在1965年在Sinica Acta Physica发表的开创性作品中,Yu Lu指出,超导间隙在超导体中表现出较弱的调制较弱。在过去的十年中,一系列的高分辨率扫描隧道显微镜工作报告了某些超导体中的超导差距调制弱,并将这些现象解释为成对密度波。与Yu Lu的发现一致,Lee D H等。指出,在许多情况下,成对散射的干扰效应也会导致空间中的超导间隙调制。我们将讨论这两种机制的区别和统一,以及它们与最近的实验观察的相关性。
简介:推测血管来源的腔隙,也称为腔隙性梗塞,对于评估脑小血管病 1 和痴呆症等认知疾病 2 非常重要。然而,由于腔隙规模小、稀疏且模仿,从图像数据中对腔隙进行目视评级具有挑战性、耗时且依赖于评级者。虽然自动算法的最新发展已证明可以在保持灵敏度的同时更快地检测出腔隙,但它们也显示出大量的假阳性 3,4 ,这使得它们不适合用于临床实践或大规模研究。在这里,我们开发了一个新颖的框架,除了检测腔隙之外,还可以输出分类负担分数。该分数可以提供更实用的腔隙存在估计,从而简化并有效加速腔隙的成像评估。我们假设检测和分类分数的结合会使程序对噪声标签的敏感度降低。
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已经作为功率器件商业化,用于汽车、无线和工业电源市场,但它们在太空和航空电子应用中的应用受到重离子暴露后易发生永久性性能退化和灾难性故障的阻碍。这些宽带隙功率器件的太空认证工作表明,它们易受无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境(银河宇宙射线)的损坏。在太空模拟条件下,GaN 和 SiC 晶体管在其额定电压的约 50% 下表现出故障敏感性。同样,在重离子单粒子效应测试条件下,SiC 晶体管容易受到辐射损伤引起的性能退化或故障,从而降低了它们在太空银河宇宙射线环境中的实用性。在 SiC 基肖特基二极管中,在额定工作电压的 ∼ 40% 时观察到灾难性的单粒子烧毁 (SEB) 和其他单粒子效应 (SEE),并且在额定工作电压的 ∼ 20% 时漏电流出现不可接受的下降。超宽带隙半导体 Ga 2 O 3 、金刚石和 BN 也因其在电力电子和日盲紫外探测器中的高功率和高工作温度能力而受到探索。从平均键强度来看,Ga 2 O 3 似乎比 GaN 和 SiC 更能抵抗位移损伤。金刚石是一种高度抗辐射的材料,被认为是辐射探测的理想材料,特别是在高能物理应用中。金刚石对辐射暴露的响应在很大程度上取决于生长的性质(自然生长与化学气相沉积),但总体而言,金刚石对高达几 MGy 的光子和电子、高达 10 15(中子和高能质子)cm − 2 和 > 10 15 介子cm − 2 的辐射具有抗辐射能力。BN 对高质子和中子剂量也具有抗辐射能力,但由于中子诱导损伤,h-BN 会从 sp 2 杂化转变为 sp 3 杂化,并形成 c-BN。宽带隙和超宽带隙半导体对辐射的响应,尤其是单粒子效应,还需要更多的基础研究。© 2021 电化学学会(“ ECS ” )。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI:10.1149/2162-8777/ abfc23 ]
我们的军事系统严重依赖其内部的微系统。几十年来,DARPA 一直致力于研究,以提高这些技术的性能。这有助于工程师提供越来越多的紧凑型设备和便携式平台,以支持国防训练和行动。随着军事能力的发展,对这些微电子器件的要求也在不断提高——从以更高的频率运行到在单个芯片上集成数十亿个晶体管。在过去的二十年里,特别是过去两年的电子复兴计划,DARPA 在电子研发方面投入了大量资金,以发现能够实现更高性能和功能的新材料和设计。硅长期以来一直是微电子器件的标准半导体材料,现在仍然是大量商业和国防应用的标准材料。然而,硅可以提供多少性能的理论极限——特别是对于以更高功率和频率运行的系统——在实践中正在达到。这一长期存在的现实检验推动了对替代半导体技术的探索。
摘要:由于CT扫描技术的快速技术进步,心血管CT被广泛用于诊断心血管疾病。这些进步包括从早期到最新型号的多层CT的开发,它具有获取具有高空间和时间分辨率的图像的能力。最近的光子计数CT的出现在临床应用中进一步提高了CT性能,从而改善了空间和对比度分辨率。CT衍生的分数流储备优于基于标准CT的解剖学评估,用于检测病变特异性的心肌缺血。CT衍生的3D印刷患者特异性模型也优于标准CT,在教育价值,手术计划和心血管疾病治疗的模拟方面具有优势,并增强了医生 - 患者的交流。三维可视化工具,包括虚拟现实,增强现实和混合现实,进一步提高了心血管疾病中心血管CT的临床价值。随着人工智能,机器学习和心血管疾病中深度学习的广泛使用,心血管CT的诊断性能得到了显着改善,并且在疾病诊断和预测方面都提出了令人鼓舞的结果。还讨论了这些技术的局限性和未来前景。本评论文章概述了心血管CT的应用,从传统的管腔评估的诊断价值的角度涵盖了其性能,以鉴定易受伤害的病变,以通过使用这些高级技术来预测疾病结果。
摘要。光学元面具有无与伦比的灵活性,可以通过下波长的空间分辨率操纵光场。将元面耦合到具有强光学非线性的材料可能允许超快时空光场调制。但是,到目前为止所证明的大多数元整口是线性设备。在这里,我们在实验上证明了同时使用单层等离子式肩面与纤维激光腔中的Epsilon-Near-Zero(ENZ)材料强耦合。虽然元表面的几何阶段被用来将激光器的横向模式从高斯束转换为带有轨道角动量的涡旋束,但通过Q -Switching过程,ENZ材料的巨大非线性可饱和吸收使脉冲激光产生。在激光腔中直接整合时空跨表面可能为开发具有量身定制的空间和时间剖面的微型化激光源铺平了道路,这对于多种应用来说是有用的,例如超级分辨率成像,高密度光学存储,高密度光学储存以及三维激光射击光刻。
《材料》(ISSN 1996-1944)于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题:生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例;在填充底漆之前,最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的,模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上,多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化(ESL)和低k介电或气隙之间,在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm,长2 µm,在接线方向上延伸,如图4所示。在完整的低K集成方案中,由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配,在M3间的裂纹3中,ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果,用于跨层次的全气隙结构,在该结构中,空气间隙取代了M3的所有金属间介电(IMD)。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是