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低能α粒子和质子在半导体中产生电荷的TCAD模拟统一模型
对离子在半导体中产生的电离径迹的产生和传输进行 TCAD 模拟与可靠性以及辐射探测器的设计息息相关。具体而言，可靠性应用侧重于模拟在测试半导体元件是否易受软错误（逻辑器件、存储器，例如 [1] ）和单粒子烧毁（功率器件，例如 [2] ）影响时发生的瞬态现象。主要的 TCAD 工具已经包含模型和程序（例如 [3] ），但它们存在一些实际限制，例如仅限于单一类型的离子、有效能量范围的限制以及仅适用于硅的校准。此外，现有模型在数值上比较僵化，不易针对其他类型的离子、半导体和能量范围进行校准。本文提出了一个基于物理导向的 Crystal-Ball 函数 [4] 的半导体中低能离子沉积电荷的统一模型。特别关注能量范围分别为 0 – 10 MeV 和 0 – 160 MeV 的 α 粒子和质子。与常用模型相比，这种选择具有几个优势。特别是，α 粒子和质子使用相同的建模函数。此外，与现有解决方案相比，所提出的模型使用的校准参数更少，数值条件良好，并且其校准参数更透明，因为它们与可测量的物理量相关。最后，所提出的模型可以轻松扩展到不同的半导体和离子类型。
全球半导体趋势和欧盟芯片的未来......
欧洲芯片计划以研究为重点：芯片联合行动是“地平线欧洲”和“数字欧洲”计划下关键数字技术联合行动的战略性重新定位，它将从欧盟、成员国、伙伴国家和私营部门筹集 110 亿欧元，用于加强现有的研究、开发和创新。供应安全，针对企业：《芯片法案》将提供一个框架，通过吸引对先进生产能力和相关创新的投资来提高供应安全。20 亿欧元的芯片基金将为初创企业提供融资渠道，以推动创新并吸引投资者。通过 InvestEU 下的半导体股权投资混合设施将吸引更多资本，以支持中小企业扩大规模和拓展市场。此外，各项规定还支持首创的设施，这些设施被归类为“开放式欧盟铸造厂”，主要为其他工业参与者设计和生产半导体元件，以及“综合生产设施”，为欧洲市场设计和生产元件。支持的形式包括快速通道许可、优先使用试验线以及在成员国提供公共支持时相对宽松的国家援助规则。此外，还将有 300 亿欧元的公共和私人投资。监测和危机应对，以协调为目标：成员国和委员会之间的协调机制将监测半导体的供应和价值链，估计需求和短缺，收集公司情报并确定关键弱点和瓶颈。它将为共同的危机评估提供信息，并协调从新的应急工具箱中采取的行动。
人工智能时代的半导体产业
虽然半导体行业组织预测两年内芯片需求将增长 15%，但下游组织（依赖半导体供应来提供产品或服务和运营的组织）预计其芯片需求将以 29% 的更高增长率增长。人工智能 (AI) 和生成式人工智能 (Gen AI) 的普及推动了对专用神经处理单元 (NPU) 和高性能图形处理单元 (GPU) 的需求，这些单元可以高效处理大量计算和大型数据集。此外，下游组织预计未来 12 个月对人工智能芯片、定制硅片和内存密集型芯片的需求将增加。
黑色半导体获得254的资金，...
芯片之间的数据通信超过了硅从硅的先前芯片架构的性能，并在不到以前的制造步骤中提高能源效率，从而降低了成本。雄心勃勃：根据以前的工业标准，可以在行业的开创性绩效中进行大规模生产。公司的技术和硬件促进了光学芯片到芯片连接，使各种芯片能够像单个芯片一样相互作用。通过克服硅芯片体系结构的当前限制，这项新技术在各个领域（例如更有效的数据中心，生成性和嵌入式AI和自动驾驶）开设了变革性应用程序。
半导体和微电子标准
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动，并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织，确定了五个重点领域和优先事项，并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动，包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。
超导体的军事系统应用-DTIC
为了实现这一潜力，需要一个剧烈的研究，发展和演示计划。这样的计划应包括：基础研究中的扩大努力，包括理论；高温薄膜材料和高温复合线和导体的密集开发；除了追求两种关键支持技术：低温和高强度结构材料以及基于超导体材料的许多工程测试模型的开发，以作为早期对高温超导体早期转移到军事系统的基础。
引用了原始发表的论文（记录的版本）：Kimpel，J。，Kim，Y.，Asatryan，J。等（2024）。高动力有机混合导体
避免功能化会导致更好的原子经济以及毒性较小的反应性物种和副产品。这一切都会导致较低的SCI。尽管DAP具有明显的优势，但与其他常规途径相比，由此产生的材料表现不佳。与Stille制成的聚合物相比，直接芳基聚合物O e eN具有较低的分子量23，并且缺陷的患病率更高。24个同源物缺陷是由随后的链中重复自我的随后的单体而变化的。这是由芳基亲核试剂（AR - H）和DAP中的芳基电到（AR - BR）引起的，反应性更接近。Accordingly, the C – H bond must be su ffi ciently active to undergo reaction and prevent homocoupling of the dibrominated monomer – a side reaction also seen in Stille and Suzuki coupling despite highly orthog- onal reactivity of the monomers in those polymerization
第章半导体供应链区域化？以欧洲半导体发展为例
5 <车用半导体二哥恩智浦为何忙跟鸿海、英业达造生态系？>，《联合新闻网》，2022年7月21日，https：///udn.com/news/story/7240/6478005。6“自动唯一的孤独点”，SC-IQ：SC-IQ：SEMIConductor Intellionce，3月28日，20223年3月28日，2023，HTTPS：///////////////WW。semiconductorintelligence.com/automotive-lone-brightspot/。
基于谐振器的介电体和半导体材料表征的先进建模技术
摘要：本文报道了基于有限差分时域 (FDTD) 和有限元法 (FEM) 的介电谐振器材料测量装置建模的最新进展。与介电谐振器设计方法不同，介电谐振器设计方法使用贝塞尔函数的解析展开来求解麦克斯韦方程，而本文仅使用解析信息来确保场的固定角度变化，而在纵向和径向方向上应用空间离散化，从而将问题简化为 2D。此外，当在时域中进行离散化时，全波电磁求解器可以直接耦合到半导体漂移扩散求解器，以更好地理解和预测基于半导体的样品的谐振器的行为。本文将 FDTD 和频域 FEM 方法应用于介电样品的建模，并根据 IEC 规范规定的 0.3% 范围内的测量结果进行验证。然后采用内部开发的耦合多物理场时域 FEM 求解器，以考虑电磁照明下的局部电导率变化。由此展示了新方法，为介电谐振器测量的新应用开辟了道路。
