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World File Search System对准精度
具有改进的新型晶圆级粘合剂键合...
我们报告了一种通用方法，用于提高软烤 BCB 键合堆栈中键合后晶圆对准精度和 BCB 厚度均匀性。该方法基于新型 BCB 微柱，在键合过程中充当锚点。锚点结构成为键合界面的自然组成部分，因此对键合堆栈的光学、电气和机械性能的干扰最小。我们研究了固定锚点密度和各种锚点高度与粘合剂 BCB 厚度的关系，这些性能也不同。我们证明了对准精度可以提高大约一个数量级，并且该工具可以接近基本的键合前对准精度。我们还证明了该技术对 2 – 16 μ m 的大范围 BCB 厚度都有效。此外，我们观察到，对于 8 – 16 μ m 范围内的 BCB 厚度，厚度不均匀性降低了 2 – 3 倍。
Anton-Alexeev-EVG.pdf
缩小 SiPh 封装与晶圆级 HVM 之间的差距 万亿级 PhotonicPlug 和 PhotonicBump：由 NIL 完成 在 SiPh 晶圆上对透镜或镜子等复杂光学微结构进行纳米压印 重要 图案保真度和可重复性 可扩展性 最高对准精度 残留层控制 薄而均匀 光纤沟槽与镜子完美对准
考虑三维飞行器挠度角的机载分布式POS传递对准方法
摘要 为满足多点运动参数测量的需求，机载分布式定位定向系统（POS）依赖于高精度主系统到从系统的传递对准来获取所有点的高精度运动参数。分布式POS的关键问题是确定一种适当处理飞行器挠曲的方法，实现高精度传递对准。本文首先分析了飞行器挠曲对机载对地观测传递对准精度的影响，在此基础上建立了考虑三维挠曲角的传递对准误差模型，提出了一种基于参数辨识无迹Rauch-Tung-Striebel平滑器（PIURTSS）的传递对准。仿真结果表明，基于PIURTSS的传递对准方法可有效提高估计精度。
串行机械臂关节特性测量...
这是现代天线计量系统的一个关键方面，特别是在毫米波频谱区域 [1,2,3]。商用现货机械臂可为许多工业应用提供足够的定位精度 [4]。然而，要用于毫米波天线计量，机械臂需要与空间计量设备配合使用。美国国家标准与技术研究所通信技术实验室的天线计量项目表明，路径校正商用机械臂（无论是在硬件分析中还是在软件分析中）可用于实现足够的定位和对准精度（定位误差 ~λ/50），用于天线特性测量，例如增益外推和高达 183 GHz 的近场方向图 [3]。
一种用于机载分布式 POS 的传递对准方法...
摘要 机载分布式定位定向系统（POS）可以满足多点运动参数测量的需求。它依赖于从高精度主系统到从系统的传递对准来获得所有点的高精度运动参数。分布式POS的一个关键问题是确定适当处理飞行器挠曲的方法，实现高精度传递对准。本文首先分析了飞行器挠曲对机载对地观测传递对准精度的影响。在此基础上，建立了考虑三维挠曲角的传递对准误差模型，并提出了一种基于参数识别无味Rauch-Tung-Striebel平滑器（PIURTSS）的传递对准。仿真结果表明，基于PIURTSS的传递对准方法有效提高了估计精度。
使用扭转和弯曲的铰链 通过各向异性导电异质结构中的超快电流控制 分析激光警告系统中使用的各种光电探测器的结构和技术：评论 使用空间不连贯的衍射网络 随机三维数值幻象，可以在乳腺癌的定量光声计算机中启用计算研究 设计一个使用式鲁棒机器学习模型，用于定量分析反射光谱 刺激的拉曼散射断层扫描，用于快速三... 编程非线性传播，用于有效的光学学习机 紧凑而有效的光子分辨图像扫描显微镜 高功率，狭窄的线宽固态深紫外线激光在193 nm处通过LBO晶体中的频率混合 物理限制的深度偏置点扩散函数模型：朝向非视线成像重建 光子晶体中的非均匀伪磁场 纵向单... 的深度条件生成模型
摘要。我们报告了使用扭转和双轴定向的聚乙二醇苯二甲酸酯铰链的两轴可易剂显微镜镜。研究了基于四个或单线电磁执行器的两种不同的设计。开发了一种基于微加工的工厂过程，以实现高模式分辨率和对准精度并减少手动组件的量。具有扭转铰链，快速轴的谐振频率为300至500 Hz，水中有200至400 Hz。带有弯曲的铰链，慢速轴的共振频率为60至70 Hz，水中的谐振频率为20至40 Hz。2D B扫描和3D体积超声显微镜使用杂交扫描镜进行了证明。在直流或非常低的频率下扫描慢轴的能力允许形成密集的栅格扫描模式，以改善成像分辨率和视野。©作者。由SPIE在创意共享归因4.0国际许可下出版。全部或部分分发或重新分配或重新分配本工作，需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。[doi：10.1117/1.jom.1.4.044001]
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保
原子级沉积将延伸摩尔定律及超越
摘要 在过去的几十年中，摩尔定律推动半导体行业不断将晶体管的临界尺寸缩小至7纳米。随着晶体管进一步缩小到更小的尺寸，摩尔定律达到了极限，芯片上晶体管密度的增加速度减慢。目前，一些关键步骤已经采用了极紫外光刻技术，它在大批量生产中面临着对准精度和高成本的问题。同时，新材料和3D复杂结构的引入给自上而下的方法带来了严峻的挑战。因此，自下而上的方案被认为是与自上而下工艺相结合的必要方法。本文对原子级沉积方法进行了回顾和分类，以延伸摩尔定律并超越摩尔定律。首先，沉积带来了垂直方向的横向埃级分辨率以及自上而下的刻蚀，例如双重图案化、纳米线的转移、纳米管的沉积等。其次，各种模板辅助的选择性沉积方法，包括介质模板、抑制剂和校正步骤，已经用于3D复杂结构的对准。更高的分辨率可以通过固有的选择性沉积来实现，并讨论了潜在的选择性机制。最后，还讨论了更高精度和效率制造的要求，包括设备、集成过程、放大问题等。本文回顾了低维制造和三维复杂结构的集成，以在半导体领域以及包括但不限于能源、催化、传感器和生物医学的新兴领域中扩展摩尔定律。