XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System封装
DNA 在液珠中的微流体封装可用于数字 PCR 应用
人类和动物的粪便污染严重影响环境水质，直接威胁人类和牲畜的健康。粪便污染会严重影响海洋捕捞或游泳等娱乐活动。1 人类和温血动物的粪便中含有病原体，是水传播疾病的主要来源。大多数水传播病原体可以寄居在人类和动物的粪便中。2 识别污染源对于有效的资源管理、补救和潜在环境风险评估至关重要。传统的病原体检测培养方法成本高、耗时、费力，并且由于需要长时间培养，不适合及时预防重大流行病的爆发。3 最近，表面等离子体共振 (SPR)、DNA 微阵列、酶联免疫吸附测定 (ELISA)、表面等离子体共振 (SPR)、实时
使用植物化学物质和使用合成聚合物（PVA）封装的银纳米颗粒
AG-NP合成的化学方法包括各种有机和无机还原剂（如柠檬酸钠和硼氢化钠）的化学还原方法。尽管这种AG-NP合成方法非常普遍，但绿色合成提供了一种更安全，成本效益和环保替代化学降低的替代品[3,4]。绿色合成的AG-NP在医学，食物保存和水过滤等各个领域都有应用。此外，根据最近的研究，绿色合成的AG-NP具有强大的抗微生物，抗癌和抗氧化活性。对全球医疗保健的最严重威胁之一是存在多药耐药病原体，尤其是引起威胁生命疾病的病原体。为了最好的这些病原体，需要对这些感染的新技术。绿色合成的Ag-NP已被发现有效
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
Jamal Chenouf，Mourad Boutahir，B。Fakrach，A。Rahmani，H。Chadli等。π-偶联的Quaterthiyophene对径向呼吸的封装效果
Jamal Chenouf，Mourad Boutahir，B。Fakrach，A。Rahmani，H。Chadli等人。π-偶联的Quaterthiyophene对径向呼吸和分支模式的半导体和金属单核碳纳米管的封装效果。计算化学杂志，2020，41（28），pp.2420-2428。10.1002/jcc.26408。hal-03017613
用于 6G 微电子封装的玻璃基材料和叠层太赫兹特性分析
摘要 包括聚合物/玻璃叠层在内的玻璃基材料是用于封装 5G 和 6G 微电子模块和元件的极具吸引力的结构块。我们利用商用太赫兹时域光谱 (THz-TDS) 系统首次对 AGC Inc. EN-A1 无碱硼铝硅酸盐玻璃和层压在钠钙浮法玻璃基板上的味之素增压膜 (ABF) 进行了 200 GHz 至 2.5 THz 的宽带特性分析。EN-A1 玻璃和层压 ABF 的折射率 n (ν)、衰减系数 α (ν)、介电常数 ε ′ (ν) 和损耗角正切 tan δ (ν) 分别为 n EN − A1 = 2 . 376，α EN − A1 = 31。 1 cm − 1 ，ε ′ EN − A1 = 5 . 64，tan δ EN − A1 = 0 . 062，n ABF = 1 . 9，α ABF = 30 cm − 1 ，ε ABF = 3 . 8，tan δ ABF = 0 . 072，均为 1 THz。我们的研究结果验证了 EN-A1 玻璃和 ABF 聚合物材料作为微波和 THz 封装解决方案的良好前景。
封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
用于评估电力电子模块封装材料热行为的软测量设计
宽带隙材料 (SiC、GaN、C) 和新一代混合集成技术的出现显著提高了电力电子模块的性能。此类模块应能够在恶劣的环境条件和约束下工作：高温和高功率密度、快速切换等。高温引发了新的约束，这对电力电子组件至关重要。因此，对于电力电子模块，实时状态监测是一个备受关注的主题。[1] 表明，电力电子模块中局部约束（可能是热的或热机械的）的演变会对模块的寿命产生负面影响。因此，必须精确了解模块中特定位置的温度，例如半导体芯片的温度或这些芯片周围的封装硅胶的温度。然而，在电源模块内部的某些位置使用热传感器可能很困难。出于这些原因，以下工作的目标是使用多个传感器的测量数据来估计特定非测量位置的这个物理变量。一些研究涉及电源模块的热模型，以估计半导体芯片的温度。为了获得电源模块的精确热模型，需要考虑热传递，然后可以引入空间离散热模型 [2, 3]。注意热
通过空间原子层沉积对透明导电聚合物的高性能封装
AmélieSchultheiss，Abderrahime Sekkat，Viet Huong Nguyen，Alexandre Carella，Anass Benayad等。通过空间原子层沉积，高性能封装透明导电聚合物。合成金属，2022，284，pp.116995。10.1016/j.synthmet.2021.116995。hal-03636177
2025 年印度半导体与封装生态系统会议
只有印度能够吸引大量跨国公司进入印度，这一切才能实现。印度吸引大量跨国公司的最佳方式是投资基础设施，在全球公司所需的所有战略系统设计和技术方面开展大规模、全球水平的研发和劳动力开发。这是第一个原因。印度政府提议的基础设施建设已经开始实现这一点。跨国公司希望进入印度的第二个原因是，印度学术机构开展大规模、全球水平的研发和劳动力开发。与几乎任何其他国家不同，印度完全有能力开展这两项工作，利用其王牌——印度理工学院和印度理工学院，以及一些私立学院和大学。但这种研发必须在全球范围内开展，并满足下一代全球行业的需求。众所周知，过去四十年来，印度的机构一直在培养世界上最优秀的工程师，其中包括现在担任 IBM、谷歌、微软、美光和西部数据等许多大型跨国公司的首席执行官、首席技术官和技术领导者的工程师。到目前为止，印度学术机构的重点主要放在劳动力发展上。在下一阶段，他们完全有能力专注于两个最重要的因素：1）开发全球行业所需的下一代技术；2）教育学生全球行业所需的技术。因此，第二阶段的重点必须是行业驱动的研发和劳动力发展。
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。