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World File Search System对腔隙
通过紫外可见光谱进行带隙分析
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随机平移不变哈密顿量及其谱隙
在量子多体物理学中，基态上方谱隙的存在对基态关联和纠缠特性具有重大影响 [1, 2, 3, 4]。谱隙的闭合也与拓扑量子相变的发生密切相关，因为量子相的现代定义依赖于通过 Hastings 的准绝热演化概念存在的带隙汉密尔顿量路径 [5, 6, 7]。在汉密尔顿量的各种“局部”扰动下谱隙的稳定性是一个活跃的研究领域 [8, 9, 10, 11, 12]，为了利用这些稳定性结果，拥有广泛的带隙汉密尔顿量网络用于进一步的稳定性分析当然是有益的。一般来说，有关谱隙的问题是物理学中许多最具挑战性的未决问题的核心。两个例子是霍尔丹的猜想，即反铁磁海森堡链的自旋值为整数时存在谱隙[13,14]，以及杨-米尔斯质量间隙，这是一个千年难题。有关谱隙相关性的更多背景信息，请参阅[15,7]。鉴于谱隙的存在具有很强的物理意义，人们对确定严格推导谱隙的数学技术有着浓厚的兴趣。已经发现，除极少数例外，只有特殊的无挫折哈密顿量才适合严格推导。
宽带隙电力电子战略框架
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Prithvi Foundation的云间隙刺激...
在多光谱卫星图像中填充多云的像素对于准确的数据分析和下游应用程序至关重要，尤其是对于需要时间分配数据的任务。为了解决此问题，我们将基础元素变压器（VIT）模型的性能与基线条件生成对抗网络（CGAN）模型进行了比较，以在多型卫星图像的时间序列中缺少价值插补。我们使用现实世界云面具随机掩盖了卫星图像的时间序列，并训练每个模型以重建缺失的像素。VIT模型是根据预处理的模型微调的，而CGAN则是从头开始训练的。使用定量评估指标，例如结构相似性指数和平均绝对误差以及定性的视觉分析，我们评估插补准确性和上下文保存。
低带隙共轭的半导体聚合物
是通过化学，电化学，光或界面效应的半导体材料来实现的。半导体材料的重要参数是带隙（E G），以及最高占用和最低的无占用带与真空的位置。这些带被称为无机半导体的价和传统带。对于有机半导体，定义条带隙的频带通常称为最高的分子轨道（HOMO）和最低的无置分子轨道（Lumo）。半导体聚体的一个优点是能够通过分子设计调整带隙和同型和Lumo水平的位置。与Inor-Ganic半导体相反，化学结构的少量修饰会导致聚合物半导体的电气和光学正确变化。在发现聚乙烯和碘或砷五氟二氟掺杂后的高电导率后，被认为是用于用于抗静态涂料，电池或电池材料的金属的替代品，以作为金属的替代品。 [3]被认为是用于用于抗静态涂料，电池或电池材料的金属的替代品，以作为金属的替代品。[3]
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
二维 ScB MBene 的带隙工程
MBenes 是二维 (2D) 材料中的一种新兴成员，因其独特的机械和电子特性以及多样化的晶体对称性和结构而备受关注，这些特性使其成为不同类型应用的有希望的候选材料 [1, 2]。然而，原始 MBenes 的固有金属性质可能会成为光学领域中涉及光子吸收、发射和电子学的多种应用的障碍。在半导体材料中，带隙是最重要的参数，人们投入了大量精力来寻找具有广泛带隙的新型纳米材料。虽然 MBenes 通常表现出金属行为，但可以通过能带工程将其调整为半导体。在这项工作中，ScB MBenes 的电子能带结构已利用表面功能化和应变电子学等能带工程技术进行了修改。我们研究了 ScB MBenes 的各种晶体对称性，并检查了它们的结构和动态稳定性。我们的结果表明，具有六方晶体对称性的 ScB 是最稳定的。我们已经研究了具有 O-、F-、OH- 和 H- 官能团的 ScB 的电子结构，并且能带结构计算表明，用 O 官能化的 ScB 在 DFT+U 和混合交换关联函数 HSE06 中分别具有约 0.1 eV 和 0.5 eV 的半导体带隙。除了用 O 官能化之外，施加的平面双轴应变还使带隙进一步增大了 0.8 eV。这可以使 ScBO MBene 充分利用电子、光学和其他多种应用。
曲率校正低压带隙基准
稿件于 1992 年 9 月 8 日收到；修订于 1993 年 2 月 17 日。M. Gunawan 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于印度尼西亚政府。GCM Meijer 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。J. Fonderie 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于 Phihps Semiconductors，邮编 94088，加利福尼亚州桑尼维尔。JH Huijsing 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。IEEE 日志号 9209023。
机载中红外腔增强吸收...
Corinna Kloss 1,* , Vicheith Tan 1 , J. Brian Leen 2 , Garrett L. Madsen 2 , Aaron Gardner 2 , 徐杜 2 , Thomas Kulessa 3 , Johannes Schillings 3 , Herbert Schneider 3 , Stefanie Schrade 1 , 晨曦邱 1 , 马克·冯·霍布 1
soliton Microcomb通过腔多边形模式
soliton microcombs需要宿主腔以异常分散状态运行，对于整个光子系统至关重要。过去，在腔窃窃库模式（WGMS）上产生了孤子微量摩托，并通过结构性分散工程来实现正常分散材料制造的腔的异常分散需求。这不可避免地会降解腔质量因子（Q），并增加了孤子梳子生成的泵阈值功率。为了克服挑战，在这里，我们报告了一个由腔多边形模式激发的孤子微型炸弹。这些模式在近红外显示异常分散，而光学Q因子则保持超过4×10 6。因此，证明了从1450 nm到1620 nm的孤子梳子，具有创纪录的低泵功率为11 MW，与同一材料平台上的最新水平相比，有三倍的改进。