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h&fV - 伦敦哈默史密斯-富勒姆区
1.5 地方规划将阐述议会对自治市镇 2035 年之前的愿景，包括让更多人住进体面、负担得起的住房，让当地经济更强大，为当地居民提供培训和就业机会。它将强调自治市镇的战略目标，重点关注要解决的关键规划问题，并包括实现这些目标的实施策略。它将确定主要的重建区域，包括南富勒姆河畔地区将通过帝国码头的 Crossrail 2 站确保的额外重建。它将分配被认为对实现地方规划至关重要的战略开发地点，包括哈默史密斯地下通道和帝国煤气厂国家电网地点的场地政策。
伦敦哈默史密斯及富勒姆区报告
背景 议会认识到数据、技术和数字服务的价值，它们可以为居民提供有效的服务，并支持议会高效运作。议会与居民合作，设计和实施行政区的改进措施。 居民体验和访问计划 该计划最初于 2019 年启动，旨在通过利用新技术和与居民共同制定解决方案来改变居民体验。转型愿景包括优先考虑居民的需求、增强数字服务以实现全天候访问，以及提供高质量的辅助自助服务选项。该计划旨在为所有居民联系创建单一的数字途径，确保所有渠道和服务中客户体验一致且高质量。 疫情和生活成本危机改变了我们服务的需求，因此需要对计划进行审查和更新，以满足当前需求，并使我们能够接受自计划启动以来发展起来的新技术。重置侧重于通过修改访问模型分阶段改变居民体验。
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正常状态下，通过负载对电池放电， DW02R 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电 流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 V EDI ，且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI ，则 DW02R 进入过电流放电保护状态；如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 V SHORT ，且 持续时间超过短路延迟时间 t short ，则 DW02R 进入电池短路保护状态。
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供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD （ TA=25 ℃） SOT23-6 封装（热阻 θJA = 200 ℃ /W ） .................................................................. ..625mW 焊接温度（锡焊， 10 秒） ..................................................................................................................................... 260 ℃
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FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片，芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能，可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值，另外，芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能，可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术，无需启动电阻和 VCC 电容，使得系统外围十分简单，在实现高精度恒流控制的前提下，最大限度的节约了系统成本和体积，可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
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1 、电源走线包括 GND 、 SW 和 IN ，走线必须保证宽和短。 2 、 SW 、 L 和 D 开关的节点，布线要宽和短，以减少电磁干扰。 3 、输入和输出电容尽量贴近芯片放置。 4 、 R1 和 R2 和 FB 脚连线必须尽可能保证短。 5 、 FB 脚反应灵敏，应远离 SW 。 6 、芯片 GND 、 CIN 和 Cout 应连接较近，直接到地线层。
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1.充电模式 FM5012D 用线性方式对电池进行涓流 / 恒流 / 恒压三段式充电。当电池电压低于 V TRKL 时进行涓流充 电；当电池电压高于 V TRKL 时进行恒流充电；当电池电压接近 V BAT-REG 时进行恒压充电，此时充电电流 开始逐渐减小，当电流减小到 I FULL 时，判断电池已经充饱，芯片终止充电，待电池电压降低到 V RECHG 后进行再次充电 (Recharge) 。 2.充电软启动功能 当开始给电池充电时，芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值，避免了瞬间大电流冲击引起的各种 问题。 3.充电电流设定 充电电流由内部电路设定为恒流 600 mA, 涓流充电为 60mA, I FULL 为 90 mA 可编程设置充饱电压为 500 mA, 涓流充电为 50mA , I FULL 为 75 mA 当输入供电不足或芯片温度过高时， I IN-LIM 会下降。 4.充饱电压设定 FM5012D 芯片默认充饱电压值为 4.20V 可编程设置充饱电压值为 4.35V 5.输入过压保护 输入电压过高，超过 V IN-OVP 时，芯片会控制关闭充电和升压输出，防止芯片和负载因为过压而损 坏，输入电压正常后充电恢复，风扇驱动输出 FAN 不恢复。 6.充电限流保护 当芯片 VIN 端口电压低于 4.7V 时，芯片进入 VIN 限流状态，充电电流逐渐减小，直至到零。 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
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注：在不同的应用中， C1 、 C2 可考虑只装一个：在 3V 应用中建议用一个 1uF 或以上；在 4.5V 应用中建议用一 个 4.7uF 或以上 , 均为使用贴片电容；在 6V 应用中建议用一个大电容 220uF+100nF 贴片电容； C2 均靠近 IC 之 VDD 管脚放置且电容的负极和 IC 的 GND 端之间的连线也需尽量短。即不要电容虽然近，但布线、走 线却绕得很远（参考下图）。当应用板上有大电容在为其它芯片滤波时且离 TC118AH 较远也需按如上要求再 放置一个小电容于 TC118AH 的 VDD 脚上。图中 C4 （ 100nF ）电容优先接于马达上，当马达上不方便焊此 电容时，则将其置于 PCB 上 ( 即 C3) 。
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当 Type-C 和 Type-A 其中一个端口接入设备时， Type-C 或 Type-A 端口都可以实现独 立的快充功能。当 Type-C 和 Type-A 都接入设备时， XPD977 会将输出电压降至 5V 给设 备供电，其中 Type-C 端口 PD 只广播 5V/3A ，保留 BC1.2 以及 Apple 2.4A ，而 Type-A 端 口则只保留 Apple 2.4A 。特别的，当 Type-A 口一直连接苹果充电线但未接入苹果手机时， Type-C 口仍然有快充功能。作为充电器应用时，充电线会经常与充电器连接在一起。 XPD977 完美解决了 Type-A 和 Type-C 口连接充电线应用时的快充难题。此外， Type-A 口 充饱关断电流阈值低至 10mA ，可支持智能穿戴设备小电流充电。