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World File Search System对鳍片
湿度对大尺寸石墨烯片与水泥基复合材料之间界面 ...
揭示了G和C-S-H之间仅有范德华力，界面键合强度很弱，并且脱键性能很低。石墨烯的脱根能量随着界面水含量的增加而降低，表明水侵入会削弱G和C-S-H的结合效应，并减少石墨烯对C-S-H底物的难度。在纳米级湿度的影响下探索石墨烯对CSH的粘附行为对于理解基本的粘附机制，优化复合材料证明和促进相关学科的发展至关重要。
鳍宽度对三门电气参数的影响
三栅连接粉末的非平面3D结构使它们能够缩放到22nm及以后，并且具有更好的性能。但是鳍宽度的变化对设备性能有影响。在本文中，已经评估了各种鳍片宽度对无连接三栅极鳍片的影响。对不同的设备电气参数，例如电流，关闭电流，I ON /I OFF，阈值电压，子阈值斜率，DIBL，跨导率进行了不同的鳍宽度和分析。结果表明，对于长通道设备，以较高的I ON /I OFF和较小的子阈值斜率值，DIBL的较小值获得了更好的性能，而对于短通道长度设备，由于较小的鳍片宽度较小，由于较小的鳍片宽度，由于降低了较小的鳍片宽度，因此较小的下端斜率和DIBL和IN /I ON /I ON /I ON /I ON /I off比例提高。
评估远程气候预测对产生羊毛产生的企业和鳍片性能的影响
改善的气候预测有可能提高农场经理应对可变气候的能力。在这项研究中，使用了育种母羊羊群的模拟模型来对维多利亚州的羊毛产生企业的气候预测值进行初步评估。库存和销售政策是根据天气状况的长期预测而修改的。将牧场覆盖，绵羊福利和财务回报的影响与25年的传统管理政策的影响进行了比较。这些比较是在两个位置进行的，汉密尔顿和卢瑟格伦，并以两个库存率进行。还评估了天气预报的不同准确性对存放和销售政策变化价值的影响。使用季节性条件的准确预测更改放养和销售政策，导致成人母羊及其后代的死亡率降低。及时的行动时，不良条件即将到来会导致秋季和冬季的牧场覆盖物增加，绵羊的最低寿命。总回报平均增加了5％以上。大部分增加是由有利条件下羊群大小增加的羊毛收益较高的贡献。在传统管理的农场购买绵羊的支出较低；但是，对即将到来的条件的了解确实允许在较差的季节耗尽牧场储备之前减少库存数量，从而减少了补充饲料的需求。传统管理农场的总现金成本往往降低，但这种差异并不显着。使用对汉密尔顿的季节性状况的准确预测来改变存货和销售政策，现金运营盈余和净现金收入都大大增加了，但是，尽管相同的趋势很明显，但在卢瑟格伦（Rutherglen）使用预测的效果并不重要。，如果预测在10或6年内仅在10年中仅在10年的8年中是准确的，那么更改存货和销售政策的好处也降低了，但是即使在较低的准确度中，分析25年的平均现金运营盈余也高于使用传统管理制度实现的。但是，在个人年份，由于预测不正确而采用的不当政策导致财务回报率降低了64％。准确的预测可以通过改变牧场和动物管理，尤其是通过减少库存数量来改善土地保健和动物福利。但是，由于维多利亚州的绵羊企业的盈利能力高度取决于库存率的选择，因此建议在不考虑绵羊企业的财务生存能力的情况下减少股票数量的建议可能会毫无疑问。因此，至少在短期内，可能很难改善土地保健和动物福利，同时保持盈利能力。这项研究表明，至少对于所调查的策略，南部澳大利亚南部可靠季节性前景的羊毛生产商的财务收益可能大大降低。此外，澳大利亚南部的季节性预测的准确性是，正确预测的好处可以部分抵消
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。