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ngia：一种新型的基于基因序列聚类的基于贪婪的增量对准算法✩
基因序列聚类在计算生物学和生物信息学中非常重要且重要，用于研究系统发育关系和基因功能预测等。随着生物学数据量的快速生长（基因/蛋白质序列），基因序列聚类算法在低精度和效率方面面临着更多挑战。 基因序列数据库中增长的冗余序列通常有助于大多数聚类方法的记忆和计算需求的增加。 例如，原始的基于贪婪的增量比对（GIA）聚类算法获得了很高的精度聚类结果，但效率非常低。 已经开发了有效的贪婪增量聚类算法，其精确成本降低了，通常可以关闭速度的贸易聚类精确度以提高速度。 需要在精度和速度之间取得更好平衡的算法。 本文提出了一种新型的基于贪婪的增量比对算法，称为NGIA，用于具有高效率和精度的基因聚类。 ngia由一个预滤波器，修改后的短词过滤器，一种新的数据包装策略，一种修改的贪婪增量方法组成，并通过GPU并行化。 四个独立数据集上的实验评估表明，所提出的工具可以以99.99％的高精度聚类。 与CD-HIT，VSEARCH和UCLUST的结果相比，NGIA平均快13.6倍，6.2倍和1.7倍。 此外，我们开发了一个多节点版本来处理大型数据集。 该软件可从https://github.com/siat-hpcc/gene-sequence-clustering获得。随着生物学数据量的快速生长（基因/蛋白质序列），基因序列聚类算法在低精度和效率方面面临着更多挑战。基因序列数据库中增长的冗余序列通常有助于大多数聚类方法的记忆和计算需求的增加。例如，原始的基于贪婪的增量比对（GIA）聚类算法获得了很高的精度聚类结果，但效率非常低。已经开发了有效的贪婪增量聚类算法，其精确成本降低了，通常可以关闭速度的贸易聚类精确度以提高速度。需要在精度和速度之间取得更好平衡的算法。 本文提出了一种新型的基于贪婪的增量比对算法，称为NGIA，用于具有高效率和精度的基因聚类。 ngia由一个预滤波器，修改后的短词过滤器，一种新的数据包装策略，一种修改的贪婪增量方法组成，并通过GPU并行化。 四个独立数据集上的实验评估表明，所提出的工具可以以99.99％的高精度聚类。 与CD-HIT，VSEARCH和UCLUST的结果相比，NGIA平均快13.6倍，6.2倍和1.7倍。 此外，我们开发了一个多节点版本来处理大型数据集。 该软件可从https://github.com/siat-hpcc/gene-sequence-clustering获得。算法。本文提出了一种新型的基于贪婪的增量比对算法，称为NGIA，用于具有高效率和精度的基因聚类。ngia由一个预滤波器，修改后的短词过滤器，一种新的数据包装策略，一种修改的贪婪增量方法组成，并通过GPU并行化。四个独立数据集上的实验评估表明，所提出的工具可以以99.99％的高精度聚类。与CD-HIT，VSEARCH和UCLUST的结果相比，NGIA平均快13.6倍，6.2倍和1.7倍。此外，我们开发了一个多节点版本来处理大型数据集。该软件可从https://github.com/siat-hpcc/gene-sequence-clustering获得。强可伸缩性测试表明，NGIA的多节点版本可以以31％的并行效率扩展32个线程。©2022 Elsevier B.V.保留所有权利。
自下而上制造和表征用于电子应用的自对准栅极堆叠_最终版
1 S. Datta、S. Dutta、B. Grisafe、J. Smith、S. Srinivasa 和 H. Ye，IEEE Micro 39，8 (2019)。2 T. Bryllert、L.-E. Wernersson、T. Löwgren 和 L. Samuelson，Nanotechnology 17，S227 (2006)。3 D. Akinwande、N. Petrone 和 J. Hone，Nat Commun 5，5678 (2014)。4 R. Chen、H. Kim、PC McIntyre、DW Porter 和 SF Bent，Applied Physics Letters 86 (2005)。5 R. Chen、H. Kim、PC McIntyre 和 SF Bent，Applied Physics Letters 84，4017 (2004)。 