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南佛罗里达大学的数据情报科学硕士（MSDI）计划（USF），研究生 2025佛罗里达大学本科研究会议 微生物学-Tampa Pradeep Haldar -Tampa 合作伙伴关系 Rasim O. Guldiken，博士-Tampa 主要的情况说明书 USF I -CORPS团队：2016春季学期队列 数据情报科学硕士（MSDI）程序 半导体中的自旋注射，操纵和检测 机械工程技术选修课
奖学金获得者：南希·迪亚兹·塞雷德（Nancy Diaz-Elsayed）博士，助理教授，南希·迪亚兹（Nancy Diaz）博士是机械工程系南佛罗里达大学的助理教授。她领导智能和可持续的系统实验室（S3 LAB），她的研究小组应用数据驱动的方法和利用物联网技术来实现可持续系统的设计。她的项目跨越了离散和连续的流程，包括用于CNC加工的工具状况监测，生产设备的健康监测功能的表征，集成废水管理系统的可持续设计以及用于远程能源监控的数字双胞胎的开发。，她的专业成就迄今为止和支持未来的工程师的支持，她获得了几项赞誉，包括2022 SME SANDRA L. BOUCKLEY杰出的制造工程师协会（SME）的年轻制造工程师奖（SME），这是2022年的2022名杰出人物奖（GMIS）的杰出人士（GMIS），以及2021 William R. R. Jones杰出的Florsor教育基金（Feff Florsor Flordor Fund）（Fef）。
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
博士论文：用于量子计算应用的低温半导体器件可靠性 (f/m/div)*
我们提供一篇博士论文，研究液氦温度下半导体器件的老化机制。基于电气测量，确定并深入研究了 4.2 K 下的相关物理老化机制。开发或扩展了低温老化模型。过去二十年来，量子计算一直是基础研究中一个非常活跃的领域。在过去的 5 年里，它已经达到了成熟的水平，商业应用触手可及。英飞凌希望通过研究不同的量子系统及其在低温下的电子环境来推动这一发展，以便操纵和读取这些系统。在半导体器件中，许多物理效应会导致器件电气参数的漂移，进而导致整个电路故障。预测这种漂移在整个生命周期中的现象对于确保电路的功能性非常重要。对于量子计算应用，需要研究低温下的退化效应，并分别开发物理模型。
高级半导体工程，Inc
台北，2025年2月13日 - ASE Technology Holding Co.，Ltd。（Twse：3711，NYSE：ASX）（“我们”，“ ASEH”或“ Company”或“ Company”），半导体组装和测试服务（“ ATM”）的领先提供商，以及“ ATM”的提供者，以及“ EMS”的Electronic Service（“ EMS”），该公司的AUD（今天）是Incort Int Aud un Aud Aud the Intect Ond Aud Aud Aud the Incoving Int Aud Aud Aud aff第4季度的NT $ 162264亿美元，同比增长1.0％，依次增长1.3％。该季度的净收入归因于父母的股东，总计9,3.12亿，低于第4季度的NT 93.92亿美元，低于第3季度第3季度的NT 97.33亿美元。该季度的基本每股收益为NT $ 2.15（或每张广告0.134美元），而第4Q23季度为NT $ 2.18，第3季度为2.25 $ 2.25。该季度稀释的每股收益为NT $ 2.07（或每张广告0.129美元），而4Q23的NT $ 2.13为2.13美元，第3季度为2.18 $ 2.18。在2024年的全年中，该公司报告了未经审计的净收入为NT 5.954亿美元，净收入净收入，净收入归因于NT 324.83亿美元的股东。2024年全年的基本每股收益为NT $ 7.52（或每张广告0.470美元）。2024年全年每股稀释的每股收益为NT $ 7.23（或每张广告0.452美元）。截至2024年12月31日，我们已经完成了业务组合的购买价格分配，并回顾了上一期的合并财务业绩。操作结果4q24结果突出显示 - 合并
第二谐波生成用于介电 - 轴向导体堆栈中界面电场的表征
