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第 26 届电子封装技术会议 (...
第 26 届电子封装技术会议 (EPTC2024) 将于 2024 年 12 月 3 日至 12 月 6 日在新加坡举行。会议将包括主题演讲、技术会议、受邀演讲、小组讨论、研讨会、展览和交流活动。主题包括模块、组件、材料、设备技术、组装、可靠性、互连设计、设备和系统封装、异构集成、晶圆级封装、柔性电子、LED、物联网、5G、新兴技术、2.5D/3D 集成技术、智能制造、自动化和人工智能。去年有 566 名与会者。今年我们将继续举办为期 4 天的会议，并期待更多与会者。
半导体封装、组装和测试
• 测试电子封装 • 制造数据和统计过程控制 (SPC) • 进行故障模式、机制和严重性评估 (FMECA) 的技术 • 用于质量和可靠性测试的测试标准，如 JEDEC、Mil-Spec 和 IPC，包括电气性能、热循环、预处理和加速寿命测试 (HALT 和 HAST) • 故障分析技术，包括破坏性和非破坏性方法，如 CSAM、FIB、横截面、显微镜和 CT 断层扫描 • 分析测试数据的技术，包括威布尔分析等统计分布
微型封装设计和微囊化过程中的当前挑战：评论
摘要：微囊化是一种在广泛的工业领域进行保护，保存和/或提供活性材料的先进方法，例如药品，化妆品，香料，油漆，涂料，涂料，洗涤剂，食品，食品和农业化学物质。聚合物材料已被广泛用作微胶囊壳，以提供适当的屏障特性，以实现封装活性成分的受控释放。然而，这种胶囊的显着局限性与不希望的浸出和典型使用的聚合物的不可降解性质有关。此外，在设计微胶囊系统和相应的生产过程时，要考虑制造微型封装的能源成本是一个重要因素。与联合国可持续性目标相关的最新因素正在修改如何为追求“理想”的微胶囊设计这样的微包装系统，这些微胶囊有效，安全，成本效益且环保。本综述概述了微囊化的进步，重点是可持续的微胶囊设计。还描述了根据最近不断发展的欧盟要求评估微胶囊的生物降解性的关键评估技术。此外，在能源需求的框架内提出了制造微胶囊的最常见方法。最近有前途的微胶囊设计也被强调，因为它们适合满足当前的设计要求和严格的法规，应对持续的挑战，局限性和机遇。关键字：微囊化，主动成分递送，可持续微胶囊设计，微胶囊制造
基于模块格的密钥封装机制标准
密钥封装机制 (KEM) 是一组算法，在特定条件下，双方可以使用它来通过公共信道建立共享密钥。使用 KEM 安全建立的共享密钥可与对称密钥加密算法一起使用，以执行安全通信中的基本任务，例如加密和身份验证。此标准指定了一种称为 ML-KEM 的密钥封装机制。ML-KEM 的安全性与有错模块学习问题的计算难度有关。目前，ML-KEM 被认为是安全的，即使面对拥有量子计算机的对手也是如此。此标准为 ML-KEM 指定了三个参数集。按安全强度增加和性能降低的顺序，这些参数集分别是 ML-KEM-512、ML-KEM-768 和 ML-KEM-1024。
最新协议旨在推进芯片封装的热压和混合键合方法
小芯片将 SOC 分解成复合部件，从而形成更小的芯片，然后可以将其封装在一起作为单个系统运行，从而提供潜在的优势，包括提高能源效率、缩短系统开发周期和降低成本。然而，在 AI 计算快速创新的推动下，需要封装方面的进步才能更快、更高效地将小芯片从研究转移到量产。
半导体封装中的翘曲控制
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第25 届电子封装技术国际会议
车博士曾 4 次获得最佳国际会议论文奖 (EPTC2003 、 EPTC2013 、 Itherm2006 、 ICEPT2006) 。 他合着了一本书，并在先进微电子封装领域的同行期刊和会议论文集上发表了 170 多篇技术论文。他拥有 11 项 已获授权或正在申请的美国专利。 他的研究兴趣包括先进封装的可靠性设计、铜线键合、硅通孔 (TSV) 技术、扇出型晶圆级 / 皮肤级封装、有限元 建模与仿真、微电子封装材料特性、物理驱动和数据驱动的机器学习方法，用于先进封装技术的快速技术风险评 估。 车博士担任 35 多个国际科学期刊的同行评审员，例如 J. of Materials Science 、 J. of Electronic Materials 、 J.Materials and Design 、 Materials characterization 、 Microelectronics Reliability 、 IEEE Trans.on CPMT 、 IEEE Trans.on DMR 、 International J. of Fatigue 、 J. of Alloys and Compounds 、 J. of Micromechanics and Microengineering 等。 车博士连续四年（ 2020 年至 2023 年）被斯坦福大学评为全球前 2% 科学家。 他是 IEEE 高级会员。
氧化锌的聚合物封装
3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98
质量与可靠性第 6 卷：英特尔先进封装...
先进封装技术在提供高质量、可靠的半导体方面发挥着关键作用。先进封装是指在单个封装内组装和互连多个半导体芯片的技术。英特尔在先进封装方面的创新允许创建具有增强性能、功能和效率的复杂集成电路。由于百亿亿次计算和人工智能 (AI) 领域的新兴应用，先进封装有助于满足客户对更大、更密集处理器的需求。这些应用需要能够快速处理大量数据的高性能、低功耗芯片。最近的创新使英特尔能够通过异构封装架构实现高计算密度（高带宽和低延迟）的系统，这些架构可以集成具有不同功能的多个芯片（模块化芯片）。借助先进封装技术，英特尔开发了新的架构和更高密度的处理器，从而以合理的成本实现高性能系统。英特尔的先进封装技术延续并推动了摩尔定律，该公司的目标是到 2030 年在一个封装中实现一万亿个晶体管。英特尔在先进封装领域处于行业领先地位，并且已经这样做了几十年。我们的创新技术允许封装中的多个芯片并排连接或以 3D 方式堆叠在一起（Foveros）和嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB)，从而促进不同芯片之间的高速通信。本文回顾了英特尔的最新创新，包括我们如何使用先进的封装技术来确保高质量和可靠性。它解释了英特尔独特的封装质量和可靠性验证流程，该流程旨在确保复杂的英特尔产品满足或超出客户的期望。
欧洲半导体封装 - PACK4EU 概述和展望
- 欧洲剩余的 SPAT 制造：占全球产能的 3% - 至今产量仍在向亚洲转移，少数剩余的欧洲 SPAT-SP 中部分已破产 - 欧洲仅有一个大型 OSAT 工厂：Amkor Portugal – ATEP（无法获得中小批量生产） - 较大的产能主要集中在 IDM 和 OEM 中（无法获得第三方客户和小批量生产） - 研发格局依然强劲，但缺乏行业反馈，行业项目数量较少