6 S. Seo、BC Yeo、SS Han、CM Yoon、JY Yang、J. Yoon、C. Yoo、HJ Kim、YB Lee、SJ Lee、JM Myoung、HB Lee、WH Kim、IK Oh 和 H. Kim，ACS Appl Mater Interfaces 9，41607 (2017)。7 KJ Park、JM Doub、T. Gougousi 和 GN Parsons，Applied Physics Letters 86 (2005)。8 FS Minaye Hashemi、C. Prasittichai 和 SF Bent，ACS Nano 9，8710 (2015)。9 WH Kim、HBR Lee、K. Heo、YK Lee、TM Chung、CG Kim、S. Hong、J. Heo 和 H. Kim，Journal of the Electrochemical Society 158，D1 (2011)。 10 H. Kim，ECS Transactions 16, 219 (2008)。11 R. Wojtecki、J. Ma、I. Cordova、N. Arellano、K. Lionti、T. Magbitang、TG Pattison、X. Zhao、E. Delenia 和 N. Lanzillo，ACS applied materials & interface 13, 9081 (2021)。12 E. Färm、M. Kemell、M. Ritala 和 M. Leskelä，The Journal of Physical Chemistry C 112, 15791 (2008)。13 E. Färm、M. Kemell、E. Santala、M. Ritala 和 M. Leskelä，Journal of The Electrochemical Society 157 (2010)。 14 A. Sinha、DW Hess 和 CL Henderson，《真空科学与技术杂志 B：微电子学和纳米结构》24（2006 年）。15 V. Suresh、MS Huang、MP Srinivasan、C. Guan、HJ Fan 和 S. Krishnamoorthy，《物理化学杂志 C 116，23729》（2012 年）。16 A. Sinha、DW Hess 和 CL Henderson，《真空科学与技术杂志 B：微电子学和纳米结构》25（2007 年）。17 TG Pattison、AE Hess、N. Arellano、N. Lanzillo、S. Nguyen、H. Bui、C. Rettner、H. Truong、A. Friz 和 T. Topuria，《ACS nano 14，4276》（2020 年）。 18 M. Fang 和 JC Ho，ACS Nano 9，8651（2015）。19 AJ Mackus、AA Bol 和 WM Kessels，Nanoscale 6，10941（2014）。20 MJ Biercuk、DJ Monsma、CM Marcus、JS Becker 和 RG Gordon，Applied Physics Letters 83，2405（2003）。21 AT Mohabir、G. Tutuncuoglu、T. Weiss、EM Vogel 和 MA Filler，ACS nano（2019）。22 E. Bassous 和 A. Lamberti，Microelectronic Engineering 9，167（1989）。23 C. Ton-That、A. Shard、D. Teare 和 R. Bradley，Polymer 42，1121（2001）。 24 P. Louette、F. Bodino 和 J.-J. Pireaux，表面科学光谱 12，69 (2005)。25 A. Richard，法拉第讨论 98，219 (1994)。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
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有数字非对准运动的空间吗？
