摘要 — 本文旨在比较具有宽输入电压范围的 DC/DC 拓扑。研究还解释了 GaN E-HEMT 晶体管的实现如何影响转换器的整体效率。本文介绍了选择最有效拓扑的过程,以将电池存储电压(9 V – 36 V)稳定在 24 V 水平,从而能够在自动电动汽车等广泛应用中使用超级电容器储能。为了选择最合适的拓扑,进行了模拟和实验室研究。选择了两种最有前途的拓扑在实验模型中进行验证。每个转换器都以两种版本构建:使用 Si 和 GaN E-HEMT 晶体管。本文介绍了实验研究结果,包括精确的功率损耗测量和热分析。还检查了转换器开关频率增加时的性能。
近年来,半导体过程技术的演变继续缩小大型集成电路中的临界维度[1-3]。高级芬费逻辑过程已经变得更加复杂,可以在多功能和更强大的SI芯片中实现更紧密的晶体管。反应性离子蚀刻步骤通过等离子体增强[4-5]在高级纳米级过程中不可避免地实现高纵横比结构,这对于高包装密度电路至关重要[6]。对于超过45nm的CMOS技术节点,晶体管门从带有二氧化硅的常规聚硅门变为高K金属栅极堆栈[7-8]。这种变化不仅使设备更容易受到血浆诱导的损害的影响,而且可能导致对高K介电层的潜在潜在损害[9]。在最先进的FinFET制造过程中,不可避免地会产生较高的等离子诱导充电事件的RF等离子体步骤,例如蚀刻,沉积和清洁过程,这会产生较高的频率[10]。可能会在金属结构上进行正充电和负电荷。随着这些电荷经过预先存在的金属线和触点制成的导电路径,通过电路的脆弱部分进行了不良放电,尤其是通过晶体管栅极介电介电出现可能会带来重大的可靠性问题。例如,在干燥的蚀刻步骤中,散射在反应表面上撞击离子和溅射材料会导致散装鳍中更多的缺陷[11-12]。为了避免等离子充电事件导致电路不可逆转的损害,给出了限制金属结构尺寸的设计规则。减轻PID的另一个例子包括使用保护二极管,这可能会使血浆充电电流从敏感电路中移开[13]。引入原位蒸汽产生(ISSG)氧化门报道,据报道提高其对血浆损伤的耐受性[14]。此外,还发现修剪腔室和修饰PECVD-TI沉积过程可减轻血浆诱导的损伤[15]。这些方法中的大多数会导致电路设计灵活性或处理权衡的不良限制。
军事质量,设计最多30 - 40年。varta技术和设备。宽的工作温度从-20℃到+60℃。正板上的口袋技术使电池强度高,膨胀电阻高。负板上的浆料技术使电池重量轻,并且更高的低温性能。10CA高峰值排放电流。
a 乌迪内大学医学系(DMED),乌迪内 33100,意大利 b 阿维亚诺肿瘤学参考中心 (CRO),IRCCS,阿维亚诺 33081,意大利 c 乌迪内大学医学系医学肿瘤学诊所,IRCC OSPEDALE POLICLINICO SAN MARTINO,GENOVA,ITALY D 16132,ISTITUTO NAZIONALE TUMORI,IRCCS,FONDAZIONE G. PASCALE,NAPOLI 80131,ITALY ENAPERITY e II II II II II II II II II II II II II IIRE,NAPIRE,NAPILE,NAPERITY,NAPERITY,NAPIRE,NAPILE,NAPILE,NAPILE,NAPILE,NAPIRE,NAPIRE,NAPILE,NAPILE,napluty圣拉菲尔大学,米拉诺,20132年,意大利G妇产科单位,IRCCS San Raffaele科学研究所,米兰,20132年,意大利H肿瘤学部门 - 纳帕尔大学临床医学和外科系,纳帕利大学纳帕利II “ IRCCS,ROMA 00168,意大利J padova大学肿瘤学和胃肠病学系35122,意大利K肿瘤学2,威尼托肿瘤学研究所IOV-IRCCS,PADOVA,35128 ,Genova大学医学院,Genova 16132,意大利o泌尿外科和妇科系,Istituto Nazionale肿瘤IRCCS“ Fondazione G. Pascale”,Napoli 80131,意大利possology oppedaliero-Univeria Qunia qorena q. napoli 80131,意大利p摩德纳(Modena)和雷吉奥·艾米利亚(Reggio Emilia),意大利摩德纳41124 R romagnolo irccs iStituto romagnolo per lo Studio dei肿瘤 (IRST) “Dino Amadori”,意大利梅尔多拉 47014 s 实验和临床药理学部门,阿维亚诺肿瘤学参考中心 (CRO) IRCCS,阿维亚诺 33081,意大利 t 分子医学和医学生物技术系,那不勒斯费德里科二世大学,那不勒斯 80131,意大利 u 临床病理学部门,圣乔瓦尼·阿多洛拉塔医院,罗马 00184,意大利 v 米开朗基罗基金会,米兰 20121,意大利 w 分子肿瘤学部门,阿维亚诺肿瘤学参考中心 (CRO) IRCCS,阿维亚诺 33081,意大利
tmp 006 - 营养琼脂板的预期使用一种通用培养基,用于种植各种微生物。产品摘要和解释营养培养基是用于培养和列举细菌的基本培养基,这些培养基并非特别挑剔和维持微生物,通过富集血清或血液来培养挑剔的生物体,并在生物学或血清学测试之前也用于纯度检查。营养琼脂非常适合演示和教学目的,在这种目的中,通常需要在环境温度下培养更长的生存期,而不会在更营养的基材中发生过度生长的风险。这种相对简单的公式已保留,并且仍被广泛用于各种材料的微生物检查,也建议通过标准方法进行。它是几种用于常规培养微生物的非选择性介质之一。构图
摘要。本文介绍了配备四个 PNI RM3100 磁强计的 CubeSat 磁强计板 (Quad-Mag) 的设计、特性和性能。RM3100 体积小、重量轻、功耗低且成本低,因此可以在单个板上集成四个传感器,通过使用多个传感器进行过采样,可以将单个传感器的本底噪声降低 2 倍。该仪器在实验中实现了 5.34 nT(单个轴)的本底噪声,四个磁强计的每个轴的平均本底噪声为 65 Hz,接近理论上为系统设定的 4.37 nT(40 Hz 下)的极限。单个板载德州仪器 MSP430 微控制器负责处理磁强计的同步,并通过简单的基于 UART 的命令接口与主机系统进行数据收集。 Quad-Mag 系统重量为 59.05 克,采样时总功耗为 23 mW,空闲时为 14 mW。在最佳条件下,Quad-Mag 可使用商用现成的太空应用传感器以 1 Hz 的频率实现近 1 nT 的磁场测量。
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