XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System密度范围
加州大学圣地亚哥分校
利用三维动力学模拟，我们研究了具有预填充圆柱形通道的结构化激光辐照目标所发射的准直伽马射线束。该通道引导入射激光脉冲，从而产生缓慢发展的方位等离子体磁场，该磁场有两个关键功能：增强激光驱动的电子加速和诱导高能电子发射伽马射线。我们的主要发现是，通过利用具有最佳密度的通道，可以在不增加激光强度的情况下显著提高激光能量到伽马射线束 (5 ◦ 开角) 的转换效率。当我们将 P 从 1 PW 增加到 4 PW 时，保持激光峰值强度固定在 5 × 10 22 W/cm 2 ，转换效率随着入射激光功率 P 大致线性增加。这种缩放是通过在通道中使用 10 到 20 n cr 之间的最佳等离子体密度范围来实现的，其中 n cr 是电磁波的经典截止密度。相应的光子数按 P 2 缩放。一个直接受益于这种强缩放的应用是通过双光子碰撞产生对，在固定激光强度下，产生的对的数量按 P 4 增加。
基于Landsat 8卫星图像的地热前景区域估计（围绕
摘要印度尼西亚具有明显的地热潜力，因为其地理位置位于三个主动构造板中。由于难以识别地热电位的确切位置领域，因此巨大的地热电位导致了一部分它的一部分。因此，需要勘探活动才能发现这些潜在的地热站点而没有直接探索。需要进一步发展的地热潜力位于贾瓦中部塞马朗地区的Gedongsongo地区，特别是在Ungaran山的南坡上。这项研究旨在使用Landsat 8卫星图像数据来绘制研究区域中的地热电位区域。使用归一化差异植被指数（NDVI）方法，地表温度（LST）方法和断层断裂密度（FFD）方法利用卫星数据的热图像来利用遥感的分析。这三个参数的覆盖结果在Candi Village和Kenteng Vilage地区产生了地热电位图，表明有几个预测地热势的领域。在坎迪村（Candi Village），鉴定出三个潜在的地热区域，其潜在水平高且非常高的水平，中等谱系密度范围为1.07至1.8 km2，地面地面
艾滋病毒控制的个性化药物
艾滋病是一种疾病，向受害者带来了各种问题（1）。人类免疫缺陷病毒（HIV）是该疾病的主要因果因子（2）。HIV严重损害了免疫系统。在美国发现了这种病毒后，这种疾病在过去几十年中发生了变化，现在已经蔓延到整个世界上（3）。一种称为CD4的T淋巴细胞被HIV损坏和破坏，因为健康人体内的CD4细胞密度为每立方米的500至1500个细胞，但患有疾病患者的CD4细胞密度范围为500至1500个细胞（4，69）。这种伤害会随着时间的流逝而累积，并导致患者（包括癌症）的各种疾病（5）。有可能提到体液，包括血液，精液，阴道分泌物和母乳，作为这种疾病的传播路线（6）。淋巴结肿大，精疲力尽，频繁发烧，头痛和其他身体疼痛，呕吐和恶心，体重增加，腹泻，阴道和口腔感染，肺炎，肺炎和疱疹都是HIV的慢性阶段（7）。鉴于艾滋病毒影响一个人的DNA，这种疾病是无法治愈的，并且无法治愈其原因（8）。然而，已经努力控制这种疾病，唯一有效的治疗方法是使用医生规定的抗病毒药物（9）。如果不控制疾病，患者将收缩艾滋病，他们的身体将无法与传染病作斗争（10）。因此，它使一个人更容易受到
冠层间隙对Sal再生的影响（Shorea ...
摘要：本研究描述了森林中Shorea Robusta再生的状态，该状态在1996 - 2000年期间面临Sal-Borer流行的爆发。在隔间中进行了补救罪以去除感染的树木。隔室。发现所有隔间中的盐幼苗密度都高（> 11000幼苗/公顷），表明社区中足够数量的成年树木。岩石罗布斯塔的杆子作物仅记录在适度砍伐的隔间中。极杆作物的密度范围在每公顷33-333茎之间，研究群落中极点作物的低密度可能是由于生物因素和放牧所致。幼苗的建立取决于局部因素和冠层开口。由浓重和非常砍伐产生的冠层间隙占据了高密度的Lagerstroemia Parviflora，Diospyros Melanoxylon和latifolia anogeissus latifolia，在高密度上占据，这与SAL竞争了冠层的开放空间。Sal-Borer侵扰对Shorea Robusta Forest的再生具有持久的影响。中度侵扰可能会改变人口的增长率，但大量侵扰可能会导致社区结构和组成的变化。关键字：冠层间隙，撞击，杆作物，补救罪，Sal Heartwood Borer
使用原子精度高级制造技术的设备制造的光热替代品
摘要。使用扫描隧道显微镜（STM）模板的氢终止硅的掺杂剂前体分子的附着，已用于将电子设备与次纳米计精度进行重新处理，通常用于量子物理学实验。这个过程，我们称之为原子精度高级制造（APAM），在固体溶解度极限之外掺入硅，并产生电气和光学特性，这些特性也可能对微电子和等离子化的应用有用。但是，扫描的探针光刻缺少开发更复杂的应用所需的吞吐量。在这里，我们演示并表征了APAM设备工作流程，在该工作流程中，原子层的扫描探针光刻已被光刻所取代。紫外线激光显示出在纳秒时间尺度上氢化所需的温度高于温度的局部和控制的硅，这是一种抗性不足和过度暴露的过程。stm图像表明狭窄的能量密度范围，其中表面既受嘲笑又未受损。对光热加热和随后的氢脱附动力学进行建模表明，在我们的模式过程中达到的sil iCON表面温度超过了温度填充实验中氢去除氢所需的表面温度。与STM相比，发现通过依次的光灭绝区域进行磷的范德Pauw结构，然后将其暴露于磷酸的区域，然后将其暴露于磷酸。©作者。[doi：10.1117/1.jmm.20.1.014901]最后，还证明了可以同时执行的光含量和前体暴露步骤，这是使APAM在超高真空外启用APAM的潜在途径。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分配或复制此工作需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。
...
摘要。使用扫描隧道显微镜（STM）模板的氢终止硅的掺杂剂前体分子的附着，已用于将电子设备覆盖具有次纳米计精度的电子设备，通常用于量子物理学实验。这个过程，我们称之为原子精度高级制造（APAM），在固体溶解度极限之外掺入硅，并产生电气和光学特性，这些特性也可能对微电子和等离子化的应用也有用。但是，扫描的探针光刻缺少开发更复杂的应用所需的吞吐量。在这里，我们演示并表征了APAM设备工作流程，在该工作流程中，原子层的扫描探针光刻已被光刻所取代。紫外线激光显示出在纳秒时间尺度上氢化所需的温度高于温度的局部和控制的硅，这是一种抗性不足和过度暴露的过程。stm图像表明狭窄的能量密度范围，其中表面既受嘲笑又未受损。对光热加热和随后的氢脱附动力学进行建模表明，在我们的模式过程中达到的sil iCON表面温度超过了温度填充实验中氢去除氢所需的表面温度。与STM相比，发现通过依次的光灭绝区域进行磷的范德Pauw结构，然后将其暴露于磷酸的区域，然后将其暴露于磷酸。©作者。[doi：10.1117/1.jmm.20.1.014901]最后，还证明了可以同时执行的光含量和前体暴露步骤，这是使APAM在超高真空外启用APAM的潜在途径。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分配或复制此工作需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。