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深圳市斯达微电子有限公司
¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
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正常状态下，通过负载对电池放电， DW02R 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电 流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 V EDI ，且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI ，则 DW02R 进入过电流放电保护状态；如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 V SHORT ，且 持续时间超过短路延迟时间 t short ，则 DW02R 进入电池短路保护状态。
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供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD （ TA=25 ℃） SOT23-6 封装（热阻 θJA = 200 ℃ /W ） .................................................................. ..625mW 焊接温度（锡焊， 10 秒） ..................................................................................................................................... 260 ℃
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FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片，芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能，可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值，另外，芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能，可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术，无需启动电阻和 VCC 电容，使得系统外围十分简单，在实现高精度恒流控制的前提下，最大限度的节约了系统成本和体积，可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
博士纳嘎斯瓦鲁帕 HP
卡纳塔克邦迈索尔市卡纳塔克邦开放大学内部质量保证中心 (CIQA) 成员（2023 - 2025 年）。卡纳塔克邦民俗大学 NEP 实施委员会成员，卡纳塔克邦戈塔古迪。2022 - 2023 年度化学研究生考试委员会成员，芒格洛尔大学，2021 - 2022 年，维贾亚纳加拉斯里克里斯赫纳德瓦拉亚大学，巴拉里，2020-2021 年，拉尼·查南玛大学，贝尔高姆。达万格雷大学 2022 - 2023 年、2020-2021 年和 2019 - 2020 年化学研究生考试委员会成员。达万格雷大学 (Davangere University) 2021-2022 年度、2020-2021 年度本科和研究生化学考官委员会成员。达万格雷大学 (Davangere University) 2019-2020 年度研究生和化学研究系系委员会成员。贝尔高姆维斯维斯瓦拉亚科技大学 (VTU) 2019-2020 年度、2016-2017 年度和 2013-2014 年度考官委员会 (化学综合委员会) 成员。曾于 2015 年至 2016 年偶数学期担任 Dayananda Sagar 工程学院的 BOE 成员，于 2014 年奇数学期担任该学院的 BOE 成员，于 2011 年至 2012 年奇数学期担任 Ambedkar 理工学院的 BOE 成员，于 2011 年至 2012 年奇数学期担任 Nitte Meenakshi 理工学院的 BOE 成员，该学院是 VTU（贝尔高姆）的附属自治机构。
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1 、电源走线包括 GND 、 SW 和 IN ，走线必须保证宽和短。 2 、 SW 、 L 和 D 开关的节点，布线要宽和短，以减少电磁干扰。 3 、输入和输出电容尽量贴近芯片放置。 4 、 R1 和 R2 和 FB 脚连线必须尽可能保证短。 5 、 FB 脚反应灵敏，应远离 SW 。 6 、芯片 GND 、 CIN 和 Cout 应连接较近，直接到地线层。