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使用植物化学物质和使用合成聚合物（PVA）封装的银纳米颗粒
AG-NP合成的化学方法包括各种有机和无机还原剂（如柠檬酸钠和硼氢化钠）的化学还原方法。尽管这种AG-NP合成方法非常普遍，但绿色合成提供了一种更安全，成本效益和环保替代化学降低的替代品[3,4]。绿色合成的AG-NP在医学，食物保存和水过滤等各个领域都有应用。此外，根据最近的研究，绿色合成的AG-NP具有强大的抗微生物，抗癌和抗氧化活性。对全球医疗保健的最严重威胁之一是存在多药耐药病原体，尤其是引起威胁生命疾病的病原体。为了最好的这些病原体，需要对这些感染的新技术。绿色合成的Ag-NP已被发现有效
用于先进电子封装的轻质铍复合散热器的系统性能
商用和军用电子产品的最新进展要求电子封装材料在 -45°C 至 +85°C 的温度范围内具有热循环可靠性，以延长使用寿命，提高振动可靠性，同时减轻航空电子设备封装的重量和尺寸。本文将介绍一系列铍基金属基复合材料的开发，这些材料为电子封装设计师提供了极具吸引力的性能组合，以满足电子封装工程师日益苛刻的需求。本文将重点介绍在 IRIDIUM ® MCM-L 封装和用于飞机航空电子设备（如 F16 和 F22）的各种 SEM-E 电子模块等应用中使用这些新材料来改进系统性能。
用于结构健康监测的人工智能智能电子封装的最新进展
1 拉吉夫·甘地石油技术学院计算机科学与工程系地理信息学实验室，印度北方邦阿梅蒂 229304；pgi19002@rgipt.ac.in 2 拉吉夫·甘地石油技术学院石油工程与地球工程系机器学习与自动化实验室，印度北方邦阿梅蒂 229304；ppe15001@rgipt.ac.in 3 印度理工学院土木工程系，印度北方邦坎普尔 208016；blohani@iitk.ac.in 4 拉吉夫·甘地石油技术学院电子工程系，印度北方邦阿梅蒂 229304； udwivedi@rgipt.ac.in 5 印度北方邦 Jais 229304 拉吉夫·甘地石油技术学院化学工程与生物化学工程系；ddwivedi@rgipt.ac.in 6 韩国水原 16499 亚洲大学材料科学与工程系；ashu.materials@gmail.com 7 韩国首尔大学材料科学与工程系，首尔东大门区 Seoulsiripdaero 163 号，邮编 02504 * 通讯地址：susham@rgipt.ac.in（顺便提一句）；jpjung@uos.ac.kr（摩根大通）；电话：+91-9919556965（顺便提一句）；+82-2-6490-2408（摩根大通）† 同等贡献。
适用于 MEMS 封装的高柔性芯片粘接粘合剂
用于 MEMS 封装的高柔性芯片粘接粘合剂 Dr. Tobias Königer DELO 工业粘合剂 DELO-Allee 1 86949 Windach，德国 电话 +49 8193 9900-365 传真 +49 8193 9900-5365 电子邮件 tobias.koeniger@delo.de 摘要 大多数 MEMS 封装的芯片粘接材料必须具有高柔性，因为在装配过程和应用过程中的温度变化可能导致热机械应力，这是由于基板、芯片和粘合剂的热膨胀系数不同造成的。热机械应力会导致对应力极为敏感的 MEMS 设备的信号特性失真。在本文中，我们开发了高柔性热固化粘合剂，其杨氏模量在室温下低至 5 MPa (0.725 ksi)。 DMTA 测量表明，在 +120 °C (+248 °F) 温度下储存不会导致粘合剂脆化，而脆化会对 MEMS 封装的可靠性产生负面影响。在 +120 °C (+248 °F) 下储存长达 1000 小时后，杨氏模量没有增加。粘合剂在低至 +100 °C (+212 °F) 的极低温度下固化，从而减少了组装过程中的应力产生。此外，粘合剂具有非常友好的工艺特性。处理时间可以达到一周以上。双重固化选项可在几秒钟内对芯片进行初步光固定。关键词粘合剂、MEMS 封装、应力、芯片粘接、粘合
封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
适用于可湿性侧面 QFN 和 SON 封装的新型电镀技术 (Rev. A)
高质量扁平无引线 (QFN) 和小外形无引线 (SON) 封装具有紧凑性、成本效益和良好的电气和热性能，广泛应用于移动和汽车行业。然而，在高可靠性行业中使用 QFN 封装的一个挑战是由于引线侧面缺乏一致的焊料圆角形成。因此，在汽车行业中启用 QFN 和 SON 的关键工艺之一是可润湿侧面功能，它能够在 SMT 后组装到印刷电路板 (PCB) 时有效地形成焊料圆角。为了确保组装的印刷电路板符合质量标准，在组装过程中目视检查它们是否有缺陷和异常是必不可少的。本文介绍了一种在引线侧面镀有新型浸锡的可润湿侧面功能。它创造了可焊接的引线侧面，并通过可检测的润湿圆角高度增强了光学表面贴装封装检查。陶瓷板上的保质期研究和可焊性测试证明了满足可靠性标准的能力。板级可靠性 (BLR) 测试表明其性能与非可润湿侧面封装相当。
eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）封装的板级可靠性改进
在减小移动设备外形尺寸和增加功能集成度方面，晶圆级封装 (WLP) 是一种极具吸引力的封装解决方案，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出型 WLP (FOWLP) 的进步，与扇入型 WLP 相比，它是一种更优化、更有前景的解决方案，因为它可以在设计更多输入/输出 (I/O) 数量、多芯片、异构集成和三维 (3D) 系统级封装 (SiP) 方面提供更大的灵活性。嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 是一种扇出型 WLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用，因为它有可能以经过验证的制造能力和生产良率发展为各种配置。eWLB 是一种关键的先进封装，因为它具有更高的 I/O 密度、工艺灵活性和集成能力。它有助于在一个封装中垂直和水平地集成多个芯片，而无需使用基板。结构设计和材料选择对工艺良率和长期可靠性的影响越来越重要，因此有必要全面研究影响可靠性的关键设计因素。
TMP108 低功耗数字温度传感器，带 WCSP 封装的双线串行接口
从 TMP108 读取时，写入操作存储在指针寄存器中的最后一个值用于确定读取操作读取哪个寄存器。要更改读取操作的寄存器指针，必须将新值写入指针寄存器。此操作通过发出 R/W 位低的从地址字节，然后发出指针寄存器字节来完成。无需其他数据。然后，主机可以生成起始条件并发送 R/W 位高的从地址字节以启动读取命令。有关此序列的详细信息，请参见图 3。如果需要从同一寄存器重复读取，则无需连续发送指针寄存器字节，因为 TMP108 会存储指针寄存器值，直到下一次写入操作更改它为止。
最新协议旨在推进芯片封装的热压和混合键合方法
小芯片将 SOC 分解成复合部件，从而形成更小的芯片，然后可以将其封装在一起作为单个系统运行，从而提供潜在的优势，包括提高能源效率、缩短系统开发周期和降低成本。然而，在 AI 计算快速创新的推动下，需要封装方面的进步才能更快、更高效地将小芯片从研究转移到量产。