发育不全或水流）有关。心包积液是最常见的发现。心包积液应视为心脏憩室存在的间接迹象。应在设备有能力处理心脏异常的三级护理中心进行交付。通常，孤立的心脏憩室的预后非常好。我们提出了在20周零4天与心包积液相关的妊娠期右心室憩室产前诊断的病例。在大约35周零5天的三个月扫描中发现了憩室和心包积液的自发分辨率。剖宫产在39周零3天的妊娠3天后分娩，用于产科指示。婴儿在写作时的1岁和2个月大。胎儿心脏憩室如果与节奏障碍无关，心脏衰竭或其他心脏或心脏异常的迹象具有极好的预后。
204 室空间预订指南
DiGorgio 校园中心 204 室是位于学生组织区 202 室内的小型会议空间。该空间专为学生内部使用而设计，并为注册组织预订，以方便会议、调解、规划会议和其他活动，而不会干扰在周边地区工作的其他组织。最多可容纳 14 人。204 室有 2 台平板电视、一张桌子和 14 把椅子。该空间仅供内部用户使用，因此不属于空间使用预订系统的一部分。内部用户是信誉良好的注册学生组织。
双室辅助设备和全人工心脏
与左心室辅助装置（LVAD）治疗的先进开发相反，用于晚期心力衰竭，机械循环支持（MCS）具有双脑室辅助装置（BVAD）和总人工心脏（TAH）选项仍然具有挑战性。BVAD和TAH治疗的治疗策略在很大程度上取决于支持持续时间。例如，在植入LVAD植入后，植入了短期内植入一个体外离心泵，通常称为临时手术外右心室辅助装置。同时，使用耐用的植入式LVAD的标签不使用标签是长期右心室支撑的策略。因此，本综述着重于基于每个心室支持持续时间的当前治疗策略和临床结果。此外，还探讨了心脏衰竭后心力衰竭的问题（后-HT）。我们将讨论后HT接受者的MCS治疗选择。
宽屏面板进军商务航空领域
有人可能会说这是意料之外的，而且似乎很少有人对此消息感到震惊。Garmin 是一家航空电子设备和集成驾驶舱的主要供应商，其产品范围从轻型运动飞机到轻型商务喷气机，它向新领域发起了进攻：“大型”飞机市场（起飞重量超过 12,500 磅的飞机）从轻型喷气机部分的高端向上延伸，因此必须根据第 25 部分进行认证。由于认证规则被认为比第 23 部分（该公司此前专注于航空领域）更为严格，Garmin 的新款 G5000 将在 2012 年获得认证并投入使用后，完成 Garmin 在航空领域各个领域的扩张。如果 2012 年看起来特别雄心勃勃或突然，那么值得注意的是，该公司表示已经完成了开发和认证的一半。 Garmin 高管承认，该公司不会停止开拓新市场——第 25 部分市场既是新市场，又具有潜在的利润空间。经过二十年的努力，这家 GPS 打造的公司已成为第 23 部分飞机通用航空电子设备领域的主导者，现在正将其业务范围扩大到长期由两大航空电子设备巨头主导的领域：罗克韦尔柯林斯，很久以前就退出了活塞单引擎和双引擎飞机的生产；以及霍尼韦尔，它已经与 Garmin 在第 23 部分市场（直至 LSA 领域）展开正面竞争。行业观察家和行业传闻将 Garmin 称为
超维计算的自适应模型位宽
摘要 — 受大脑启发的超维 (HD) 计算是一种模拟高维空间中神经元活动的新型计算范式。HD 计算的第一步是将每个数据点映射到高维空间（例如 10,000）。这带来了几个问题。例如，数据量可能会激增，所有后续操作都需要在 D = 10,000 维中并行执行。先前的工作通过模型量化缓解了这个问题。然后可以将 HV 存储在比原始数据更小的空间中，并且可以使用较低位宽的操作来节省能源。然而，先前的工作将所有样本量化为相同的位宽。我们提出了 AdaptBit-HD，一种用于加速 HD 计算的自适应模型位宽架构。当可以使用更少的位来找到正确的类时，AdaptBit-HD 一次一位地对量化模型的位进行操作以节省能源。借助 AdaptBit-HD，我们可以在必要时利用所有位来实现高精度，并在设计对输出有信心时终止较低位的执行，从而实现高能效。我们还为 AdaptBit-HD 设计了一个端到端 FPGA 加速器。与 16 位模型相比，AdaptBit-HD 的能效提高了 14 倍；与二进制模型相比，AdaptBit-HD 的精度提高了 1.1%，与 16 位模型的精度相当。这表明 AdaptBit-HD 能够实现全精度模型的精度，同时具有二进制模型的能效。
及基于GaN的DC-DC宽输入电压范围降压转换器...
摘要 — 本文旨在比较具有宽输入电压范围的 DC/DC 拓扑。研究还解释了 GaN E-HEMT 晶体管的实现如何影响转换器的整体效率。本文介绍了选择最有效拓扑的过程，以将电池存储电压（9 V – 36 V）稳定在 24 V 水平，从而能够在自动电动汽车等广泛应用中使用超级电容器储能。为了选择最合适的拓扑，进行了模拟和实验室研究。选择了两种最有前途的拓扑在实验模型中进行验证。每个转换器都以两种版本构建：使用 Si 和 GaN E-HEMT 晶体管。本文介绍了实验研究结果，包括精确的功率损耗测量和热分析。还检查了转换器开关频率增加时的性能。
等离子体诱导充电效果的宽范围检测器...
近年来，半导体过程技术的演变继续缩小大型集成电路中的临界维度[1-3]。高级芬费逻辑过程已经变得更加复杂，可以在多功能和更强大的SI芯片中实现更紧密的晶体管。反应性离子蚀刻步骤通过等离子体增强[4-5]在高级纳米级过程中不可避免地实现高纵横比结构，这对于高包装密度电路至关重要[6]。对于超过45nm的CMOS技术节点，晶体管门从带有二氧化硅的常规聚硅门变为高K金属栅极堆栈[7-8]。这种变化不仅使设备更容易受到血浆诱导的损害的影响，而且可能导致对高K介电层的潜在潜在损害[9]。在最先进的FinFET制造过程中，不可避免地会产生较高的等离子诱导充电事件的RF等离子体步骤，例如蚀刻，沉积和清洁过程，这会产生较高的频率[10]。可能会在金属结构上进行正充电和负电荷。随着这些电荷经过预先存在的金属线和触点制成的导电路径，通过电路的脆弱部分进行了不良放电，尤其是通过晶体管栅极介电介电出现可能会带来重大的可靠性问题。例如，在干燥的蚀刻步骤中，散射在反应表面上撞击离子和溅射材料会导致散装鳍中更多的缺陷[11-12]。为了避免等离子充电事件导致电路不可逆转的损害，给出了限制金属结构尺寸的设计规则。减轻PID的另一个例子包括使用保护二极管，这可能会使血浆充电电流从敏感电路中移开[13]。引入原位蒸汽产生（ISSG）氧化门报道，据报道提高其对血浆损伤的耐受性[14]。此外，还发现修剪腔室和修饰PECVD-TI沉积过程可减轻血浆诱导的损伤[15]。这些方法中的大多数会导致电路设计灵活性或处理权衡的不良限制。