n一个越来越相互联系的世界，围绕网络空间国际规范环境的话语已成为中心舞台。主要世界大国，尤其是美国和中国之间的数字竞争，必须通过许多历史上中立或非对准国家（例如印度，巴西等人）对地缘政治隶属关系进行重新评估，例如印度，巴西等人，当这些国家考虑其国民经济和安全问题。 很明显，在这种越来越大的权力极性的情况下，许多国家正在寻求创建一个替代性的政治空间，使他们能够行使战略自治。 1961年非对准运动的形成是类似欲望的产物，现在存在相同的激励措施，要求对传统的不结盟概念进行重新构成，并且出现了数字时代不结盟的新概念的出现。主要世界大国，尤其是美国和中国之间的数字竞争，必须通过许多历史上中立或非对准国家（例如印度，巴西等人）对地缘政治隶属关系进行重新评估，例如印度，巴西等人，当这些国家考虑其国民经济和安全问题。很明显，在这种越来越大的权力极性的情况下，许多国家正在寻求创建一个替代性的政治空间，使他们能够行使战略自治。1961年非对准运动的形成是类似欲望的产物，现在存在相同的激励措施，要求对传统的不结盟概念进行重新构成，并且出现了数字时代不结盟的新概念的出现。
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
poly（2-乙烯基吡啶）的自我对准组装
摘要：块共聚物的定向自组装（DSA）是用于构图sub-10 nm特征的最有希望的图案技术之一。但是，在如此小的特征大小上，为DSA过程制造指导模式变得越来越困难，并且有必要探索DSA的替代指导方法，以实现长期有序的对齐方式。在这里，我们报告了三封闭共聚物的自我对准组装，聚（2-乙烯基吡啶）-b-丙烯 - b-polystyrene- b-poly（2-乙烯基吡啶）（p2vp- b -PS-b -ps- b -p2vp）在中性石墨烯纳米骨上的含量为p2v的中性石墨烯含量（p2vp- b -ps- b -p2vp）通过溶剂蒸气退火。组装的P2VP-B-PS-B-P2VP在石墨烯基板上表现出远距离的一维对准，沿垂直于石墨烯和基板边界的方向，其半迹尺寸为8 nm，这极大地阐明了传统化学化学上的化学上层状dsa所需的光刻分辨率。用石墨烯条纹之间的差距从10到100 nm不等，可以证明一个宽的处理窗口，从而克服了对指导模式宽度的限制，以具有相应的域间距。将间隙降低到10 nm时，P2VP-B -PS-B -P2VP在石墨烯和底物上形成了直线模式。蒙特卡洛模拟表明，在石墨烯纳米容器上的三嵌段共聚物的自我对准组件分别在石墨烯和SIO 2上的平行和垂直层片的边界上进行引导。模拟还表明，系统的肿胀允许链条快速重新排列，并快速退火任何未对准的晶粒和缺陷。在模拟中系统地研究了SIO 2和P2VP之间的相互作用强度对自组装的影响。关键字：石墨烯，三嵌段共聚物，溶剂蒸气退火，一维组装
精确的钻孔对准系统手册
PBA用于造船厂，测量师或维护提供商，需要更高准确性才能使弹药，导航，雷达和视力系统，霍尼韦尔的精确无人驾驶对齐系统（PBAS）使用分步指导软件减少专家培训的需求，并减少完成工作时间50％。我们通过消除对视线的需求也是通过补偿船只运动和工作而无需升级的，同时为客户提供的解决方案，他们可以信任霍尼韦尔（Honeywell）在霍尼韦尔（Honeywell）世纪的经验工程高性能惯性解决方案来支持的解决方案，从而消除了对干对接的需求。PBA是海军应用程序的理想选择，海军应用程序在太空限制区域中运行，因为它会减少由运动造成的错误，设备设置时间（例如仪器级别，测量时间和相关成本），取决于应用程序，具体取决于应用程序。
应用卫星：对准活动定义 - Webthesis
这项工作完全基于对卫星对准测量的研究，目的是从系统和卫星要求开始，制定和开发实施 PLATiNO 计划对准活动所需的规范。该项目由意大利空间机构 (Agenzia Spaziale Italiana) 发起和资助，其目标是定义和开发标准“多用途”平台的国家支持技术，以支持其未来的潜在活动方向。对准测量在卫星 AIT (组装、集成和测试) 活动期间进行，它们对于在要求确定的约束范围内验证单元的正确位置以及在环境测试活动后确认这一点至关重要。在此背景下，对准活动应用于平台级别，涉及通信系统和姿态与轨道控制系统的一些关键单元（即反作用轮、星跟踪器、天线）。本书首先介绍了管理太空产品的一般规则，并参考了与规划、验证和测试相关的 ECSS 规范。此外，为了介绍特定术语，本书从组件和子系统以及总体功能和任务的角度描述了该平台。然后，介绍了活动期间开展的主要活动，包括：