诸如MOSFET，光电探测器，光伏细胞之类的设备的性能受到接口质量的强烈影响，尤其是介电和硅之间。已知通过高介电常数Diélectrics（High-k）对IF的钝化可以改善这些接口的电性能。在用于表征界面质量的方法中，第二次谐波（SHG）的产生是一种基于非线性光学器件的有希望的敏感和非破坏性技术。在偶极近似中，中心分析材料中的SHG响应（例如Si，Al 2 O 3，Sio 2等）为零。因此，SHG响应主要包含与界面相关的信息，其中对称性被打破。此外，在界面处的电场（E DC）存在下，信号得到加固。该现象称为efish（电场诱导的SHG）。由于电界面场与氧化物（Q OX）和/或界面状态（d IT）中的固定载荷相关联，因此SHG技术对这些电参数敏感。本论文的目的是校准SHG响应，以测量与电介质中固定载荷相关的电场。从SHG实验数据中提取电气信息需要考虑光学现象的影响（吸收，干扰等。），这得益于对所研究结构的第二个谐波的响应进行建模/模拟。我们的仿真程序基于我们为多层人士改编的文献的理论模型。实验是在Si（100）上的几层Al 2 O 3上进行的，在可变条件下沉积并且界面质量非常不同。互补的电气技术，例如Corona负载（COCOS）和容量张力测量（C-V）的表征，使得访问样品的电场并完成SHG结果以进行校准。实验和模拟证明了Si介电的单个校准的可能性还讨论了与多层（绝缘体上的硅）等多层表征相关的一些研究元素，特别是对各个接口处存在的层厚度或电场厚度的SHG响应的影响。
采用半导体分布掺杂区带宽可切换带通滤波器的新型合成方法
摘要 本文介绍了一种使用半导体分布掺杂区 (ScDDA) 作为有源元件的带宽可切换带通滤波器的新型合成方法。提出了一种协同设计方法，对可切换滤波器的有源和无源部分进行整体和同步设计。集成在硅基板中的 ScDDA 能够从半波长开路短截线转换为四分之一波长短路短截线。这种协同设计方法具有很大的灵活性，允许将有源元件直接集成在基板中，从而避免任何元件焊接。该合成是针对有源元件的两种状态开发的，并作为概念验证应用于四极带宽可切换带通滤波器。该滤波器工作频率为 5 GHz，在 OFF 状态下（当短截线通过开路终止时）带宽为 50%，在 ON 状态下（当短截线短路时）带宽为 70%。对于该滤波器，合成在两种状态下进行，允许选择两个所需的带宽。这些结果得到了良好的拟合，证明了这种方法的可行性。
一种新型铁电Rashba半导体
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件（如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管）至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而，只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里，Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变，并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中，较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
擦除与超导体耦合的半导体量子点中的奇宇称态
量子点在 InSb 纳米线内以栅极定义，靠近 NbTiN 超导触点。随着点和超导体之间的耦合增加，传输中的奇宇称占据区域在诱导超导间隙上方和下方都变得不可辨别（被擦除）。在间隙上方，奇数库仑阻塞谷中的电导率增加，直到谷被抬起。在间隙下方，安德烈夫束缚态经历量子相变，变为奇数占有的 Kondo 屏蔽单重态基态。我们研究了在低偏置和高偏置下奇宇称状态的明显擦除在多大程度上一致。我们用数值重正化群模拟来补充实验。我们从 Kondo 屏蔽和超导之间的竞争的角度来解释结果。在擦除奇宇称机制中，量子点表现出类似于有限尺寸马约拉纳纳米线的传输特征，在偶奇点占据和偶奇一维子带占据之间形成相似性。
半导体工程和微电子设计硕士学位
半导体工程与微电子设计硕士学位（硕士学位网站）的主要目标是在集成电路、数字和模拟电路的设计和制造领域提供先进和专业的科学技术培训，重点应用于存储系统、通信系统、控制系统、计算系统、传感器和新兴设备，如二维和量子。通过这种方式，我们的目标是弥补目前此类培训专业人员的短缺，这种培训在西班牙和欧洲工业界以及半导体技术研究领域都受到高度重视。