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通过Lagrange Points在真空中引导带电的粒子
，我们提出了一种通过采用拉格朗日点的外来特性来指导带电颗粒（例如电子和质子）的方法。通过围绕这些平衡点展开的动力学使这种飞跃成为可能，稳定地捕获了这种粒子，类似于木星轨道上的木马小行星的方式。与传统的方法论不同，该方法可以使带电颗粒的聚焦或三维储存，而拟议的方案可以指导小型横截面区域中的非偏见和相对论电子和质子在长期不变的情况下以长期不变的方式引导，而无需任何可观的能量损失 - 与光子传输相似于光子的光合物。在这里，通过采用扭曲的静电电势来实现粒子引导，而静态电势又在真空中引起稳定的拉格朗日点。原则上，可以在由此产生的波导的基本模式中实现指导，从而提出了在量子域中操纵这些颗粒的前景。我们的发现可能在科学和技术追求的广泛应用中很有用。这些应用可以涵盖电子显微镜和光刻，粒子加速器，量子和经典通信/传感系统，以及量子网络中节点之间的纠缠量子的方法。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。