XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System封装
替代 FCBGA 封装解决方案评估
摘要 有 2 种潜在的替代封装解决方案被提出来用味之素增层膜 (ABF) 基板取代倒装芯片球栅阵列 (FCBGA)。第一种是无 ABF 解决方案，即采用基于层压板的预浸料的倒装芯片规模封装 (FCCSP)。FCCSP 是一种成熟的封装解决方案，有多种预浸料材料可供选择以匹配原始 ABF 特性。FCCSP 的重点 FCBGA 尺寸为 10 mm x 10 mm 至 21 mm x 21 mm，基板层数从 1+2+1L 到 2+2+2L。应用涵盖内存控制器、Wi-Fi 处理器和 DTV SoC。另一种封装解决方案是扇出型球栅阵列 (FOBGA)，其目标是具有高 ABF 层数的更大 FCBGA。FCBGA 的重点最大封装尺寸和层数分别为 55 mm x 55 mm 和 6+2+6L。潜在的应用是需要极高电气性能的 CPU、AI 加速器和网络交换机。FOBGA 的设计理念是重新分配 FO 芯片上的信号凸点位置，并使 ABF 基板层容纳更多的 I/O 信号，以进一步减少 ABF 基板的层数。进行封装信号完整性 (SI) 和电源完整性 (PI) 分析以验证所提出的封装解决方案的电气性能。最后，我们提出了 FOBGA 的设计指南，以减轻由于基板层减少而导致的性能下降。关键词扇出球栅阵列 (FOBGA)、信号完整性 (SI)、电源完整性 (PI)、串扰、电源传输网络 (PDN)。
日本的电子制造和封装
明星大学 ................................................................................................................ 178 村田制作所 ................................................................................................ ................................................................................. 186 日本电装 .............................................................................................................. 190 日东电工 ................................................................................................................ 95 冲电气 ...................................................................................................................... 00 索尼 ............................................................................................................................. 208
液晶聚合物MEMS封装
液晶聚合物 MEMS 封装 Amaresh Mahapatra、Robert Mansfield 和 Lian Li Linden Photonics, Inc. 270 Littleton Rd., # 29 Westford, MA 01886 摘要 军方关注 MEMS 设备的长期生存力和可靠性，特别是在受到高 G 冲击（例如从大炮发射弹药时）时。研究人员一致认为，与封装相关的故障机制是所有故障模式的主要因素。此外，封装在长期储存过程中会性能下降。高 g 条件下的主要封装相关故障模式包括：• 加工过程中产生的松散碎片的移动。• 陶瓷封装开裂• 盖子和基板分离• 由于封装非密封，储存过程中盖子/基板密封和引线键合性能下降。Linden Photonics, Inc. 正在开发晶圆和芯片级封装以缓解这些故障模式。Linden Photonics 拥有与微电子和光电子近密封和抗辐射封装相关的专业知识和专有技术。 Linden 为海军开发了强力鱼雷光缆 (STFOC)。将介绍显示进展的数据和测量结果。1. 光电和 MEMS 元件的近密封封装 Linden 的 LCP 护套光纤在电光设备封装领域具有巨大潜力。封装工程师面临的主要挑战之一是在光输入和输出端口周围创建密封。这种密封通常是通过剥离和金属化光纤末端，然后将其焊接到金属化玻璃套管中来创建的。最后将套管焊接到设备的金属外壳中。剥离和金属化光纤是一项昂贵、劳动密集型的操作。处理裸露的金属化光纤也很成问题，并且在封装过程中光纤断裂很常见。
盆栽化合物和封装物
1C epoxy (DELO KATIOBOND, DELO DUALBOND) Color: Yellowish, transparent Light fixation in < 10 s for immediate further processing, curing to final strength within 24 h (DELO KATIOBOND) or accelerated heat-curing within a few minutes (DELO DUALBOND) Flexible and tension-equalizing, even in case of thermal stress Good media resistance (e. g. to oil, petrol, brake液体，盐喷雾测试）良好的温度抗性干燥表面
系统级封装 (SiP) 解决方案
JCET 徽标是长电科技集团股份有限公司的注册商标。该商标在中华人民共和国注册（注册号：3000529）。此处的所有其他产品名称和其他公司名称仅供识别之用，可能是其各自所有者的商标或注册商标。本手册以及此处的数据表仅供展示之用，长电科技或其子公司不保证或作出任何明示、暗示或法定的准确性、充分性、可靠性、完整性或其他方面的陈述。建议读者在做出任何决定之前，随时寻求专业建议并获得对此处包含的信息的独立验证。长电科技保留随时更改信息的权利，恕不另行通知。©版权所有 2019。长电科技集团股份有限公司。保留所有权利。
电源模块封装方案综述
稿件收到日期：2019 年 5 月 31 日；修订日期：2019 年 9 月 15 日；接受日期：2019 年 9 月 24 日。出版日期：2019 年 10 月 15 日；当前版本日期：2020 年 2 月 3 日。这项工作得到了中国国家自然科学基金资助，资助编号为 U1537208。副主编 Jason Neely 推荐出版。（通讯作者：曹立强；张国旗；Braham Ferreira。）F. Hou 就职于中国科学院微电子研究所，北京 100029，中国，代尔夫特理工大学微电子系，2628 CT 代尔夫特，荷兰，以及国家先进封装中心，无锡 214135，中国（电子邮件：houfengze@ime.ac.cn）。 W. Wang 就职于深圳宽带隙半导体研究院 (WinS)，深圳 518055，中国 (电子邮件：wenbo.wang@iwins.org)。L. Cao、J. Li 和 M. Su 就职于中国科学院微电子研究所，北京 100029，中国，同时也就职于国家先进封装中心，无锡 214135，中国 (电子邮件：caoliqiang@ime.ac.cn；lijun@ime.ac.cn；sumeiying@ime.ac.cn)。T. Lin 就职于国家先进封装中心，无锡 214135，中国 (电子邮件：tingyulin@ncap-cn.com)。G. Zhang 就职于代尔夫特理工大学微电子系，代尔夫特 2628 CT，荷兰 (电子邮件：gqzhang@tudelft.nl)。 B. Ferreira 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气可持续能源系，邮编 2628 CT 代尔夫特。他目前就职于荷兰特温特大学电信工程系，邮编 7522 NB 恩斯赫德（电子邮件：jaferreira@utwente.nl）。本文中一个或多个图片的彩色版本可在线获取，网址为 http://ieeexplore.ieee.org。数字对象标识符 10.1109/JESTPE.2019.2947645
半导体封装、组装和测试
• 测试电子封装 • 制造数据和统计过程控制 (SPC) • 进行故障模式、机制和严重性评估 (FMECA) 的技术 • 用于质量和可靠性测试的测试标准，如 JEDEC、Mil-Spec 和 IPC，包括电气性能、热循环、预处理和加速寿命测试 (HALT 和 HAST) • 故障分析技术，包括破坏性和非破坏性方法，如 CSAM、FIB、横截面、显微镜和 CT 断层扫描 • 分析测试数据的技术，包括威布尔分析等统计分布
国家先进封装制造计划
缩小封装上的特征：• 使封装上的特征接近单片 CMOS 芯片顶层的特征 • 将芯片连接到封装的间距接近芯片上的最终通孔间距 • 减少组装在多芯片封装上的芯片之间的距离，以接近单片芯片上 IP 块之间的距离
