专门为猫与狗数据集和与铁路相关的数据集。目标是解决公共和专业领域中复杂背景和多角度摄影所带来的挑战。剪辑 - 取回剪辑模型的图像编码器作为其核心体系结构,提取图像特征,并构建一个相似性矩阵,以与不同图像之间的相似性分数。基于排序的结果,它显示最相关的图像。为了验证剪辑 - 恢复的鲁棒性和稳定性,我们进行了比较研究和干扰抗性实验。实验结果显示出显着的进度改进,表明了出色的图像检索效果。具体来说,剪辑回程有效地处理复杂的背景和构成不同数据集的变化,从而提供准确有效的检索服务。
在过去的几十年中,数字和模拟集成电路的集成密度和性能经历了一场惊人的革命。虽然创新的电路和系统设计可以解释这些性能提升的部分原因,但技术一直是主要驱动力。本课程将研究促成集成电路革命的基本微制造工艺技术,并研究新技术。目标是首先传授构建微型和纳米器件的方法和工艺的实际知识,然后教授将这些方法组合成可产生任意器件的工艺序列的方法。虽然本课程的重点是晶体管器件,但许多要教授的方法也适用于 MEMS 和其他微型器件。本课程专为对硅 VLSI 芯片制造的物理基础和实用方法或技术对器件和电路设计的影响感兴趣的学生而设计。30260133 电子学基础 3 学分 48 学时
国际注册费包括双人间 4 晚住宿、每日早餐、所有峰会午餐和晚餐、国内机场接送、峰会材料、项目活动之间的私人巴士交通以及参加所有峰会活动。
正常状态下,通过负载对电池放电, DW02R 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电 流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 V EDI ,且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI ,则 DW02R 进入过电流放电保护状态;如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 V SHORT ,且 持续时间超过短路延迟时间 t short ,则 DW02R 进入电池短路保护状态。
供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD ( TA=25 ℃) SOT23-6 封装(热阻 θJA = 200 ℃ /W ) .................................................................. ..625mW 焊接温度(锡焊, 10 秒) ..................................................................................................................................... 260 ℃
FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片,芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能,可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值,另外,芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能,可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术,无需启动电阻和 VCC 电容,使得系统外围十分简单,在实现高精度恒流控制的前提下,最大限度的节约了系统成本和体积,可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
1 、电源走线包括 GND 、 SW 和 IN ,走线必须保证宽和短。 2 、 SW 、 L 和 D 开关的节点,布线要宽和短,以减少电磁干扰。 3 、输入和输出电容尽量贴近芯片放置。 4 、 R1 和 R2 和 FB 脚连线必须尽可能保证短。 5 、 FB 脚反应灵敏,应远离 SW 。 6 、芯片 GND 、 CIN 和 Cout 应连接较近,直接到地线层。
1.充电模式 FM5012D 用线性方式对电池进行涓流 / 恒流 / 恒压三段式充电。当电池电压低于 V TRKL 时进行涓流充 电;当电池电压高于 V TRKL 时进行恒流充电;当电池电压接近 V BAT-REG 时进行恒压充电,此时充电电流 开始逐渐减小,当电流减小到 I FULL 时,判断电池已经充饱,芯片终止充电,待电池电压降低到 V RECHG 后进行再次充电 (Recharge) 。 2.充电软启动功能 当开始给电池充电时,芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值,避免了瞬间大电流冲击引起的各种 问题。 3.充电电流设定 充电电流由内部电路设定为恒流 600 mA, 涓流充电为 60mA, I FULL 为 90 mA 可编程设置充饱电压为 500 mA, 涓流充电为 50mA , I FULL 为 75 mA 当输入供电不足或芯片温度过高时, I IN-LIM 会下降。 4.充饱电压设定 FM5012D 芯片默认充饱电压值为 4.20V 可编程设置充饱电压值为 4.35V 5.输入过压保护 输入电压过高,超过 V IN-OVP 时,芯片会控制关闭充电和升压输出,防止芯片和负载因为过压而损 坏,输入电压正常后充电恢复,风扇驱动输出 FAN 不恢复。 6.充电限流保护 当芯片 VIN 端口电压低于 4.7V 时,芯片进入 VIN 限流状态,充电电流逐渐减小,直至到零。 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS