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第章半导体供应链区域化？以欧洲半导体发展为例
5 <车用半导体二哥恩智浦为何忙跟鸿海、英业达造生态系？>，《联合新闻网》，2022年7月21日，https：///udn.com/news/story/7240/6478005。6“自动唯一的孤独点”，SC-IQ：SC-IQ：SEMIConductor Intellionce，3月28日，20223年3月28日，2023，HTTPS：///////////////WW。semiconductorintelligence.com/automotive-lone-brightspot/。
半导体封装 - DTIC
应加快塑料封装 IC 进入军事系统，但不应盲目推广。测试数据显示，在大多数情况下，塑料封装 IC 与陶瓷 IC 一样可靠。然而，人们对于长期储存寿命和极端温度和湿度环境的担忧是合理的。不同供应商的塑料封装微电路 (PEM) 故障率差异很大。显然，它们可以很容易地用于许多非关键、相对无害的军事应用。在另一个极端，IC 必须在极端温度和湿度条件和周期下运行，或者在长期储存（长达 20 年）后保证运行非常重要（导弹和其他武器），军事供应商不愿意放弃经过验证的陶瓷封装可靠性。
半导体清洗技术 1989
electrochem.org › Semiconductor_cle... PDF 2018 年 7 月 9 日 — 2018 年 7 月 9 日，清洁效率取决于多个因素，并且...在喷气式飞机客舱中分解臭氧，”国际贵金属研究所。410 页
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
二维狄拉克超导体中的可调通量涡旋
量子力学系统的希尔伯特空间可以具有非平凡几何，这一认识导致人们在单粒子和多粒子量子系统中发现了大量新奇现象。特别是，与单粒子波函数相关的几何考虑导致了非相互作用拓扑绝缘体 (TI) 的最初发现和最终分类 [1 – 4] ，以及对这些相中缺陷相关特性的研究 [5 – 8] 。另一方面，在分数量子霍尔系统 (FQHS) [9,10] 和分数陈绝缘体 (FCI) [11,12] 的框架内，研究了拓扑与占据非平凡单粒子态的粒子间相互作用之间相互作用所产生的迷人物理。然而，由于后者的关联性质，建立单粒子和多粒子层面上非平凡几何的作用之间的直接关系一直很困难。在本文中，我们展示了二维 (2D) 单粒子能带结构的非平凡几何与相关 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 超导体的响应特性之间的明确联系 [13] 。特别地，我们表明，在用大质量狄拉克模型描述正常态的二维系统中，超导态遵循修改的通量量子化条件，从而产生分数通量涡旋以及非常规约瑟夫森响应。必须强调的是，超导态与正常态没有扰动关系。但是，正如我们在下面所展示的，使用 BCS 变分假设可以处理相变两侧的几何作用。流形量子化源于这样一个事实：在块体超导体内部深处，序参量的整体相位是恒定的。在传统的
瑞昱半导体股份有限公司
PWCR23000049 致瑞昱半导体股份有限公司董事会及股东 前言 我们已审阅瑞昱半导体股份有限公司及其子公司截至2023年3月31日及2022年3月31日的合并资产负债表、截至该日止三个月的合并损益表、股东权益变动表及现金流量表以及合并财务报表附注，包括重要会计政策摘要。 本公司管理层有责任按照金融监督管理委员会核准生效的《证券发行人财务报告编制准则》及国际会计准则第34号《中期财务报告》的规定，编制并公允列报此等合并财务报表。 我们的责任是在审阅基础上对这些合并财务报表发表结论。审阅范围 除下段所述外，本会乃根据中华民国《审阅业务准则第2410号——企业独立核数师审阅财务资料》进行审阅。审阅合并财务报表包括询问（主要询问财务及会计事宜负责人）及应用分析及其他审阅程序。审阅范围远小于审计，因此本会无法保证知悉审计中可能发现的所有重大事项。因此，本会不发表审计意见。 保留结论之依据 如附注4(3)及6(7)所述，若干不重大合并子公司、按权益法核算的投资之合并财务报表及附注13所披露之资料仅以该等子公司及被投资公司编制之报告为准，而该等报告并未经独立核数师审阅。该等子公司总资产分别为新台币 6,258,112 仟元及新台币 5,860,231 仟元，占本公司 102 年度及 102 年度合并总资产的 5.82%及 5.40%，总负债分别为新台币 846,101 仟元及新台币 996,120 仟元，占本公司合并总负债的 1.42%及 1.61%。
清晰的融合二氧化硅用于半导体制造
沉积过程的一种非常特殊的情况是所谓的外延沉积，或者只是外延。该专业局部旨在将材料沉积到单晶模板上，生长为单晶层。半核心设备制造链中的第一步之一是在空白硅晶片上沉积外延硅。这是在外交过程中完成的。经常运行这些过程，一次仅处理一个晶圆（即单个晶圆处理）或少数数字（即多窃听或迷你批次）。
超导体的军事系统应用-DTIC
为了实现这一潜力，需要一个剧烈的研究，发展和演示计划。这样的计划应包括：基础研究中的扩大努力，包括理论；高温薄膜材料和高温复合线和导体的密集开发；除了追求两种关键支持技术：低温和高强度结构材料以及基于超导体材料的许多工程测试模型的开发，以作为早期对高温超导体早期转移到军事系统的基础。